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Transistores (4003)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRFE8VP8600HSR5 | 155.8210 |  | 3586 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 115 V | Monte del Chasis | NI-1230-4S | Mrfe8 | 860MHz | Ldmos | NI-1230-4S | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 935345546178 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 20 µA | 1.4 A | 140W | 21db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||
| Pumb2/zlx | - | | 8798 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Obsoleto | Pumb2 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS4120T/S500,215 | - | | 3055 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Obsoleto | PBSS4 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN021-100ylx | 1.0000 | | 2749 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 49a (TC) | 5V, 10V | 21.5mohm @ 15a, 10v | 2.1V @ 1MA | 65.6 NC @ 10 V | ± 20V | 4640 pf @ 25 V | - | 147W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | BCW31,215 | 0.0300 | | 42 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | Sot-23 | descascar | 0000.00.0000 | 11,493 | 32 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 210 MV @ 2.5mA, 50 Ma | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pdtb114euf | - | | 3279 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | PDTB114 | 300 MW | Sot-323 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 500 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 100mv @ 2.5mA, 50 mA | 70 @ 50 mm, 5V | 140 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | PUMD17,115 | 0.0300 | | 298 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | PUMD17 | 300MW | Sot-363 | descascar | 0000.00.0000 | 11,225 | 50V | 100mA | 1 µA | 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5MA, 5V | - | 47 kohms | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143TS, 126 | - | | 1916 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | PDTC143 | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | NPN - Pre -Sesgado | 100mv @ 250 µA, 5 mA | 200 @ 1 mapa, 5v | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4032nd, 115 | 0.1500 | | 31 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PBSS4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF888D112 | 250.9600 | | 122 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N7002K, 215 | - | | 2954 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N70 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23 (TO-236AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 340MA (TA) | 4.5V, 10V | 3.9ohm @ 500 mA, 10V | 2v @ 1 mapa | ± 15V | 40 pf @ 10 V | - | 830MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | PDTC123JQA147 | 0.0300 | | 143 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PDTC123 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMP4501Y, 115 | - | | 9797 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMP4 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMB20,115 | - | | 4834 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Pembera | 300MW | Sot-666 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.700 | 50V | 100mA | 1 µA | 2 PNP - Precializado (dual) | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20MA, 5V | - | 2.2 kohms | 2.2 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
| PMV56XN, 215 | - | | 2112 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV5 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23 (TO-236AB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 3.76a (TC) | 2.5V, 4.5V | 85mohm @ 3.6a, 4.5V | 650MV @ 1MA (min) | 5.4 NC @ 4.5 V | ± 8V | 230 pf @ 10 V | - | 1.92W (TC) | |||||||||||||||||||||
| MRF6P3300HR5 | - | | 7928 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 68 V | Monte del Chasis | NI-860C3 | MRF6 | 857MHz ~ 863MHz | Ldmos | NI-860C3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.6 A | 270W | 20.2db | - | 32 V | |||||||||||||||||||||||||
 | ON5258215 | 0.2200 | | 696 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ON5450,518 | - | | 2493 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ON5450 | - | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 935288032518 | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| Buk9y3r0-40e/cx | - | | 6430 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Buk9 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMMT591A, 215 | - | | 7320 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | PMMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pmn34ln, 135 | - | | 2284 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | PMN3 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-74 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | N-canal | 20 V | 5.7a (TC) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 2.5a, 10v | 2v @ 1 mapa | 13.1 NC @ 10 V | ± 15V | 500 pf @ 20 V | - | 1.75W (TC) | |||||||||||||||||||||
| PEMH11,315 | - | | 4717 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Pemh11 | 300MW | Sot-666 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 1 µA | 2 NPN - Precializado (dual) | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | - | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA124EK, 115 | - | | 8915 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTA124 | 250 MW | Smt3; Mpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 9,000 | 50 V | 100 mA | 1 µA | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5MA, 5V | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||
| BSN254,126 | - | | 5940 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BSN2 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 250 V | 310MA (TA) | 2.4V, 10V | 5ohm @ 300mA, 10V | 2v @ 1 mapa | ± 20V | 120 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | Buk9e3r7-60e, 127 | - | | 6212 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Buk9 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 5V, 10V | 3.4mohm @ 25A, 10V | 2.1V @ 1MA | 95 NC @ 5 V | ± 10V | 13490 pf @ 25 V | - | 293W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | BC53-16pas115 | 1.0000 | | 3238 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHK5NQ15T518 | - | | 1420 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 150 V | 5A (TC) | 5V, 10V | 75mohm @ 5a, 10v | 4V @ 1MA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 25 V | - | 6.25W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | Ph6530al, 115 | - | | 6446 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | PH65 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK56, POWER-SO8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
| PMN28UN, 165 | - | | 8166 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | PMN2 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-74 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | N-canal | 12 V | 5.7a (TC) | 1.8V, 4.5V | 34mohm @ 2a, 4.5V | 700mv @ 1MA (typ) | 10.1 NC @ 4.5 V | ± 8V | 740 pf @ 10 V | - | 1.75W (TC) | |||||||||||||||||||||
| BF1204,135 | - | | 2153 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 10 V | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | BF120 | 400MHz | Mosfet | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934056334135 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | Canal de Puerta de Doble | 30mera | 12 MA | - | 30dB | 0.9db | 5 V |
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