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Transistores (5714)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jansr2n2907a | 99.0906 |  | 8793 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N2907 | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||
 | 2N5882 | 41.7354 | | 6033 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N5882 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv2n2919u | 57.4693 | | 8979 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/355 | Una granela | Activo | 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 2N2919 | 350MW | 3-SMD | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30mera | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 300mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1 MMA, 5V | - | ||||||||||||||
| 2N6330 | 124.7939 | | 8703 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N6330 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| 2N5003 | 287.5460 | | 1109 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N5003 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2N5154U3 | 107.4906 | | 7795 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U3 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 1 MA | 1mera | NPN | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||
| Jantxv2n2919l | 39.1685 | | 2175 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/355 | Una granela | Activo | 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N2919 | 350MW | Un 78-6 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30mera | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 300mV @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1 MMA, 5V | - | ||||||||||||||
| 2N3054 | 56.6250 | | 5840 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N3054 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jankccl2n3499 | - | | 4439 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANKCCL2N3499 | 100 | 100 V | 500 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||
 | Jansm2n2906aubc | 305.9206 | | 9096 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UBC | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jansm2n2906aubc | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||
| Jansr2n222222aub | 59.6002 | | 4505 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Banda | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 2N2222 | 500 MW | UB | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||
 | LND150K1-G | 0.5000 | | 42 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | LND150 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 13MA (TJ) | 0V | 1000OHM @ 500 µA, 0V | - | ± 20V | 10 pf @ 25 V | MODO DE AGOTAMENTO | 360MW (TA) | |||||||||||
| Jantx2n5684 | 196.4676 | | 8872 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/466 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 2N5684 | 300 W | A 3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 50 A | 5 µA | NPN | 5V @ 10a, 50a | 30 @ 5a, 2v | - | ||||||||||||||
| 2N2223A | 36.9150 | | 3113 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N2223 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N2223A | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| Jan2n4449ub | 26.1478 | | 9496 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/317 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 400 MW | UB | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero2n4449ub | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 V | 400NA | NPN | 450mv @ 10 Ma, 100 Ma | 40 @ 10mA, 1V | - | |||||||||||||||||
| Jans2n5794u | 299.5020 | | 7947 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/495 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-SMD, sin Plomo | 2N5794 | 600MW | U | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans2n5794u | 1 | 40V | 600mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 900mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||
| 2N6385P | 80.7150 | | 9575 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 6 W | TO-204AA (TO-3) | - | Alcanzar sin afectado | 150-2n6385p | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10 A | 1mera | NPN - Darlington | 3V @ 100 Ma, 10a | 1000 @ 5a, 3V | - | ||||||||||||||||
| 2N5335 | 22.2750 | | 7994 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5335 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jansp2n3634ub/tr | - | | 6199 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 1 W | UB | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 140 V | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 50 mapa, 10v | - | ||||||||||||||||
| 2N3764U4 | 145.3500 | | 3058 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | U4 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N3764U4 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 V | 1.5 A | 100 µA | PNP | 900mv @ 100 mm, 1a | 30 @ 1a, 1.5V | - | ||||||||||||||||
| 2C3634-MSCL | 7.3650 | | 5138 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-2C3634-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jans2n5415u4 | - | | 5302 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/485 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U4 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 50 µA | 50 µA | PNP | 2V @ 5 mm, 50 Ma | 30 @ 50mA, 10V | - | ||||||||||||||||
 | MSC100SM70JCU3 | 58.4100 | | 6 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | MSC100SM70JCU3 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | SOT-227 (ISOTOP®) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSC100SM70JCU3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 700 V | 124a (TC) | 20V | 19mohm @ 40a, 20V | 2.4V @ 4MA | 215 NC @ 20 V | +25V, -10V | 4500 pf @ 700 V | - | 365W (TC) | |||||||||
| 2N2945A | 21.8519 | | 4830 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN | 2N2945 | 400 MW | A-46 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 V | 100 mA | 10 µA (ICBO) | PNP | - | 70 @ 1 MMA, 500mv | - | |||||||||||||||
| Jansr2n222222aub/e10 | 59.0304 | | 4193 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UB | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANSR2N2222AUB/E10 | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||
| 2N3498 | - | | 1557 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 500 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||
| 2N335AT2 | 65.1035 | | 2228 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N335 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv2n2218 | 4.7082 | | 3079 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/251 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N2218 | 800 MW | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 V | 800 Ma | 10NA | NPN | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||
| Jan2n3867u4 | 145.2360 | | 7451 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U4 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 3 A | 100 µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 250 Ma, 2.5a | 40 @ 1.5a, 2v | - | ||||||||||||||||
| 2C3765-MSCLW | 8.4600 | | 1135 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-2C3765-MSCLW | 1 |
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