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Transistores (4003)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Drenaje real (ID) - Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BLF10H6600P112 | 238.3900 |  | 14 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMZB200UNE315 | 0.0600 | | 156 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN5R3-25MLDX | 1.0000 | | 5003 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-LEAD) | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK33 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 25 V | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 5.9mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 1MA | 12.7 NC @ 10 V | ± 20V | 858 pf @ 12 V | Diodo Schottky (Cuerpo) | 51W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | PHB27NQ10T, 118 | - | | 7872 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PHB27 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFR31,235 | - | | 5520 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BFR31 | 250 MW | SOT-23 (TO-236AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 933163490235 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N-canal | 25 V | 4pf @ 10V | 1 ma @ 10 V | 2.5 V @ 0.5 na | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||
 | BC639,126 | - | | 4119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BC63 | 830 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | PEMD18,115 | - | | 9747 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PEMD1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBHV9560Z115 | 1.0000 | | 4271 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBT2222,215 | - | | 2040 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMBT2222 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHPT60610PY115 | - | | 2238 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857BW, 135 | 0.0200 | | 23 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BC857 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF19125R5 | - | | 6238 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | NI-880 | MRF19 | 1.93GHz | Ldmos | NI-880 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 1.3 A | 24W | 13.5dB | - | 26 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| PEMB16,115 | - | | 6307 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PEMB1 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PUMD3/ZL, 165 | 0.0300 | | 260 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBT2222A/LF1215 | 1.0000 | | 3315 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMBT2222 | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMD4003K, 115 | - | | 1900 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 40V | Controlador | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PMD40 | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | 1A | Diodo de emisor npn + base | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBT4401,235 | 0.0200 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMBT4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF991,215 | - | | 9394 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 20 V | Montaje en superficie | Un 253-4, un 253AA | BF991 | 100MHz | Mosfet | Sot-143b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal de Puerta de Doble | 20 Ma | 10 Ma | - | 29dB | 0.7db | 10 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6V2300NBR1 | - | | 1329 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 110 V | Monte del Chasis | Un 272bb | MRF6 | 220MHz | Ldmos | Un 272 WB-4 | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 500 | - | 900 mA | 300W | 25.5db | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||
| BCM856DS, 115 | 0.0700 | | 9281 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | BCM85 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143EM, 315 | 0.0300 | | 132 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTC14 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK761R3-30E, 118 | - | | 7654 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Buk76 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 120a (TC) | 10V | 1.3mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 154 NC @ 10 V | ± 20V | 11960 pf @ 25 V | - | 357W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | BC849CW, 115 | 0.0200 | | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 200 MW | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8P20140WHR5 | - | | 1100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | 65 V | Monte del Chasis | NI-780-4 | MRF8 | 1.88GHz ~ 1.91GHz | Ldmos | NI-780-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - | 500 mA | 24W | 16dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S26060HR3 | - | | 9534 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | NI-400-240 | MRF8 | 2.69 GHz | Ldmos | NI-400-240 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935314195118 | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 450 Ma | 15.5W | 16.3db | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||
| MRF5S19090HSR3 | - | | 7876 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Ni-780s | MRF5 | 1.93GHz ~ 1.99GHz | Ldmos | Ni-780s | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 850 Ma | 18W | 14.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5S21150HSR5 | - | | 2179 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | NI-880S | MRF5 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | Ldmos | NI-880S | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.3 A | 33W | 12.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7510-55al127 | 1.0200 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BUK7510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 10mohm @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 124 NC @ 10 V | ± 20V | 6280 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | Bc68pas115 | - | | 5550 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC856T, 115 | - | | 1611 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | BC856 | 150 MW | SC-75 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 5 Ma, 100 Ma | 125 @ 2mA, 5V | 100MHz |
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