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Transistores (5714)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
MQ2N4859 Microchip Technology MQ2N4859 54.6231
RFQ
 ECAD 5386 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/385 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 360 MW TO-18 (TO-206AA) - Alcanzar sin afectado 150 MQ2N4859 1 N-canal 30 V 18pf @ 10V 30 V 50 mA @ 15 V 4 V @ 500 PA 25 ohmios
JAN2N4261 Microchip Technology Jan2n4261 -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/511 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-72-3 METAL LATA 2N4261 200 MW TO-72 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 15 V 30 Ma 10 µA (ICBO) PNP 350mv @ 1 mapa, 10 ma 30 @ 10mA, 1V -
2N4037 Microchip Technology 2N4037 15.8550
RFQ
 ECAD 8438 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-2N4037 1
2N3960UB/TR Microchip Technology 2N3960ub/TR 59.6550
RFQ
 ECAD 8319 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 400 MW UB - Alcanzar sin afectado 150-2N3960UB/TR EAR99 8541.21.0075 100 12 V 10 µA (ICBO) NPN 300mv @ 3 mm, 30 mA 60 @ 10mA, 1V -
2N6547T1 Microchip Technology 2N6547T1 349.2000
RFQ
 ECAD 9125 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 TO-204AD (TO-3) - Alcanzar sin afectado 150-2N6547T1 EAR99 8541.29.0095 1 400 V 15 A - NPN - - -
JANSL2N3810U Microchip Technology Jansl2n3810u 262.3106
RFQ
 ECAD 4590 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/336 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo 2N3810 350MW U - Alcanzar sin afectado 150-Jansl2n3810u 1 60V 50mera 10 µA (ICBO) 2 PNP (dual) 250mv @ 100 µA, 1 mA 150 @ 1 MMA, 5V -
APTGL325A120D3G Microchip Technology Aptgl325a120d3g 316.5800
RFQ
 ECAD 4966 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo D-3 APTGL325 1500 W Estándar D3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 420 A 2.2V @ 15V, 300A 5 Ma No 18.6 NF @ 25 V
JANSP2N2369AUBC/TR Microchip Technology Jansp2n2369aubc/tr 252.7000
RFQ
 ECAD 9006 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 360 MW UBC - Alcanzar sin afectado 150-JANSP2N2369AUBC/TR 50 15 V 400NA NPN 450mv @ 10 Ma, 100 Ma 20 @ 100 maja, 1v -
APTGT75TL60T3G Microchip Technology Aptgt75tl60t3g 93.2700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 Aptgt75 250 W Estándar Sp3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Inversor de Tres Niveles Parada de Campo de Trinchera 600 V 100 A 1.9V @ 15V, 75a 250 µA Si 4.62 NF @ 25 V
APTGT400TL65G Microchip Technology Aptgt400tl65g 387.4100
RFQ
 ECAD 2647 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Aptgt400 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
1011GN-1600VG Microchip Technology 1011gn-1600vg -
RFQ
 ECAD 1754 0.00000000 Tecnología de Microchip VG Una granela Activo 150 V Montaje en superficie 55-Q11a 1.03GHz ~ 1.09GHz Hemt 55-Q11a descascar Alcanzar sin afectado 150-1011GN-1600VG EAR99 8541.29.0095 1 - 200 MA 1600W 18.6db - 50 V
JAN2N3867P Microchip Technology Jan2n3867p 32.4919
RFQ
 ECAD 2924 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/350 Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 1 W TO-5AA - Alcanzar sin afectado 150-Enero2n3867p EAR99 8541.29.0095 1 40 V 3 A 1 µA PNP 1.5V @ 250 Ma, 2.5a 50 @ 500mA, 1V -
JANTXV2N5416U4/TR Microchip Technology Jantxv2n5416u4/tr -
RFQ
 ECAD 5956 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/485 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 1 W U4 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv2n5416u4/tr EAR99 8541.29.0095 1 300 V 1 A 1mera PNP 2V @ 5 mm, 50 Ma 30 @ 50mA, 10V -
APT70GR120L Microchip Technology Apt70gr120l 13.2200
RFQ
 ECAD 4409 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Apt70gr120 Estándar 961 W Un 264 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 600V, 70a, 4.3ohm, 15V Escrutinio 1200 V 160 A 280 A 3.2V @ 15V, 70a 3.82mj (Encendido), 2.58mj (apaguado) 544 NC 33ns/278ns
JANTXV2N4033UA Microchip Technology Jantxv2n4033ua 110.1905
RFQ
 ECAD 4965 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/512 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 500 MW Ua - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 80 V 1 A 10 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mapa, 1a 100 @ 100 maja, 5v -
MS2N4092 Microchip Technology MS2N4092 -
RFQ
 ECAD 3347 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 360 MW TO-18 (TO-206AA) - Alcanzar sin afectado 150-MS2N4092 100 N-canal 40 V 16pf @ 20V 40 V 15 Ma @ 20 V 50 ohmios
JANTX2N5154L Microchip Technology Jantx2n5154l 14.8295
RFQ
 ECAD 2357 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/544 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 2N5154 1 W A-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 2 A 50 µA NPN 1.5V @ 500mA, 5A 70 @ 2.5a, 5V -
2N4854U Microchip Technology 2N4854U 29.4595
RFQ
 ECAD 4233 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo 2N4854 300MW U descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2N4854ums EAR99 8541.29.0095 1 40V 600mA 10 µA (ICBO) NPN, PNP 400mv @ 15 mA, 150 mA 100 @ 150mA, 10V -
JAN2N2904A Microchip Technology Jan2n2904a 10.7597
RFQ
 ECAD 6705 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/290 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N2904 800 MW TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60 V 600 mA 10 µA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 10V -
APT15GP60BDQ1G Microchip Technology Apt15gp60bdq1g 5.4000
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Apt15gp60 Estándar 250 W To-247 [b] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 400V, 15a, 5ohm, 15V PT 600 V 56 A 65 A 2.7V @ 15V, 15a 130 µJ (Encendido), 120 µJ (apaguado) 55 NC 8ns/29ns
MNS2N3501P Microchip Technology MNS2N3501P 11.6500
RFQ
 ECAD 9176 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/366 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Alcanzar sin afectado 150-MNS2N3501P EAR99 8541.29.0095 1 150 V 300 mA 10 µA (ICBO) NPN 400mv @ 15 mA, 150 mA 100 @ 150mA, 10V -
MSR2N2907AUB/TR Microchip Technology MSR2N2907AUB/TR -
RFQ
 ECAD 2767 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/291 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 500 MW UB - Alcanzar sin afectado 150-MSR2N2907AUB/TR 100 60 V 600 mA 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
JANTXV2N3715 Microchip Technology Jantxv2n3715 62.6696
RFQ
 ECAD 8003 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/408 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 3 2N3715 5 W TO-3 (TO-204AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 60 V 10 A 1mera NPN 2.5V @ 2a, 10a 30 @ 3a, 2v -
2N4999 Microchip Technology 2N4999 324.3000
RFQ
 ECAD 5415 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - Montaje TO10AA, TO-59-4, Stud 35 W TO-59 - Alcanzar sin afectado 150-2N4999 EAR99 8541.29.0095 1 80 V 2 A - PNP - - -
JANTX2N3439 Microchip Technology Jantx2n3439 10.8262
RFQ
 ECAD 9820 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/368 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N3439 800 MW To-39 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 350 V 1 A 2 µA NPN 500mv @ 4mA, 50 mA 40 @ 20MA, 10V -
JAN2N1724 Microchip Technology Jan2n1724 -
RFQ
 ECAD 4048 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/262 Una granela Activo 175 ° C Montaje TO11MA, TO-210AC, TO-61-4, STARD 3 W TO-61 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 300 µA 300 µA NPN 600mv @ 200Ma, 2a 30 @ 2a, 15V -
JANTX2N2369AU Microchip Technology Jantx2n2369au -
RFQ
 ECAD 1674 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/317 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 2n2369 500 MW UB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 15 V 400NA NPN 450mv @ 10 Ma, 100 Ma 20 @ 100 maja, 1v -
JANSP2N3637L Microchip Technology Jansp2n3637l 129.5906
RFQ
 ECAD 2494 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/357 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 1 W TO-5AA - Alcanzar sin afectado 150-JANSP2N3637L 1 175 V 1 A 10 µA PNP 600mv @ 5 mm, 50 Ma 100 @ 50 mm, 10v -
JAN2N2907A Microchip Technology Jan2n2907a 2.7200
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/291 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2N2907 500 MW TO-18 (TO-206AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60 V 600 mA 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
JANTXV2N2904 Microchip Technology Jantxv2n2904 13.3532
RFQ
 ECAD 1416 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/290 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N2904 800 MW TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 40 V 600 mA 1 µA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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