SIC
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Transistores (5714)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
JAN2N6546 Microchip Technology Jan2n6546 -
RFQ
 ECAD 2219 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/525 Una granela Descontinuado en sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 175 W TO-204AA (TO-3) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 300 V 15 A - NPN 5V @ 3a, 15a 12 @ 5a, 2v -
APT75GP120JDQ3 Microchip Technology APT75GP120JDQ3 47.1600
RFQ
 ECAD 3674 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop APT75GP120 543 W Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero PT 1200 V 128 A 3.9V @ 15V, 75a 1.25 mA No 7.04 NF @ 25 V
APT36GA60BD15 Microchip Technology APT36GA60BD15 6.8800
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 ECAD 3408 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 8 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 APT36GA60 Estándar 290 W To-247 [b] - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 400V, 20a, 10ohm, 15V PT 600 V 65 A 109 A 2.5V @ 15V, 20a 307 µJ (Encendido), 254 µJ (apaguado) 18 NC 16ns/122ns
JANSL2N3634 Microchip Technology Jansl2n3634 -
RFQ
 ECAD 5267 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/357 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 140 V 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5 mm, 50 Ma 50 @ 50 mapa, 10v -
1011GN-30EL Microchip Technology 1011gn-30el -
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 ECAD 5305 0.00000000 Tecnología de Microchip El Una granela Activo 150 V Montaje en superficie 55-Qqp 1.03GHz ~ 1.09GHz - 55-Qqp descascar Alcanzar sin afectado 150-1011gn-30el EAR99 8541.29.0095 1 - - 40 Ma 35W 18.5dB - 50 V
APTM20DAM04G Microchip Technology Aptm20dam04g 226.1900
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 ECAD 2713 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptm20 Mosfet (Óxido de metal) Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 372a (TC) 10V 5mohm @ 186a, 10v 5V @ 10mA 560 NC @ 10 V ± 30V 28900 pf @ 25 V - 1250W (TC)
SG2821L-DESC Microchip Technology SG2821L-DESC -
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 ECAD 8500 0.00000000 Tecnología de Microchip - Banda Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 20-Clcc SG2821 - 20-Clcc (8.89x8.89) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-SG2821L-DESC EAR99 8541.29.0095 50 95V 500mA - 8 NPN Darlington 1.6V @ 500 µA, 350 mA 1000 @ 350MA, 2V -
JAN2N5237S Microchip Technology Jan2n5237s 16.4787
RFQ
 ECAD 1156 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/394 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N5237 1 W TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 120 V 10 A 10 µA NPN 2.5V @ 1a, 10a 40 @ 5a, 5v -
JAN2N3467 Microchip Technology Jan2n3467 -
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/348 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 40 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 1.2v @ 100 mA, 1a 40 @ 500mA, 1V -
2C5333-MSCL Microchip Technology 2C533333-MSCL 9.6300
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 ECAD 4693 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-2C533333-MSCL 1
JANTXV2N6989U Microchip Technology Jantxv2n6989u 85.8116
RFQ
 ECAD 5257 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/559 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo 2N6989 1W 6-SMD - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 50V 800mA 10NA (ICBO) 4 PNP (Quad) 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V -
ICPB1020-1-110I Microchip Technology ICPB1020-1-110i -
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 ECAD 7143 0.00000000 Tecnología de Microchip - Caja Activo 28 V Montaje en superficie Morir 14GHz Ganador de hemt Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 - 8A 1 A 100W 7.4db - 28 V
JANHCC2N6193 Microchip Technology JANHCC2N6193 -
RFQ
 ECAD 6465 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/561 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-205Ad (TO-39) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JANHCC2N6193 EAR99 8541.29.0095 1 100 V 5 A 100 µA PNP 1.2V @ 500 Ma, 5a 60 @ 2a, 2v -
JANSF2N5152L Microchip Technology Jansf2n5152l 98.9702
RFQ
 ECAD 1249 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/544 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 1 W A-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 1 MA 1mera NPN 1.5V @ 500mA, 5A 30 @ 2.5a, 5V -
APTGF300A120G Microchip Technology APTGF300A120G -
RFQ
