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Transistores (4003)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
BLF6G20S-45112	-	RFQ	8282	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										-	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0075	1
A2V07H525-04NR6	98.0779	RFQ	9206	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	105 V		Montaje en superficie	OM-1230-4L	A2V07	595MHz ~ 851MHz	Ldmos		OM-1230-4L	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	935339924528	EAR99	8541.29.0075	150			10 µA	700 Ma	120W	17.5dB											-			48 V
PMGD175XN, 115	-	RFQ	6582	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	PMGD1		Mosfet (Óxido de metal)	390MW	6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal N (Dual)						30V	900mA		225mohm @ 1a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	1.1NC @ 4.5V		75pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
BCW61C/DG/B2215	0.0200	RFQ	117	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	3.000
MRFE6VP6300HSR5	124.2016	RFQ	9437	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	130 V		Montaje en superficie	Ni-780S-4L	Mrfe6	230MHz	Ldmos		Ni-780S-4L	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	935314385178	EAR99	8541.29.0075	50	Dual		-	100 mA	300W	26.5db											-			50 V
BUK7880-55,135	-	RFQ	4435	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	Buk78		Mosfet (Óxido de metal)		SC-73	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal					55 V	3.5a (TA)	10V	80mohm @ 5a, 10v	4V @ 1MA		± 16V	500 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
PSMN2R4-30MLD115	-	RFQ	9137	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	1.500
Bfu580g115	1.0000	RFQ	2079	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0075	1,000
PEMD3,315	-	RFQ	7626	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	PEMD3			300MW	Sot-666	descascar					EAR99	8541.21.0095	1																		50V	100mA		1 µA	1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual)	150mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5MA, 5V	-	10 kohms	10 kohms
PDTA143ZS, 126	-	RFQ	5241	NXP USA Inc.	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	PDTA143			500 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	2,000																		50 V	100 mA		1 µA	PNP - Pre -Sesgado	100mv @ 250 µA, 5 mA	100 @ 10mA, 5V		4.7 kohms	47 kohms
PMN22XN, 115	-	RFQ	6116	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457	PMN2		Mosfet (Óxido de metal)		SC-74	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal					30 V	5.7a (TA)	2.5V, 4.5V	27mohm @ 5.7a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	10 NC @ 4.5 V	± 12V	585 pf @ 15 V	-	545MW (TA), 6.25W (TC)
PDTC143XM315	0.0200	RFQ	103	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar					EAR99	8541.21.0075	15,000
PEMB1,115	0.0400	RFQ	62	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	PEMB1			300MW	Sot-666	descascar					EAR99	8541.21.0095	1																		50V	100mA		1 µA	2 PNP - Precializado (dual)	150mv @ 500 µA, 10 mA	60 @ 5MA, 5V	-	22 kohms	22 kohms
BFG540/XR, 215	-	RFQ	3122	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sot-143r	Bfg54			400MW	Sot-143r	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000						-												15V	120 Ma			NPN		100 @ 40mA, 8V	9 GHz			1.3db ~ 2.4db @ 900MHz
BUK9520-55A, 127	-	RFQ	8220	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Buk95		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					55 V	54a (TC)	4.5V, 10V	18mohm @ 25A, 10V	2v @ 1 mapa		± 10V	2210 pf @ 25 V	-	118W (TC)
MRFE6S9046GNR1	-	RFQ	3323	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	66 V		Montaje en superficie	Un 270bb	Mrfe6	960MHz	Ldmos		TO70 WB-4 GUALL	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	935314093528	5A991G	8541.29.0075	500			-	300 mA	35.5W	19dB											-			28 V
MRF24G300HS-2STG	900.0000	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	125 V		Montaje en superficie	Ni-780S-4L		2.4GHz ~ 2.5GHz	Ganancia		Ni-780S-4L	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	568-MRF24G300HS-2STG	EAR99	8541.29.0075	1			-		336W	15.3db											-			48 V
MRF24301HR5	-	RFQ	9656	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto			Monte del Chasis	Sot-957a	MRF24	2.4GHz ~ 2.5GHz	Ldmos		NI-780H-2L	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	50			-		300W	13.5dB											-
Buk7108-40aie, 118	0.8100	RFQ	1	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-5, d²pak (4 cables + pestaña), un 263bb			Mosfet (Óxido de metal)		Sot-426	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal					40 V	75A (TC)	10V	8mohm @ 50a, 10v	4V @ 1MA	84 NC @ 10 V	± 20V	3140 pf @ 25 V	Detección real	221W (TC)
Buk761r5-40eJ	-	RFQ	1259	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Buk76		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934067767118	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					40 V	120a (TC)	10V	1.51mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	145 NC @ 10 V	± 20V	11340 pf @ 25 V	-	349W (TC)
Bc847cqaz	0.0300	RFQ	84	NXP USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición 3-xdfn				280 MW	DFN1010D-3	descascar					EAR99	8541.21.0075	9,947																		45 V	100 mA		15NA (ICBO)	NPN	400mv @ 5 Ma, 100 Ma	420 @ 2mA, 5V	100MHz
BC635-16,126	-	RFQ	4674	NXP USA Inc.	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	BC63			830 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	2,000																		45 V	1 A		100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50 mA, 500 mA	100 @ 150mA, 2V	180MHz
Buk9e4r9-60e, 127	-	RFQ	3068	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Buk9		Mosfet (Óxido de metal)		I2pak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					60 V	100A (TC)	5V, 10V	4.5mohm @ 25A, 10V	2.1V @ 1MA	65 NC @ 5 V	± 10V	9710 pf @ 25 V	-	234W (TC)
BSR16/LF1R	-	RFQ	4087	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BSR1				SOT-23 (TO-236AB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000
PEMH17,115	0.0400	RFQ	24	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	PEMH17			300MW	Sot-666	descascar					EAR99	8541.21.0095	1																		50V	100mA		1 µA	2 NPN - Precializado (dual)	150mv @ 500 µA, 10 mA	60 @ 5MA, 5V	-	47 kohms	22 kohms
PDTB123YU115	0.0300	RFQ	75	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	3.000
BCW66G215	1.0000	RFQ	5035	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar						0000.00.0000	1
ON5451,518	-	RFQ	1667	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo				-	ON5451	-	-		-	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	934063297518	EAR99	8541.29.0095	2,000	-		-		-	-											-
PMBT3904/8,215	-	RFQ	4537	NXP USA Inc.	*	Tape & Reel (TR)	Activo					PMBT3904					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934064819215	EAR99	8541.29.0095	3.000
Php63nq03lt, 127	-	RFQ	6309	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Php63		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					30 V	68.9a (TC)	5V, 10V	13mohm @ 25A, 10V	2.5V @ 1MA	9.6 NC @ 5 V	± 20V	920 pf @ 25 V	-	111W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²