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Transistores (5714)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - Desglose (V (BR) GSS)	Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID	Real - Corte de Coleción (Max)	Resistencia - RDS (ON)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
2N5667	30.4304	RFQ	8512	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN	2N5667		1.2 W	A-5	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1													300 V	5 A				200NA		NPN	1v @ 1a, 5a	25 @ 1a, 5v	-
Apt41f100j	67.5000	RFQ	3725	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	APT41F100	Mosfet (Óxido de metal)		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1		N-canal	1000 V	42a (TC)	10V	210mohm @ 33a, 10v	5V @ 5MA	570 NC @ 10 V	± 30V	18500 pf @ 25 V	-	960W (TC)
Jantx2n3764l	-	RFQ	4057	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo								-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	1
2N6672	98.3402	RFQ	1230	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo				2N6672				-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1
Jantx2n333a	-	RFQ	6361	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN				A-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	1													45 V					-		NPN	-	-	-
HS2907ATX/TR	10.4937	RFQ	3749	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo								-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-HS2907ATX/TR			1
Jansd2n5153u3	229.9812	RFQ	9426	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/545	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo			1.16 W	U3	-			Alcanzar sin afectado	150-Jansd2n5153u3			1													80 V	2 A				50 µA		PNP	1.5V @ 500mA, 5A	70 @ 2.5a, 5V	-
MSCSM120AM03T6LIAG	1.0000	RFQ	5001	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	MSCSM120	CARBURO DE SILICIO (SIC)	3.215kW (TC)	-	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	150-mscsm120am03t6liag	EAR99	8541.29.0095	1	2 N Canal (Pierna de Fase)		1200V (1.2kv)	805A (TC)		3.1mohm @ 400a, 20V	2.8V @ 30 Ma	2320NC @ 20V		30200pf @ 1000V	-
2N918	14.6300	RFQ	4353	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C	A Través del Aguetero	TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN	2N918		200 MW	TO-72	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	2n918ms	EAR99	8541.21.0095	1													15 V	50 Ma				1 µA (ICBO)		NPN	400mv @ 1 mapa, 10 ma	20 @ 10mA, 10V	-
2N2905AE3	11.3715	RFQ	9268	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN			800 MW	TO-39 (TO-205Ad)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	1													60 V	1 µA				1 µA		PNP	1.6v @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 10V	-
TP2640LG-G	2.4900	RFQ	1	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	TP2640	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3,300		Canal P	400 V	86MA (TJ)	2.5V, 10V	15ohm @ 300mA, 10V	2v @ 1 mapa		± 20V	300 pf @ 25 V	-	740MW (TA)
Apt50m85jvfr	46.0700	RFQ	6166	Tecnología de Microchip	Power Mos V®	Tubo	Activo		Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt50m85	Mosfet (Óxido de metal)		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1		N-canal	500 V	50A (TC)		85mohm @ 500 mA, 10V	4V @ 1MA	535 NC @ 10 V		10800 pf @ 25 V	-
Jans2n3507l	70.3204	RFQ	7348	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/349	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN			1 W	TO-5AA	-			Alcanzar sin afectado	150-Jans2N3507L			1													50 V	3 A				1 µA		NPN	1.5V @ 250 Ma, 2.5a	35 @ 500mA, 1V	-
2N5677	519.0900	RFQ	1898	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-	Montaje	TO11MA, TO-210AC, TO-61-4, STARD			87.5 W	TO-61	-			Alcanzar sin afectado	150-2N5677	EAR99	8541.29.0095	1													100 V	5 A				-		PNP	-	-	-
MQ2N5116UB/TR	75.7701	RFQ	2712	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500	Tape & Reel (TR)	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo			500 MW	UB	-			Alcanzar sin afectado	150-mq2n5116ub/tr			100		Canal P	30 V							27pf @ 15V					30 V	5 Ma @ 15 V	1 v @ 1 na		175 ohmios
Jans2n3507a	70.3204	RFQ	8772	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN			1 W	TO-39 (TO-205Ad)	-			Alcanzar sin afectado	150-jans2n3507a			1													50 V	3 A				1 µA		NPN	1.5V @ 250 Ma, 2.5a	35 @ 500mA, 1V	-
2N3501L	22.0381	RFQ	9697	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN	2N3501		1 W	A-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1													150 V	300 mA				10 µA (ICBO)		NPN	400mv @ 15 mA, 150 mA	100 @ 150mA, 10V	-
Jantxv2n6678	177.2092	RFQ	9132	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/538	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3			6 W	A 3	-			Alcanzar sin afectado	Jantxv2n6678ms	EAR99	8541.29.0095	1													400 V	15 A				1MA (ICBO)		NPN	1v @ 3a, 15a	15 @ 1a, 3v	-
Mx2n4856ub	68.7743	RFQ	3847	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo				2N4856				-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1
Jantx2n5796u	-	RFQ	6715	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/496	Una granela	Descontinuado en sic	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-SMD, sin Plomo	2N5796		600MW	6-SMD	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	1													60V	600mA				10NA (ICBO)		2 PNP (dual)	1.6v @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 10V	-
78161gnp	-	RFQ	6950	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo				78161				-			Alcanzar sin afectado	150-78161GNP			25
Mx2n4861ub/tr	68.9206	RFQ	2529	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/385	Tape & Reel (TR)	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo			360 MW	UB	-			Alcanzar sin afectado	150-MX2N4861UB/TR			100		N-canal	30 V							18pf @ 10V					30 V	8 Ma @ 15 V	800 MV @ 500 Pa		60 ohmios
2N3440E3	20.9209	RFQ	1927	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN			800 MW	TO-39 (TO-205Ad)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	1													250 V	2 µA				2 µA		NPN	500mv @ 4mA, 50 mA	40 @ 20MA, 10V	-
2N4858U	97.8750	RFQ	6353	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo	2N4858		360 MW	UB	-			Alcanzar sin afectado	150-2N4858U			1		N-canal	40 V							18pf @ 10V					40 V	8 Ma @ 15 V	800 MV @ 500 Pa		60 ohmios
2N4858ub/TR	86.9554	RFQ	8145	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo	2N4858		360 MW	3-UB (3.09x2.45)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-2N4858UB/TR			1		N-canal	40 V							18pf @ 10V (VGS)					40 V	8 Ma @ 15 V	4 V @ 500 PA		60 ohmios
Jan2n930	9.3898	RFQ	9534	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/253	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-206AA, a 18-3 Lata de metal	2N930		300 MW	Un 18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	1													45 V	30 Ma				2NA		NPN	1V @ 500 µA, 10 mA	100 @ 10 µA, 5V	-
2N5584	613.4700	RFQ	8222	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montaje	Un stud de 211 MB, TO-63-4			175 W	TO-63	-			Alcanzar sin afectado	150-2N5584	EAR99	8541.29.0095	1													180 V	30 A				-		NPN	1.5V @ 2mA, 10 Ma	-	-
Jansp2n2907aubc	305.9206	RFQ	8125	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/291	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo			500 MW	UBC	-			Alcanzar sin afectado	150-JANSP2N2907AUBC			1													60 V	600 mA				50NA		PNP	1.6v @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 10V	-
Mv2n5116ub	95.6403	RFQ	6679	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo			500 MW	UB	-			Alcanzar sin afectado	150-MV2N5116ub			1		Canal P	30 V							27pf @ 15V					30 V	5 Ma @ 15 V	1 v @ 1 na		175 ohmios
Jantxv2n3771	291.2000	RFQ	1906	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/518	Una granela	Activo	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3			6 W	A 3	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1													40 V	5 Ma				5 mm		NPN	4V @ 6a, 30a	15 @ 15a, 4v	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (5714)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²