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Transistores (4003)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC859CW, 115 | 0.0200 |  | 4687 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7e2r7-30b, 127 | - | | 6208 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Buk7 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 10V | 2.7mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 91 NC @ 10 V | ± 20V | 6212 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | MRF8S9260HR5 | - | | 8801 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 70 V | Monte del Chasis | Sot-957a | MRF8 | 960MHz | Ldmos | NI-880H-2L | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935317145178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.7 A | 75W | 18.6db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
 | BCV71,215 | 0.0200 | | 148 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 60 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 210 MV @ 2.5mA, 50 Ma | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMB17,115 | 0.0400 | | 266 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PEMB1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk762r6-40e/gfj | - | | 7264 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Buk76 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S9125MR1 | - | | 6367 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Un 270-4 | MRF6 | 880MHz | Ldmos | Un 270 WB-4 | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950 Ma | 27W | 20.2db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
| BCX70G, 215 | - | | 7897 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BCX70 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6P18190HR5 | - | | 4872 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Monte del Chasis | NI-1230 | MRF6 | 1.88GHz | Ldmos | NI-1230 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 2 A | 44W | 15.9dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
 | PDTA143TK, 115 | - | | 5976 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTA143 | 250 MW | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 250 µA, 5 mA | 200 @ 1 mapa, 5v | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | Pdta114yu | 1.0000 | | 4603 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk662r7-55c, 118 | - | | 9034 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 55 V | 120a (TC) | 10V | 2.7mohm @ 25A, 10V | 2.8V @ 1MA | 258 NC @ 10 V | ± 16V | 15300 pf @ 25 V | - | 306W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| PDTC123TT, 215 | 0.0200 | | 42 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTC123 | 250 MW | Sot-23 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20MA, 5V | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA124XMB, 315 | 0.0200 | | 154 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-101, SOT-883 | PDTA124 | 250 MW | DFN1006B-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5MA, 5V | 180 MHz | 22 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9Y65-100E, 115 | 1.0000 | | 4295 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 19a (TC) | 5V | 63.3mohm @ 5a, 10v | 2.1V @ 1MA | 14 NC @ 5 V | ± 10V | 1523 pf @ 25 V | - | 64W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | PMN27UP, 115-NXP | - | | 2799 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5.7a (TA) | 32mohm @ 2.4a, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 31 NC @ 4.5 V | ± 8V | 2340 pf @ 10 V | - | 540MW (TA), 6.25W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| PDTB123EU135 | 0.0300 | | 39 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk754r7-60e, 127 | - | | 1264 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Buk75 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 100A (TC) | 10V | 4.6mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 82 NC @ 10 V | ± 20V | 6230 pf @ 25 V | - | 234W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | PMPB20UN, 115 | - | | 2967 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | PMPB2 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-DFN2020MD (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 25mohm @ 6.6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 7.1 NC @ 4.5 V | ± 8V | 460 pf @ 10 V | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | |||||||||||||||||||||
| ON5262,127 | - | | 8289 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | ON5262 | - | - | Un 220b | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934058089127 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S21090HSR3 | - | | 5055 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Ni-780s | MRF5 | 2.11GHz | Ldmos | Ni-780s | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 850 Ma | 19W | 14.5dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6S9160HR5 | - | | 8242 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 66 V | Monte del Chasis | Sot-957a | Mrfe6 | 880MHz | Ldmos | NI-780H-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.2 A | 35W | 21db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
| BC807-25W, 115 | 0.0200 | | 133 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BC80 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4160QA147 | 0.0600 | | 290 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PQMD12147 | - | | 2752 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF13750HR5 | 201.2460 | | 3451 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 105 V | Monte del Chasis | Sot-979a | MRF13750 | 700MHz ~ 1.3GHz | Ldmos | NI-1230-4H | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | 10 µA | 650W | 20.6db | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||
 | PUMD12/L135 | 0.0300 | | 82 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU725F/N1/S115 | 1.0000 | | 7446 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9606-55B, 118 | 0.6800 | | 7 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | Buk96 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pmn45en, 135 | 0.1800 | | 450 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 10,000 | N-canal | 30 V | 5.2a (TC) | 40mohm @ 3a, 10v | 2v @ 1 mapa | 6.1 NC @ 4.5 V | 20V | 495 pf @ 25 V | - | 1.75W (TC) |
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