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Transistores (5714)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantx2n3500u4/tr | - |  | 4694 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U4 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX2N3500U4/TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 V | 300 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||
 | 2N6354 | 71.7300 | | 3809 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 140 W | TO-204AD (TO-3) | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N6354 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 V | 10 A | - | NPN | 1v @ 1a, 10a | 10 @ 10a, 2v | 60MHz | ||||||||||||||
| MSCMC120AM04CT6LIAG | - | | 9627 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | MSCMC120 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 1754W (TC) | Sp6c li | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-MSCMC120AM04CT6LIAG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N Canal (Pierna de Fase) | 1200V (1.2kv) | 388a (TC) | 5.7mohm @ 300a, 20V | 4V @ 90 mm | 966NC @ 20V | 16700pf @ 1000V | - | |||||||||||
 | 2N3421P | 36.8850 | | 5024 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 W | TO-5AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N3421P | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 3 A | 5 µA | NPN | 500mv @ 200MA, 2a | 40 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||
| 2N3700AUB/TR | 10.9050 | | 9555 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UB | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N3700AUB/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 100 | 80 V | 1 A | 10NA | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||
 | Apt6021sfllg | 19.7700 | | 6124 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Power MOS 7® | Tubo | Activo | Montaje en superficie | TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Apt6021 | Mosfet (Óxido de metal) | D3 [S] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 29a (TC) | 210mohm @ 14.5a, 10v | 5V @ 1MA | 80 NC @ 10 V | 3470 pf @ 25 V | - | ||||||||||||
| 2N5416L | 14.9100 | | 4240 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 750 MW | A-5 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5416L | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 300 V | 1 A | 1mera | PNP | 2V @ 5 mm, 50 Ma | 30 @ 50mA, 10V | - | ||||||||||||||
 | Jantxv2n3439p | 21.7987 | | 3781 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/368 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 800 MW | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV2N3439P | 1 | 350 V | 1 A | 2 µA | NPN | 500mv @ 4mA, 50 mA | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||
| Jankcc2n3499 | 15.8403 | | 2626 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANKCC2N3499 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 500 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||
| 2N5288 | 519.0900 | | 7287 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | TO11MA, TO-210AC, TO-61-4, STARD | 116 W | TO-61 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5288 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 10 A | - | NPN | 900mV @ 500 µA, 5 mA | - | - | ||||||||||||||
| Jansd2n3637ub/tr | 147.3102 | | 7813 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | UB | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jansd2N3637UB/TR | 50 | 175 V | 1 A | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 100 @ 50 mm, 10v | - | ||||||||||||||||
| Jansp2n222222aub/tr | 108.5100 | | 6971 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150-JANSP2N2222AUB/TR | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Jansr2n2222al | 100.9002 | | 6787 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANSR2N2222AL | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||
| Jankcbl2n3700 | - | | 5209 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/391 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankcbl2n3700 | 100 | 80 V | 1 A | 10NA | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||
| Jankccd2n3498 | - | | 2245 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankccd2n3498 | 100 | 100 V | 500 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||
| Jankcad2n3810 | - | | 8717 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500 /336 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N3810 | 350MW | Un 78-6 | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jankcad2n3810 | 100 | 60V | 50mera | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 250mv @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1 MMA, 5V | - | |||||||||||||||
 | Jantxv2n3810u/tr | 43.7171 | | 2898 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/336 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N3810 | 350MW | Un 78-6 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV2N3810U/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50mera | 10 µA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 250mv @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1 MMA, 5V | - | ||||||||||||
| Jan2n2814 | - | | 3525 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | 200 ° C (TJ) | Montaje | TO11MA, TO-210AC, TO-61-4, STARD | TO-61 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | 80 V | 10 A | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||
 | Jantxv2n4930u4 | - | | 3236 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/397 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U4 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 V | 200 MA | PNP | 1.2V @ 3 mm, 30 mA | 50 @ 30mA, 10V | - | |||||||||||||||
| Jansp2n5154l | 98.9702 | | 4939 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/544 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 W | TO-5AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANSP2N5154L | 1 | 80 V | 2 A | 50 µA | NPN | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||
| 2N5284 | 287.8650 | | 3608 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | TO10AA, TO-59-4, Stud | 50 W | TO-59 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5284 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 5 A | - | NPN | 1.5V @ 2.5mA, 5 Ma | - | - | ||||||||||||||
| 2N5794U/TR | 63.1883 | | 8959 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/495 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-SMD, sin Plomo | 2N5794 | 6-SMD | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-2N5794U/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 900mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||
| 2N5737 | 77.3850 | | 2775 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 87 W | TO-204AD (TO-3) | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5737 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 10 A | - | PNP | 500mV @ 500 µA, 5 mA | - | - | ||||||||||||||
| 2N3838 | 50.1809 | | 9133 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-flatpack | 2N380 | 350MW | 6-flatpack | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600mA | 10 µA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||
| Jansl2n2906aubc/tr | 306.0614 | | 7206 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UBC | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jansl2N2906Aubc/TR | 50 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||
 | Jantxv2n5793a | 138.7610 | | 3700 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/495 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N5793 | 600MW | Un 78-6 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 900mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||
| 2N3765UA | 71.9100 | | 2316 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 500 MW | Ua | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N3765UA | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 1.5 A | 100 µA | PNP | 900mv @ 100 mm, 1a | 20 @ 1.5a, 5V | - | ||||||||||||||
| Jankccl2n3500 | - | | 4323 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANKCCL2N3500 | 100 | 150 V | 300 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||
| 2C2605 | 16.3350 | | 6463 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-2C2605 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jankcbm2n3439 | - | | 8868 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/368 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 800 MW | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankcbm2n3439 | 100 | 350 V | 1 A | 2 µA | NPN | 500mv @ 4mA, 50 mA | 40 @ 20MA, 10V | - |
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