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Transistores (4003)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFR93AW135 | 0.0900 |  | 96 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ON5421,127 | - | | 8402 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | ON54 | - | - | Un 220b | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934060114127 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | BC860B, 215 | 0.0200 | | 152 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BC86 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN7R8-120ESQ | 1.0800 | | 430 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | PSMN7R8 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 120 V | 70A (TC) | 10V | 7.9mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 167 NC @ 10 V | ± 20V | 9473 pf @ 60 V | - | 349W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | ON5252,118 | - | | 2866 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | ON52 | - | - | Dpak | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934057684118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | Pdtd113ek, 115 | - | | 7770 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTD113 | 250 MW | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 33 @ 50mA, 5V | 1 kohms | 1 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | Buk9e3r2-40b, 127 | - | | 4450 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Buk9 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | 94 NC @ 5 V | ± 15V | 10502 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| A2T08VD020NT1 | 7.8000 | | 5552 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 105 V | Montaje en superficie | 24-PowerQFN | A2T08 | 728MHz ~ 960MHz | Ldmos | 24-PQFN-EP (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935322283528 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 10 µA | 40 Ma | 18W | 19.1db | - | 48 V | |||||||||||||||||||||||||
 | PBSS5250T, 215 | 1.0000 | | 9036 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PBSS5250 | 480 MW | To-236ab | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 2 A | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 100 mm, 2a | 200 @ 1a, 2v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6V12500HR5 | 623.6300 | | 205 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 110 V | Monte del Chasis | Sot-957a | MRF6V12500 | 1.03GHz | Ldmos | NI-780H-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 200 MA | 500W | 19.7dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | BCX70J, 235 | 0.0200 | | 9735 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 13,000 | 45 V | 100 mA | 20NA (ICBO) | NPN | 550mv @ 1.25 mA, 50 mA | 250 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6V2010GNR5 | - | | 4474 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 110 V | A-270BA | MRF6 | 220MHz | Ldmos | Un 270G-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 30 Ma | 10W | 23.9db | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | PHX20N06T, 127 | - | | 1562 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Phx20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 12.9a (TC) | 10V | 75mohm @ 10a, 10v | 4V @ 1MA | 9.8 NC @ 10 V | ± 20V | 320 pf @ 25 V | - | 23W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BC327,412 | - | | 6867 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BC32 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6VS25GNR1528 | - | | 2638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bc54pas115 | 1.0000 | | 7156 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFG35003N6T1 | - | | 2223 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 V | Montaje en superficie | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55 GHz | fet fet | PLD-1.5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 180 Ma | 3W | 9db | - | 6 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | A2T21H410-24SR6 | - | | 1483 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-1230-4LS2L | A2T21 | 2.17GHz | Ldmos | NI-1230-4LS2L | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935312756128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - | 600 mA | 72W | 15.6db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
 | PHM25NQ10T, 518 | - | | 1684 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | PHM25 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HVSON (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 30.7a (TC) | 10V | 30mohm @ 10a, 10v | 4V @ 1MA | 26.6 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 20 V | - | 62.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | PSMN1R7-25YLC, 115 | - | | 1319 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | PSMN1 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 25 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 25A, 10V | 1.95V @ 1MA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 3735 pf @ 12 V | - | 164W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| MRF5S9080NBR1,528 | 51.1200 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2PC4617S, 115 | - | | 9332 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | 2PC46 | 150 MW | SC-75 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 200 MV a 5 mm, 50 Ma | 270 @ 1 MMA, 6V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | BLF4G20-110B, 112 | - | | 8688 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Sot-502a | BLF4 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | Ldmos | Más | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 60 | 12A | 700 Ma | 100W | 13.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
| BCM857BS, 115 | - | | 8067 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BCM85 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSH205G2235 | - | | 4171 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA123JQA147 | 0.0300 | | 125 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2PC4081R135 | - | | 6453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PUMD20,115 | - | | 3234 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Pumd20 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFQ19,115 | - | | 5940 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | BFQ19 | 1W | SOT-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 15V | 100mA | NPN | 25 @ 70 mm, 10v | 5.5 GHz | 3.3dB @ 500MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143ES, 126 | - | | 5268 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTC143 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10mA, 5V | 4.7 kohms | 4.7 kohms |
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