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Transistores (4003)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PDTA115ES, 126 | - |  | 4836 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTA115 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 20 Ma | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 5MA, 5V | 100 kohms | 100 kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | PHX20N06T, 127 | - | | 1562 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Phx20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 12.9a (TC) | 10V | 75mohm @ 10a, 10v | 4V @ 1MA | 9.8 NC @ 10 V | ± 20V | 320 pf @ 25 V | - | 23W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | MRF8S19260HSR6 | - | | 5639 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | SOT-1110B | MRF8 | 1.99 GHz | Ldmos | NI1230S-8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 935310356128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - | 1.6 A | 74W | 18.2db | - | 30 V | |||||||||||||||||||||||
 | BC327,412 | - | | 6867 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BC32 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | Mrfe6vs25nr1 | 35.3500 | | 9281 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 133 V | Montaje en superficie | Un 270AA | Mrfe6 | 512MHz | Ldmos | Un 270-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | - | 10 Ma | 25W | 25.4db | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||
| MRFE6VS25GNR1528 | - | | 2638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bc54pas115 | 1.0000 | | 7156 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC144VS, 126 | - | | 8258 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTC144 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 40 @ 5MA, 5V | 47 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | MRFG35003N6T1 | - | | 2223 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 V | Montaje en superficie | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55 GHz | fet fet | PLD-1.5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 180 Ma | 3W | 9db | - | 6 V | |||||||||||||||||||||||||
| PDTA124TS, 126 | - | | 6291 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTA124 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | A2T21H410-24SR6 | - | | 1483 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-1230-4LS2L | A2T21 | 2.17GHz | Ldmos | NI-1230-4LS2L | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935312756128 | EAR99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - | 600 mA | 72W | 15.6db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||
 | PHM25NQ10T, 518 | - | | 1684 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | PHM25 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HVSON (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 30.7a (TC) | 10V | 30mohm @ 10a, 10v | 4V @ 1MA | 26.6 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 20 V | - | 62.5W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | PEMZ7315 | - | | 1747 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK78150-55A, 135 | - | | 5208 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Buk78 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-73 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 55 V | 5.5a (TC) | 10V | 150mohm @ 5a, 10v | 4V @ 1MA | ± 20V | 230 pf @ 25 V | - | 8W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | PSMN1R7-25YLC, 115 | - | | 1319 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | PSMN1 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 25 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 25A, 10V | 1.95V @ 1MA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 3735 pf @ 12 V | - | 164W (TC) | |||||||||||||||||||||
| MRF5S9080NBR1,528 | 51.1200 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2PC4617S, 115 | - | | 9332 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | 2PC46 | 150 MW | SC-75 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 200 MV a 5 mm, 50 Ma | 270 @ 1 MMA, 6V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | AFT21S230-12SR3 | - | | 6356 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Ni-780s | AFT21 | 2.11GHz | Ldmos | Ni-780s | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935314934128 | 5A991G | 8541.29.0040 | 250 | - | 1.5 A | 50W | 16.7db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
| MMRF1008HSR5 | - | | 7453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 100 V | Monte del Chasis | Ni-780s | Mmrf1 | 1.03GHz | Ldmos | Ni-780s | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935311734178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 100 mA | 275W | 20.3db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||
 | PMN23UN, 135 | - | | 2077 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | PMN2 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-74 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | N-canal | 20 V | 6.3a (TC) | 1.8V, 4.5V | 28mohm @ 2a, 4.5V | 700mv @ 1MA (typ) | 10.6 NC @ 4.5 V | ± 8V | 740 pf @ 10 V | - | 1.75W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | BLF4G20-110B, 112 | - | | 8688 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Sot-502a | BLF4 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | Ldmos | Más | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 60 | 12A | 700 Ma | 100W | 13.5dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6VP61K25HSR5 | 227.0300 | | 84 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 133 V | Monte del Chasis | NI-1230-4S | Mrfe6 | 230MHz | Ldmos | NI-1230-4S | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - | 100 mA | 1250W | 24db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||
| BCM857BS, 115 | - | | 8067 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BCM85 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSS83,235 | - | | 8312 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 10 V | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | BSS8 | - | Mosfet | Sot-143b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 933418060235 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N-canal | 50mera | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
| PDTC123ES, 126 | - | | 1267 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTC123 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20MA, 5V | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | BSH205G2235 | - | | 4171 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC123MEME | 1.0000 | | 5216 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTC123 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9620-100A, 118 | - | | 5477 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Buk96 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 63A (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 25A, 10V | 2v @ 1 mapa | ± 10V | 6385 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | PDTA123JQA147 | 0.0300 | | 125 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2PC4081R135 | - | | 6453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 |
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