SIC
close
Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
MRF7S24250NR3 NXP USA Inc. MRF7S24250NR3 139.4500
RFQ
ECAD 144 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie OM-780-2 MRF7 2.45 GHz Ldmos OM-780-2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 100 mA 256W 14.7db - 30 V
PDTA123JS,126 NXP USA Inc. PDTA123JS, 126 -
RFQ
ECAD 2541 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PDTA123 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 100mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 10mA, 5V 2.2 kohms 47 kohms
PBLS1502Y,115 NXP USA Inc. PBLS1502Y, 115 0.0700
RFQ
ECAD 79 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 PBLS1502 300MW Sot-363 descascar EAR99 8541.21.0075 4.873 50V, 15V 100 Ma, 500 Ma 1 µA, 100NA 1 NPN Pre-Sesgado, 1 PNP 150mv @ 500 µA, 10 mm / 250mv @ 50 mm, 500 mA 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100 mm, 2V 280MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
A2T27S020NR1 NXP USA Inc. A2T27S020NR1 8.4350
RFQ
ECAD 1041 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 65 V Montaje en superficie Un 270-2 A2T27 400MHz ~ 2.7GHz Ldmos Un 270-2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935331771528 EAR99 8541.29.0075 500 10 µA 185 Ma 20W 21db - 28 V
PSMN4R0-30YL,115 NXP USA Inc. PSMN4R0-30YL, 115 -
RFQ
ECAD 9029 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PSMN4 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500
BF1105WR,115 NXP USA Inc. BF1105WR, 115 -
RFQ
ECAD 1823 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 7 V Montaje en superficie SC-82A, SOT-343 BF110 800MHz Mosfet CMPAK-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal de Puerta de Doble 30mera - 20dB 1.7db 5 V
BFR93AW135 NXP USA Inc. BFR93AW135 0.0900
RFQ
ECAD 96 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 10,000
ON5421,127 NXP USA Inc. ON5421,127 -
RFQ
ECAD 8402 0.00000000 NXP USA Inc. - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 ON54 - - Un 220b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934060114127 EAR99 8541.29.0095 50 - - - - -
BC860B,215 NXP USA Inc. BC860B, 215 0.0200
RFQ
ECAD 152 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BC86 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
PSMN7R8-120ESQ NXP USA Inc. PSMN7R8-120ESQ 1.0800
RFQ
ECAD 430 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA PSMN7R8 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 N-canal 120 V 70A (TC) 10V 7.9mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 167 NC @ 10 V ± 20V 9473 pf @ 60 V - 349W (TC)
ON5252,118 NXP USA Inc. ON5252,118 -
RFQ
ECAD 2866 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 ON52 - - Dpak - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934057684118 EAR99 8541.29.0095 2.500 - - - - -
PDTD113EK,115 NXP USA Inc. Pdtd113ek, 115 -
RFQ
ECAD 7770 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTD113 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 500 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 33 @ 50mA, 5V 1 kohms 1 kohms
BUK9E3R2-40B,127 NXP USA Inc. Buk9e3r2-40b, 127 -
RFQ
ECAD 4450 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Buk9 Mosfet (Óxido de metal) I2pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 100A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25A, 10V 2v @ 1 mapa 94 NC @ 5 V ± 15V 10502 pf @ 25 V - 300W (TC)
A2T08VD020NT1 NXP USA Inc. A2T08VD020NT1 7.8000
RFQ
ECAD 5552 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 105 V Montaje en superficie 24-PowerQFN A2T08 728MHz ~ 960MHz Ldmos 24-PQFN-EP (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935322283528 EAR99 8541.29.0075 1,000 10 µA 40 Ma 18W 19.1db - 48 V
PBSS5250T,215 NXP USA Inc. PBSS5250T, 215 1.0000
RFQ
ECAD 9036 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS5250 480 MW To-236ab descascar 0000.00.0000 1 50 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 100 mm, 2a 200 @ 1a, 2v 100MHz
BCX70J,235 NXP USA Inc. BCX70J, 235 0.0200
RFQ
ECAD 9735 0.00000000 NXP USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW Sot-23 descascar EAR99 8541.21.0075 13,000 45 V 100 mA 20NA (ICBO) NPN 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 250 @ 2mA, 5V 250MHz
MRF6V2010GNR5 NXP USA Inc. MRF6V2010GNR5 -
RFQ
ECAD 4474 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 110 V A-270BA MRF6 220MHz Ldmos Un 270G-2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 30 Ma 10W 23.9db - 50 V
BC327,412 NXP USA Inc. BC327,412 -
RFQ
ECAD 6867 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC32 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 80MHz
MRFE6VS25GNR1528 NXP USA Inc. MRFE6VS25GNR1528 -
RFQ
ECAD 2638 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.29.0075 1
MRFG35003N6T1 NXP USA Inc. MRFG35003N6T1 -
RFQ
ECAD 2223 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 8 V Montaje en superficie PLD-1.5 MRFG35 3.55 GHz fet fet PLD-1.5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 - 180 Ma 3W 9db - 6 V
A2T21H410-24SR6 NXP USA Inc. A2T21H410-24SR6 -
RFQ
ECAD 1483 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis NI-1230-4LS2L A2T21 2.17GHz Ldmos NI-1230-4LS2L descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 935312756128 EAR99 8541.29.0075 150 Dual - 600 mA 72W 15.6db - 28 V
PHM25NQ10T,518 NXP USA Inc. PHM25NQ10T, 518 -
RFQ
ECAD 1684 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn PHM25 Mosfet (Óxido de metal) 8-HVSON (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 30.7a (TC) 10V 30mohm @ 10a, 10v 4V @ 1MA 26.6 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 20 V - 62.5W (TC)
PSMN1R7-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN1R7-25YLC, 115 -
RFQ
ECAD 1319 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-100, SOT-669 PSMN1 Mosfet (Óxido de metal) LFPAK56, POWER-SO8 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 25 V 100A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 25A, 10V 1.95V @ 1MA 59 NC @ 10 V ± 20V 3735 pf @ 12 V - 164W (TC)
MRF5S9080NBR1,528 NXP USA Inc. MRF5S9080NBR1,528 51.1200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.29.0075 1
BLF4G20-110B,112 NXP USA Inc. BLF4G20-110B, 112 -
RFQ
ECAD 8688 0.00000000 NXP USA Inc. - Banda Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-502a BLF4 1.93GHz ~ 1.99GHz Ldmos Más descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 60 12A 700 Ma 100W 13.5dB - 28 V
BCM857BS,115 NXP USA Inc. BCM857BS, 115 -
RFQ
ECAD 8067 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BCM85 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
PDTA123JQA147 NXP USA Inc. PDTA123JQA147 0.0300
RFQ
ECAD 125 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 5,000
2PC4081R135 NXP USA Inc. 2PC4081R135 -
RFQ
ECAD 6453 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.21.0075 1
BFQ19,115 NXP USA Inc. BFQ19,115 -
RFQ
ECAD 5940 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BFQ19 1W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 - 15V 100mA NPN 25 @ 70 mm, 10v 5.5 GHz 3.3dB @ 500MHz
AFT21S220W02SR3 NXP USA Inc. AFT21S220W02SR3 -
RFQ
ECAD 6828 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Ni-780s AFT21 2.14 GHz Ldmos Ni-780s - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 935311938128 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.2 A 50W 19.1db - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock