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Transistores (427)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CSD87350Q5D | 2.7500 |  | 14 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powerldfn | CSD87350Q5 | Mosfet (Óxido de metal) | 12W | 8-LSON (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 40A | 5.9mohm @ 20a, 8V | 2.1V @ 250 µA | 10.9nc @ 4.5V | 1770pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||
 | Csd19536kttt | 6.0500 | | 468 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-4, D²PAK (3 cables + Pestaña), TO-263AA | CSD19536 | Mosfet (Óxido de metal) | Ddpak/to-263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 200a (TA) | 6V, 10V | 2.4mohm @ 100a, 10V | 3.2V @ 250 µA | 153 NC @ 10 V | ± 20V | 12000 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||||||||
 | ULN2803CDWR | 1.2600 | | 4282 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 20-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | ULN2803 | - | 20-SOICO | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 50V | 500mA | 50 µA | 8 NPN Darlington | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | - | - | ||||||||||||||||
 | CSD17585F5 | 0.4900 | | 88 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | CSD17585 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.9a (TA) | 4.5V, 10V | 27mohm @ 900 mA, 10V | 1.7V @ 250 µA | 5.1 NC @ 10 V | 20V | 380 pf @ 15 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||
 | CSD185333QO5AT | 1.6200 | | 2 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD18533 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 60 V | 17A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 5.9mohm @ 18a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 2750 pf @ 30 V | - | 3.2W (TA), 116W (TC) | |||||||||||
| CSD17305Q5A | 0.6663 | | 4357 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17305 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 29a (TA), 100a (TC) | 3V, 8V | 3.4mohm @ 30a, 8V | 1.6V @ 250 µA | 18.3 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 2600 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||
 | CSD87330Q33DT | - | | 6172 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powerldfn | CSD87330 | Mosfet (Óxido de metal) | 6W (TA) | 8-LSON (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 296-CSD8733330Q3DT | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 20A (TA) | 9.45mohm @ 15a, 5V, 3.6mohm @ 15a, 5V | 2.1V @ 250 µA, 1.15V @ 250 µA | 5.8nc @ 4.5V, 11.5nc @ 4.5V | 900pf @ 15V, 1632pf @ 15V | Estándar | |||||||||||||
 | CSD23202W10T | 1.0000 | | 15 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA, DSBGA | CSD23202 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-DSBGA (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal P | 12 V | 2.2a (TA) | 1.5V, 4.5V | 53mohm @ 500 mA, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 3.8 NC @ 4.5 V | -6v | 512 pf @ 6 V | - | 1W (TA) | |||||||||||
 | CSD87501L | 1.0000 | | 9 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-xflga | CSD87501 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5w | 10-Picostar (3.37x1.47) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | - | - | - | 2.3V @ 250 µA | 40nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||
 | CSD19538Q2T | 1.1100 | | 5 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | CSD19538 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 100 V | 13.1a (TC) | 6V, 10V | 59mohm @ 5a, 10v | 3.8V @ 250 µA | 5.6 NC @ 10 V | ± 20V | 454 pf @ 50 V | - | 2.5W (TA), 20.2W (TC) | |||||||||||
| CSD18510Q5BT | 2.7700 | | 204 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD18510 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 40 V | 300A (TC) | 4.5V, 10V | 0.96mohm @ 32a, 10V | 2.3V @ 250 µA | 153 NC @ 10 V | ± 20V | 11400 pf @ 20 V | - | 156W (TC) | |||||||||||
 | CSD88584Q5DCT | 4.5200 | | 6077 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 22-POWERTFDFN | CSD88584Q5 | Mosfet (Óxido de metal) | 12W | 22-Vson-Clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 Canales N (Medio Puente) | 40V | - | 0.95mohm @ 30a, 10V | 2.3V @ 250 µA | 88nc @ 4.5V | 12400pf @ 20V | - | |||||||||||||
 | CSD25484F4 | 0.3800 | | 49 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD25484 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.5a (TA) | 1.8v, 8V | 94mohm @ 500 mA, 8V | 1.2V @ 250 µA | 1.42 NC @ 4.5 V | -12V | 230 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||
| Csd17313q2q1t | 0.8664 | | 2 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | CSD173 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 30 V | 5A (TA) | 3V, 8V | 30mohm @ 4a, 8V | 1.8V @ 250 µA | 2.7 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 340 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 17W (TC) | |||||||||||
| CSD23382F4T | 0.8800 | | 4 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD23382 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 12 V | 3.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 76mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 1.35 NC @ 4.5 V | ± 8V | 235 pf @ 6 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||
| CSD25310Q2T | 1.1600 | | 22 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | CSD25310Q2 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | Canal P | 20 V | 20A (TA) | 1.8V, 4.5V | 23.9mohm @ 5a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 4.7 NC @ 4.5 V | ± 8V | 655 pf @ 10 V | - | 2.9W (TA) | |||||||||||
 | CSD87313DMST | 2.2700 | | 1 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | CSD87313 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.7w | 8-wson (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 30V | - | - | 1.2V @ 250 µA | 28NC @ 4.5V | 4290pf @ 15V | - | |||||||||||||
| CSD17382F4T | 0.8800 | | 14 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD17382 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | N-canal | 30 V | 2.3a (TA) | 1.8v, 8V | 64mohm @ 500 mA, 8V | 1.2V @ 250 µA | 2.7 NC @ 4.5 V | 10V | 347 pf @ 15 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||
| Csd18535kttt | 3.9100 | | 26 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-4, D²PAK (3 cables + Pestaña), TO-263AA | CSD18535 | Mosfet (Óxido de metal) | Ddpak/to-263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 200a (TA), 279a (TC) | 4.5V, 10V | 2mohm @ 100a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 6620 pf @ 30 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
| CSD18541F5 | 0.4500 | | 8 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | CSD18541 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2.2a (TA) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 1a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 777 pf @ 30 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||
| CSD16325Q5 | 2.0700 | | 10 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD16325 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 33A (TA), 100A (TC) | 3V, 8V | 2mohm @ 30a, 8V | 1.4V @ 250 µA | 25 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 4000 pf @ 12.5 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||
| CSD17310Q5A | 0.9500 | | 30 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17310 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 21a (TA), 100a (TC) | 3V, 8V | 5.1mohm @ 20a, 8V | 1.8V @ 250 µA | 11.6 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 1560 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||
 | CSD16322Q5C | 1.4500 | | 149 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD1632 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Son | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 21a (TA), 97a (TC) | 3V, 8V | 5mohm @ 20a, 8V | 1.4V @ 250 µA | 9.7 NC @ 4.5 V | +10V, -8V | 1365 pf @ 12.5 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||
| Csd25483f4t | 0.9400 | | 2 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Femtofet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | CSD25483 | Mosfet (Óxido de metal) | 3-Picostar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 250 | Canal P | 20 V | 1.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 205mohm @ 500 mA, 8V | 1.2V @ 250 µA | 0.96 NC @ 4.5 V | -12V | 198 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | |||||||||||
 | CSD25402Q3A | 0.9200 | | 53 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | CSD25402Q3 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Vsonp (3x3.15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 76a (TC) | 1.8V, 4.5V | 8.9mohm @ 10a, 4.5V | 1.15V @ 250 µA | 9.7 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1790 pf @ 10 V | - | 2.8W (TA), 69W (TC) | |||||||||||
| CSD25213W10 | 0.4700 | | 13 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA, DSBGA | CSD25213 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-DSBGA (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 47mohm @ 1a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 2.9 NC @ 4.5 V | -6v | 478 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | |||||||||||
 | Csd18533kcs | 1.7000 | | 2 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | CSD18533 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 72a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 75a, 10V | 2.3V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 3025 pf @ 30 V | - | 192W (TC) | |||||||||||
 | CSD17318Q2 | 0.5400 | | 268 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | CSD17318 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-wson (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 25A (TC) | 2.5V, 8V | 15.1mohm @ 8a, 8V | 1.2V @ 250 µA | 6 NC @ 4.5 V | ± 10V | 879 pf @ 15 V | - | 16W (TC) | |||||||||||
| CSD17559Q5T | 3.1800 | | 396 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CSD17559 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-vson-clip (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | N-canal | 30 V | 100A (TA) | 4.5V, 10V | 1.15mohm @ 40a, 10V | 1.7V @ 250 µA | 51 NC @ 4.5 V | ± 20V | 9200 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 96W (TC) | |||||||||||
 | CSD25304W1015 | 0.5000 | | 3 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA, DSBGA | CSD25304 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-DSBGA (1x1.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 32.5mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.15V @ 250 µA | 4.4 NC @ 4.5 V | ± 8V | 595 pf @ 10 V | - | 750MW (TA) |
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