SIC
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Transistores (4003)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
PMZB370UNE,315 NXP USA Inc. PMZB370UNE, 315 -
RFQ
 ECAD 3565 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn Mosfet (Óxido de metal) DFN1006B-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 10,000 N-canal 30 V 900 mA (TA) 1.8V, 4.5V 490mohm @ 500 mA, 4.5V 1.05V @ 250 µA 1.16 NC @ 15 V ± 8V 78 pf @ 25 V - 360MW (TA), 2.7W (TC)
BUK7C3R8-80EJ NXP USA Inc. Buk7c3r8-80eJ -
RFQ
 ECAD 8500 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Buk7c3 Mosfet (Óxido de metal) D2pak-7 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934067494118 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 80 V - - - - -
BLF6G22LS-180RN112 NXP USA Inc. BLF6G22LS-180RN112 78.4300
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 1
MPSA92,412 NXP USA Inc. MPSA92,412 -
RFQ
 ECAD 5423 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSA92 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 300 V 100 mA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2 mm, 20 mm 25 @ 30mA, 10V 50MHz
PHD23NQ10T,118 NXP USA Inc. PhD23NQ10T, 118 -
RFQ
 ECAD 1385 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Phd23 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 23a (TC) 10V 70mohm @ 13a, 10v 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ± 20V 1187 pf @ 25 V - 100W (TC)
MRF7S18170HR5 NXP USA Inc. MRF7S18170HR5 -
RFQ
 ECAD 1668 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-957a MRF7 1.81GHz Ldmos NI-880H-2L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 50 - 1.4 A 50W 17.5dB - 28 V
MHT1004NR3 NXP USA Inc. MHT1004NR3 -
RFQ
 ECAD 9097 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie OM-780-2 MHT10 2.45 GHz Ldmos OM-780-2 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935316281528 EAR99 8541.29.0075 250 10 µA 100 mA 280W 15.2db - 32 V
PBSS5160T,215 NXP USA Inc. PBSS5160T, 215 0.0600
RFQ
 ECAD 9141 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBSS5 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
PHPT610035PK115 NXP USA Inc. PHPT610035PK115 -
RFQ
 ECAD 3056 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 1.500
PHP45NQ10TA,127 NXP USA Inc. Php45nq10ta, 127 -
RFQ
 ECAD 7128 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 Php45 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934059957127 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 47a (TC) 25mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 61 NC @ 10 V 2600 pf @ 25 V - -
MRF6S19060NBR1 NXP USA Inc. MRF6S19060NBR1 -
RFQ
 ECAD 5039 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Monte del Chasis Un 272bb MRF6 1.93GHz Ldmos Un 272 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 - 610 Ma 12W 16dB - 28 V
BLF7G21LS-160,112 NXP USA Inc. BLF7G21LS-160,112 98.9200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. - Tubo Activo 65 V Soporte de Brida SOT-1121B 1.93GHz ~ 1.99GHz Ldmos Más descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 0000.00.0000 1 Fuente Común Dual 32.5a 1.08 A 45W 18dB - 28 V
PSMN2R9-25YLC NXP USA Inc. PSMN2R9-25YLC 1.0000
RFQ
 ECAD 9589 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar 0000.00.0000 1
BFR505215 NXP USA Inc. BFR505215 0.1600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
BF840,215 NXP USA Inc. BF840,215 -
RFQ
 ECAD 1901 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BF840 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
PBHV9115Z,115 NXP USA Inc. PBHV9115Z, 115 -
RFQ
 ECAD 6995 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBHV9 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000
BLF6G20-110,112 NXP USA Inc. BLF6G20-110,112 -
RFQ
 ECAD 1486 0.00000000 NXP USA Inc. - Banda Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-502a 1.93GHz ~ 1.99GHz Ldmos Sot502a descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 20 29a 900 mA 25W 19dB - 28 V
PHB96NQ03LT,118 NXP USA Inc. PHB96NQ03LT, 118 -
RFQ
 ECAD 1908 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab PHB96 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 25 V 75A (TC) 5V, 10V 4.95mohm @ 25A, 10V 2v @ 1 mapa 26.7 NC @ 5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 115W (TC)
PEMH17,115 NXP USA Inc. PEMH17,115 0.0400
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 PEMH17 300MW Sot-666 descascar EAR99 8541.21.0095 1 50V 100mA 1 µA 2 NPN - Precializado (dual) 150mv @ 500 µA, 10 mA 60 @ 5MA, 5V - 47 kohms 22 kohms
PMBT3904/8,215 NXP USA Inc. PMBT3904/8,215 -
RFQ
 ECAD 4537 0.00000000 NXP USA Inc. * Tape & Reel (TR) Activo PMBT3904 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934064819215 EAR99 8541.29.0095 3.000
BSR16/LF1R NXP USA Inc. BSR16/LF1R -
RFQ
 ECAD 4087 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSR1 SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
BCW66G215 NXP USA Inc. BCW66G215 1.0000
RFQ
 ECAD 5035 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar 0000.00.0000 1
ON5451,518 NXP USA Inc. ON5451,518 -
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - ON5451 - - - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 934063297518 EAR99 8541.29.0095 2,000 - - - - -
PDTB123YU115 NXP USA Inc. PDTB123YU115 0.0300
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
BC557B,112 NXP USA Inc. BC557B, 112 -
RFQ
 ECAD 2655 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC55 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 100MHz
PMV28UNEA215 NXP USA Inc. PMV28UNEA215 -
RFQ
 ECAD 1192 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000
PMR370XN,115 NXP USA Inc. PMR370XN, 115 -
RFQ
 ECAD 4559 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 PMR3 Mosfet (Óxido de metal) SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 840MA (TC) 2.5V, 4.5V 440mohm @ 200Ma, 4.5V 1.5V @ 250 µA 0.65 NC @ 4.5 V ± 12V 37 pf @ 25 V - 530MW (TC)
BFU550A235 NXP USA Inc. BFU550A235 -
RFQ
 ECAD 6904 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 10,000
MRF5S19060NR1 NXP USA Inc. MRF5S19060NR1 -
RFQ
 ECAD 4443 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie Un 270ab MRF5 1.99 GHz Ldmos Un 270 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 - 750 Ma 12W 14dB - 28 V
MZ0912B50Y,114 NXP USA Inc. MZ0912B50Y, 114 -
RFQ
 ECAD 7912 0.00000000 NXP USA Inc. * Banda Activo MZ091 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 32
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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