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Transistores (4003)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
MRF6P18190HR5	-	RFQ	4872	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	68 V		Monte del Chasis	NI-1230	MRF6	1.88GHz	Ldmos		NI-1230	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	50			-	2 A	44W	15.9dB											-			28 V
PEMB17,115	0.0400	RFQ	266	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					PEMB1					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	4.000
Buk754r7-60e, 127	-	RFQ	1264	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Buk75		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					60 V	100A (TC)	10V	4.6mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	82 NC @ 10 V	± 20V	6230 pf @ 25 V	-	234W (TC)
PDTB123EU135	0.0300	RFQ	39	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	10,000
PMPB20UN, 115	-	RFQ	2967	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-udfn almohadilla exposición	PMPB2		Mosfet (Óxido de metal)		6-DFN2020MD (2x2)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal					20 V	6.6a (TA)	1.8V, 4.5V	25mohm @ 6.6a, 4.5V	1V @ 250 µA	7.1 NC @ 4.5 V	± 8V	460 pf @ 10 V	-	1.7W (TA), 12.5W (TC)
MRF6V14300HR3	-	RFQ	6659	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	100 V		Monte del Chasis	Sot-957a	MRF6	1.4GHz	Ldmos		NI-780H-2L	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	250			-	150 Ma	330W	18dB											-			50 V
Buk9907-40atc, 127	-	RFQ	4375	NXP USA Inc.	*	Tubo	Activo					Buk99					-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000
BC54-16pas115	-	RFQ	6087	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	3.000
MRF5S19060NBR1	-	RFQ	5540	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	Un 272bb	MRF5	1.99 GHz	Ldmos		Un 272 WB-4	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	500			-	750 Ma	12W	14dB											-			28 V
MRFE6S9160HSR5	-	RFQ	4154	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	66 V		Monte del Chasis	Ni-780s	Mrfe6	880MHz	Ldmos		Ni-780s	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	50			-	1.2 A	35W	21db											-			28 V
MRF6S9160HSR3	-	RFQ	8085	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	68 V		Monte del Chasis	Ni-780s	MRF6	880MHz	Ldmos		Ni-780s	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	250			-	1.2 A	35W	20.9db											-			28 V
MMRF1314H-1200	1.0000	RFQ	2907	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo	105 V		Monte del Chasis	Sot-979a		1.2GHz ~ 1.4GHz	LDMOS (dual)		NI-1230-4H	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	568-MMRF1314H-1200			1	2 Canal		10 µA	100 mA	1000W	17.7db											-			52 V
ON5204,127	-	RFQ	1604	NXP USA Inc.	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	A 220-5 clientes Potenciales Formados	ON52	-	-		SOT263B-01	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934056348127	EAR99	8541.29.0095	1,000	-		-		-	-											-
MRFE6VP8600HR6	-	RFQ	8560	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	130 V		Monte del Chasis	NI-1230	Mrfe6	860MHz	Ldmos		NI-1230	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		5A991G	8541.29.0075	150	Dual		-	1.4 A	125W	19.3db											-			50 V
PDTC123JS, 126	-	RFQ	8061	NXP USA Inc.	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	PDTC123			500 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	2,000																		50 V	100 mA		1 µA	NPN - Pre -Sesgado	100mv @ 250 µA, 5 mA	100 @ 10mA, 5V		2.2 kohms	47 kohms
2PC4617R, 135	-	RFQ	6811	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-75, SOT-416	2PC46			150 MW	SC-75	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	10,000																		50 V	150 Ma		100NA (ICBO)	NPN	200 MV a 5 mm, 50 Ma	180 @ 1 MMA, 6V	100MHz
MRF8S9260HSR3	-	RFQ	4924	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	70 V		Montaje en superficie	NI-880S	MRF8	960MHz	Ldmos		NI-880S	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado	935319595128	EAR99	8541.29.0075	250			-	1.7 A	75W	18.6db											-			28 V
BUK961R4-30E, 118	-	RFQ	6794	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Buk96		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal					30 V	120a (TC)	5V, 10V	1.4mohm @ 25A, 5V	2.1V @ 1MA	113 NC @ 5 V	± 10V	16150 pf @ 25 V	-	357W (TC)
BUK9230-55A/C1118	0.2900	RFQ	31	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	2.500
Buk9107-55ate, 118	1.0000	RFQ	2160	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-5, d²pak (4 cables + pestaña), un 263bb			Mosfet (Óxido de metal)		Sot-426	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar Afectados		EAR99	0000.00.0000	1		N-canal					55 V	75A (TC)	4.5V, 10V	6.2mohm @ 50A, 10V	2v @ 1 mapa	108 NC @ 5 V	± 15V	5836 pf @ 25 V	Diodo de Deteca de Temperatura	272W (TC)
Bc857qasx	-	RFQ	8946	NXP USA Inc.	*	Tape & Reel (TR)	Activo					BC857					-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934068723115	EAR99	8541.21.0095	5,000
BFG31,115	-	RFQ	7404	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BFG31			1W	SC-73	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000						-												15V	100mA			PNP		25 @ 70 mm, 10v	5GHz			-
BLT70,115	-	RFQ	6394	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BLT7			2.1w	SC-73	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000						-												8V	250 Ma			NPN		25 @ 100 mapa, 4.8v	900MHz			-
2PD1820AQ, 115	-	RFQ	3985	NXP USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	2PD18			200 MW	SC-70	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																		50 V	500 mA		10NA (ICBO)	NPN	600mv @ 30 mA, 300 mA	85 @ 150mA, 10V	150MHz
PMWD30UN, 518	-	RFQ	7829	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	PMWD30		Mosfet (Óxido de metal)	2.3w	8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)						30V	5A		33mohm @ 3.5a, 4.5V	700mv @ 1 MMA	28nc @ 5V		1478pf @ 10V	Puerta de Nivel Lógico
PDTA323TK, 115	-	RFQ	1479	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA32			250 MW	Smt3; Mpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																		15 V	500 mA		500NA	PNP - Pre -Sesgado	80mv @ 2.5ma, 50 mA	100 @ 50mA, 5V		2.2 kohms
BC517,112	-	RFQ	7387	NXP USA Inc.	-	Una granela	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	BC51			625 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	1,000																		30 V	500 mA		100NA (ICBO)	NPN - Darlington	1V @ 100 µA, 100 mA	30000 @ 20MA, 2V	220MHz
PMV50EPEAR	1.0000	RFQ	8964	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PMV50		Mosfet (Óxido de metal)		Sot-23	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		Canal P					30 V	4.2a (TA)	4.5V, 10V	45mohm @ 4.2a, 10V	3V @ 250 µA	19.2 NC @ 10 V	± 20V	793 pf @ 15 V	-	310MW (TA), 455MW (TC)
MRF5S21045NR1	-	RFQ	1347	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	68 V		Montaje en superficie	Un 270ab	MRF5	2.12 GHz	Ldmos		Un 270 WB-4	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	500			-	500 mA	10W	14.5dB											-			28 V
BLL6H0514LS-130112	-	RFQ	5119	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0075	1

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²