 ECAD 4216 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis Sp6 1780 W Estándar Sp6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 Medio puente Escrutinio 1200 V 400 A 3.9V @ 15V, 300A 500 µA No 21 NF @ 25 V
JANTX2N2218A Microchip Technology Jantx2n2218a 9.6292
RFQ
 ECAD 6517 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/251 Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N2218 800 MW TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 Ma 10NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 40 @ 150mA, 10V -
JAN2N497S Microchip Technology Jan2n497s -
RFQ
 ECAD 6348 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1
GN2470K4-G Microchip Technology GN2470K4-G 1.3300
RFQ
 ECAD 5357 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 GN2470 Estándar 2.5 W TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 - - 700 V 1 A 3.5 A 5V @ 13V, 3a - 8ns/20ns
APTGLQ100A120TG Microchip Technology Aptglq100a120tg 120.9600
RFQ
 ECAD 3598 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Aptglq100 520 W Estándar Sp4 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 170 A 2.42V @ 15V, 100A 50 µA Si 6.15 NF @ 25 V
JANTXV2N2369AUB/TR Microchip Technology Jantxv2n2369aub/tr 26.9192
RFQ
 ECAD 4209 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/317 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 400 MW UB - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv2n2369aub/tr EAR99 8541.21.0095 1 20 V 400NA NPN 450mv @ 10 Ma, 100 Ma 20 @ 100 maja, 1v -
MX2N4092UB Microchip Technology Mx2n4092ub 89.1233
RFQ
 ECAD 8086 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/431 Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 360 MW 3-UB (3.09x2.45) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 40 V 16pf @ 20V 40 V 15 Ma @ 20 V 50 ohmios
JAN2N3996 Microchip Technology Jan2n3996 127.8130
RFQ
 ECAD 5877 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/374 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Chasis, Soporte de semento A 11-4, semental 2N3996 2 W To-111 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 10 A 10 µA NPN 2V @ 500 Ma, 5a 40 @ 1a, 2v -
JANTX2N1714S Microchip Technology Jantx2n1714s -
RFQ
 ECAD 7736 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN TO-39 (TO-205Ad) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 60 V 750 Ma - NPN - - -
JANTXV2N6678T1 Microchip Technology Jantxv2n6678t1 -
RFQ
 ECAD 3884 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) Un 254 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 400 V 15 A - NPN - - -
JANTXV2N3998 Microchip Technology Jantxv2n3998 151.6998
RFQ
 ECAD 7851 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/374 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Chasis, Soporte de semento TO10AA, TO-59-4, Stud 2N3998 2 W TO-59 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 10 A 10 µA NPN 2V @ 500 Ma, 5a 40 @ 1a, 2v -
JANTXV2N4239 Microchip Technology Jantxv2n4239 45.9249
RFQ
 ECAD 7957 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/581 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N4239 1 W TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 100 mm, 1a 30 @ 250 Ma, 1V -
JANTX2N5416S Microchip Technology Jantx2n5416s 10.3208
RFQ
 ECAD 5835 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/485 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N5416 750 MW To-39 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 300 V 1 A 1mera PNP 2V @ 5 mm, 50 Ma 30 @ 50mA, 10V -
JANS2N3635L Microchip Technology Jans2n3635l 94.4500
RFQ
 ECAD 9994 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/357 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 1 W A-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 140 V 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5 mm, 50 Ma 100 @ 50 mm, 10v -
2N2907AL Microchip Technology 2n2907al 3.9368
RFQ
 ECAD 9887 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2N2907 500 MW Un 18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60 V 600 mA 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
MSCSM120AM31CT1AG Microchip Technology MSCSM120AM31CT1AG 126.7100
RFQ
 ECAD 8952 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo MSCSM120 CARBURO DE SILICIO (SIC) 395W (TC) SP1F descascar Alcanzar sin afectado 150-mscsm120am31ct1ag EAR99 8541.29.0095 1 2 N Canal (Pierna de Fase) 1200V (1.2kv) 89A (TC) 31mohm @ 40a, 20V 2.8V @ 1MA 232NC @ 20V 3020pf @ 1000V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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