SIC
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Transistores (4003)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
MRF7S18170HR3 NXP USA Inc. MRF7S18170HR3 -
RFQ
 ECAD 6537 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-957a MRF7 1.81GHz Ldmos NI-880H-2L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 250 - 1.4 A 50W 17.5dB - 28 V
AFV09P350-04NR3 NXP USA Inc. AFV09P350-04NR3 88.9166
RFQ
 ECAD 2616 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 105 V Montaje en superficie OM-780-4L AFV09 920MHz Ldmos OM-780-4L - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935322054528 5A991G 8541.29.0040 250 Dual - 860 Ma 100W 19.5dB - 48 V
2PD601AR,115 NXP USA Inc. 2pd601ar, 115 -
RFQ
 ECAD 9988 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2PD60 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 15,000 50 V 100 mA 10NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 210 @ 2mA, 10V 100MHz
ON5295,127 NXP USA Inc. ON5295,127 -
RFQ
 ECAD 5278 0.00000000 NXP USA Inc. - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 ON5295 - - Un 220b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934059252127 EAR99 8541.29.0095 50 - - - - -
BFG590/X,215 NXP USA Inc. BFG590/X, 215 -
RFQ
 ECAD 4324 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA BFG59 400MW Sot-143b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 15V 200 MMA NPN 60 @ 70mA, 8V 5GHz -
PMBS3904,235 NXP USA Inc. PMBS3904,235 0.0200
RFQ
 ECAD 820 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PMBS3904 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000
PBSS305NZ,135 NXP USA Inc. PBSS305NZ, 135 -
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 ECAD 4669 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBSS3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000
A2V09H400-04NR3 NXP USA Inc. A2V09H400-04NR3 96.6966
RFQ
 ECAD 3828 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 105 V Montaje en superficie OM-780-4L A2V09 720MHz ~ 960MHz Ldmos OM-780-4L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 10 µA 688 Ma 107W 17.9dB - 48 V
PDTC143TU,135 NXP USA Inc. PDTC143TU, 135 0.0200
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 ECAD 110 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PDTC14 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000
A2I25H060GNR1 NXP USA Inc. A2I25H060GNR1 -
RFQ
 ECAD 9763 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie Variatura A 270-17, Ala de la Gaviota A2I25 2.59 GHz Ldmos Un 270WBG-17 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935316196528 EAR99 8542.33.0001 500 Dual - 26 MA 10.5w 26.1db - 28 V
BUK9E2R3-40E,127 NXP USA Inc. Buk9e2r3-40e, 127 -
RFQ
 ECAD 1962 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Buk9 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 120a (TC) 5V, 10V 2.2mohm @ 25A, 10V 2.1V @ 1MA 87.8 NC @ 5 V ± 10V 13160 pf @ 25 V - 293W (TC)
NXP3875G,215 NXP USA Inc. NXP3875G, 215 0.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.21.0095 1
BFR505T,115 NXP USA Inc. BFR505T, 115 -
RFQ
 ECAD 5108 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 BFR50 150MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 15V 18 MA NPN 60 @ 5 MMA, 6V 9 GHz 1.2db ~ 2.1db @ 900MHz
BLT81 NXP USA Inc. BLT81 0.5000
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Obsoleto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Información de Alcance Disponible A Pedido 2832-Blt81 EAR99 8541.29.0075 1
PDTA144VK,115 NXP USA Inc. PDTA144VK, 115 -
RFQ
 ECAD 4705 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA144 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 40 @ 5MA, 5V 47 kohms 10 kohms
MRF6V13250HR3 NXP USA Inc. MRF6V13250HR3 -
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 120 V Monte del Chasis Sot-957a MRF6 1.3GHz Ldmos NI-780H-2L - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 100 mA 250W 22.7db - 50 V
PBSS5130PAP,115 NXP USA Inc. PBSS5130PAP, 115 -
RFQ
 ECAD 8857 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Ufdfn Pad Expunesta PBSS5130 510MW 6-Huson (2x2) descascar EAR99 8541.29.0075 1 30V 1A 100NA (ICBO) 2 PNP (dual) 280mv @ 50 mm, 1a 170 @ 500mA, 2V 125MHz
PBSS2515VPN,115 NXP USA Inc. PBSS2515VPN, 115 -
RFQ
 ECAD 2905 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBSS2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000
PMBTA06/DG/B3235 NXP USA Inc. PMBTA06/DG/B3235 0.0400
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1
BF513,215 NXP USA Inc. BF513,215 -
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 20 V Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BF513 100MHz Jfet SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30mera 5 Ma - - 1.5db 10 V
PDTD113EQA147 NXP USA Inc. PDTD113EQA147 -
RFQ
 ECAD 1306 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 5,000
PMBT2222AYS115 NXP USA Inc. PMBT2222AS115 0.0300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PMBT2222 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1
PMBT3946YPN,125 NXP USA Inc. PMBT3946YPN, 125 -
RFQ
 ECAD 8939 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 PMBT3946 350MW Sot-363 descascar EAR99 8541.21.0075 1 40V 200 MMA 50NA (ICBO) NPN, PNP 300 MV @ 5 mm, 50 mm / 400mv @ 5 mA, 50 mA 100 @ 10mA, 1V 300MHz, 250MHz
PDTA143XK,115 NXP USA Inc. PDTA143XK, 115 -
RFQ
 ECAD 1945 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA143 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 50 @ 10mA, 5V 4.7 kohms 10 kohms
MPS3904,126 NXP USA Inc. MPS3904,126 -
RFQ
 ECAD 1991 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPS39 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 180MHz
PDTA143XE,115 NXP USA Inc. PDTA143XE, 115 -
RFQ
 ECAD 8017 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 PDTA143 150 MW SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 50 @ 10mA, 5V 4.7 kohms 10 kohms
MRF8S9232NR3 NXP USA Inc. MRF8S9232NR3 -
RFQ
 ECAD 3622 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 70 V Montaje en superficie OM-780-2 MRF8S9232 960MHz Mosfet OM-780-2 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935310851528 EAR99 8541.29.0095 250 N-canal - 1.4 A 63W 18.1db - 28 V
BUT11AI,127 NXP USA Inc. Pero11ai, 127 -
RFQ
 ECAD 6675 0.00000000 NXP USA Inc. - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Pero11 100 W Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 450 V 5 A 1mera NPN 1.5V @ 330MA, 2.5A 14 @ 500mA, 5V -
BUK7511-55A,127 NXP USA Inc. BUK7511-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 5183 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Buk75 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 11mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA ± 20V 3093 pf @ 25 V - 166W (TC)
BCV47,215 NXP USA Inc. BCV47,215 -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BCV47 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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