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Transistores (5714)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
APTGT300DA60D3G Microchip Technology Aptgt300da60d3g 160.0600
RFQ
 ECAD 9203 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo D-3 Aptgt300 940 W Estándar D3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 600 V 400 A 1.9V @ 15V, 300A 500 µA No 18.5 NF @ 25 V
JANTX2N6350 Microchip Technology Jantx2n6350 -
RFQ
 ECAD 1517 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/472 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AC, TO-33-4 METAL CAN 2N6350 1 W To-33 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 5 A - NPN - Darlington 1.5V @ 5MA, 5A 2000 @ 5a, 5V -
APT25GR120BD15 Microchip Technology APT25GR120BD15 6.9500
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Apt25gr120 Estándar 521 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 4.3OHM, 15V Escrutinio 1200 V 75 A 100 A 3.2V @ 15V, 25A 742 µJ (Encendido), 427 µJ (apaguado) 203 NC 16ns/122ns
2N2905AP Microchip Technology 2N2905AP 24.0750
RFQ
 ECAD 4931 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 600 MW TO-39 (TO-205Ad) - Alcanzar sin afectado 150-2N2905AP EAR99 8541.21.0095 1 60 V 600 mA 1 µA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
JANS2N3506AL Microchip Technology Jans2n3506al 70.3204
RFQ
 ECAD 8235 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/349 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 1 W TO-5AA - Alcanzar sin afectado 150-jans2n3506al 1 40 V 3 A 1 µA NPN 1.5V @ 250 Ma, 2.5a 50 @ 500mA, 1V -
2N4999 Microchip Technology 2N4999 324.3000
RFQ
 ECAD 5415 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - Montaje TO10AA, TO-59-4, Stud 35 W TO-59 - Alcanzar sin afectado 150-2N4999 EAR99 8541.29.0095 1 80 V 2 A - PNP - - -
APT28M120L Microchip Technology Apt28m120l 23.3200
RFQ
 ECAD 6000 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 8 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Apt28m120 Mosfet (Óxido de metal) To-264 [l] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1200 V 29a (TC) 10V 530mohm @ 14a, 10v 5V @ 2.5MA 300 NC @ 10 V ± 30V 9670 pf @ 25 V - 1135W (TC)
TN0604N3-G-P013 Microchip Technology TN0604N3-G-P013 1.1400
RFQ
 ECAD 5103 0.00000000 Tecnología de Microchip - Cinta y Caja (TB) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN0604 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 40 V 700 mA (TJ) 5V, 10V 750mohm @ 1.5a, 10V 1.6V @ 1 MMA ± 20V 190 pf @ 20 V - 740MW (TA)
JANSM2N2369AUB/TR Microchip Technology Jansm2n2369aub/tr 149.5210
RFQ
 ECAD 9573 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/317 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 2369a 360 MW UB - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jansm2n2369aub/tr EAR99 8541.21.0095 1 20 V 400NA NPN 450mv @ 10 Ma, 100 Ma 20 @ 100 maja, 1v -
LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150N3-G-P014 0.6800
RFQ
 ECAD 6783 0.00000000 Tecnología de Microchip - Cinta de Corte (CT) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) LND150 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 500 V 30 Ma (TJ) 0V 1000OHM @ 500 µA, 0V - ± 20V 10 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 740MW (TA)
APT8014JLL Microchip Technology Apt8014jll -
RFQ
 ECAD 1794 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Mosfet (Óxido de metal) ISOTOP® descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 800 V 42a (TC) 10V 140mohm @ 21a, 10v 5V @ 5MA 285 NC @ 10 V ± 30V 7238 pf @ 25 V - 595W (TC)
2C3765-MSCL Microchip Technology 2C3765-MSCL 8.4600
RFQ
 ECAD 8801 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-2C3765-MSCL 1
JANTX2N1893S Microchip Technology Jantx2n1893s 27.7172
RFQ
 ECAD 9692 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/182 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 2N1893 3 W TO-39 (TO-205Ad) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 500 mA 10 µA (ICBO) NPN 5V @ 15 Ma, 150 Ma 40 @ 150mA, 10V -
TP0606N3-G Microchip Technology TP0606N3-G 1.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Tecnología de Microchip - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) TP0606 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 320MA (TJ) 5V, 10V 3.5ohm @ 750 mm, 10v 2.4V @ 1MA ± 20V 150 pf @ 25 V - 1W (TC)
JANTX2N3724L Microchip Technology Jantx2n3724l -
RFQ
 ECAD 8715 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN A-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 30 V 500 mA - NPN - - -
APTGT75A120T1G Microchip Technology Aptgt75a120t1g 78.2900
RFQ
 ECAD 2285 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 Aptgt75 357 W Estándar SP1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Medio puente Parada de Campo de Trinchera 1200 V 110 A 2.1V @ 15V, 75a 250 µA Si 5.34 NF @ 25 V
TC8220K6-G Microchip Technology TC8220K6-G 2.5800
RFQ
 ECAD 7479 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 12-vfdfn almohadilla exposición TC8220 Mosfet (Óxido de metal) - 12-DFN (4x4) descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3,300 2 NY 2 Canal P 200V - 6ohm @ 1a, 10v 2.4V @ 1MA - 56pf @ 25V -
MSC40SM120JCU3 Microchip Technology MSC40SM120JCU3 45.0700
RFQ
 ECAD 9124 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MSC40SM120 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) SOT-227 (ISOTOP®) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-MSC40SM120JCU3 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1200 V 55A (TC) 20V 50mohm @ 40a, 20V 2.7V @ 1MA 137 NC @ 20 V +25V, -10V 1990 pf @ 1000 V - 245W (TC)
APT17F120J Microchip Technology APT17F120J 34.0700
RFQ
 ECAD 9357 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 8 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita APT17F120 Mosfet (Óxido de metal) ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1200 V 18a (TC) 10V 580mohm @ 14a, 10v 5V @ 2.5MA 300 NC @ 10 V ± 30V 9670 pf @ 25 V - 545W (TC)
APTC60AM24SCTG Microchip Technology Aptc60am24sctg 212.4600
RFQ
 ECAD 2191 0.00000000 Tecnología de Microchip Coolmos ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp4 APTC60 Mosfet (Óxido de metal) 462W Sp4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 N Canal (Pierna de Fase) 600V 95a 24mohm @ 47.5a, 10v 3.9V @ 5MA 300NC @ 10V 14400pf @ 25V Súper unión
JANKCBR2N2221A Microchip Technology Jankcbr2n2221a -
RFQ
 ECAD 3208 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/255 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 500 MW TO-18 (TO-206AA) - Alcanzar sin afectado 150-JANKCBR2N2221A 100 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 40 @ 150mA, 10V -
VN3205N3-G Microchip Technology VN3205N3-G 1.6700
RFQ
 ECAD 381 0.00000000 Tecnología de Microchip - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) VN3205 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 50 V 1.2a (TJ) 4.5V, 10V 300mohm @ 3a, 10v 2.4V @ 10mA ± 20V 300 pf @ 25 V - 1W (TC)
DN2540N3-G-P003 Microchip Technology DN2540N3-G-P003 1.0200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) DN2540 Mosfet (Óxido de metal) TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 400 V 120MA (TJ) 0V 25ohm @ 120mA, 0V - ± 20V 300 pf @ 25 V MODO DE AGOTAMENTO 1W (TC)
2N4858UB Microchip Technology 2N4858ub 87.6204
RFQ
 ECAD 1842 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 2N4858 360 MW 3-UB (3.09x2.45) - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 40 V 18pf @ 10V (VGS) 40 V 8 Ma @ 15 V 4 V @ 500 PA 60 ohmios
APTGTQ100DDA65T3G Microchip Technology Aptgtq100dda65t3g 95.0308
RFQ
 ECAD 2237 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Aptgtq100 250 W Estándar SP3F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Chopper de Doble Impulso - 650 V 100 A 2.2V @ 15V, 100A 100 µA Si 6 NF @ 25 V
2N6315 Microchip Technology 2N6315 45.6722
RFQ
 ECAD 5803 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO13AA, TO-66-2 2N6315 90 W TO-66 (TO-213AA) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 60 V 7 A 500 µA NPN 2V @ 1.75a, 7a 35 @ 500 mA, 4V -
2C3763-MSCLW Microchip Technology 2C3763-MSCLW 8.4600
RFQ
 ECAD 2249 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-2C3763-MSCLW 1
JANKCDF2N2907A Microchip Technology Jankcdf2n2907a -
RFQ
 ECAD 7878 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/291 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 500 MW TO-18 (TO-206AA) - Alcanzar sin afectado 150-jankcdf2n2907a 100 60 V 600 mA 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
MIC94051BM4TR Microchip Technology Mic94051bm4tr 0.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo Mic94051 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
APT40GP60J Microchip Technology Apt40gp60j 30.0700
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 Tecnología de Microchip Power MOS 7® Tubo Activo Monte del Chasis Isotop Apt40gp60 284 W Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero PT 600 V 86 A 2.7V @ 15V, 40A 250 µA No 4.61 NF @ 25 V
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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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