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Transistores (4003)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
BC846AW135	0.0200	RFQ	209	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar					EAR99	8541.21.0075	1
Pdtc114yt, 215	-	RFQ	6906	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					Pdtc11					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000
MRFG35002N6R5	-	RFQ	4922	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	8 V			PLD-1.5	MRFG35	3.55 GHz	fet fet		PLD-1.5	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	50			-	65 Ma	1.5w	10dB											-			6 V
BUK9875-100A/CU115	-	RFQ	7320	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.29.0095	1,000
BF1211WR, 115	-	RFQ	4385	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	6 V		Montaje en superficie	SC-82A, SOT-343	BF121	400MHz	Mosfet		CMPAK-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	Canal de Puerta de Doble		30mera	15 Ma	-	29dB											0.9db			5 V
CLF1G0035-200PU	-	RFQ	6477	NXP USA Inc.	-	Banda	Obsoleto				-		-	-		-	-	No Aplicable				EAR99	8541.29.0075	20	-		-		-	-											-
MRF7S19080HSR3	-	RFQ	6781	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	Ni-780s	MRF7	1.99 GHz	Ldmos		Ni-780s	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	935319237128	EAR99	8541.29.0075	250			-	750 Ma	24W	18dB											-			28 V
Buk9e1r8-40e, 127	-	RFQ	3772	NXP USA Inc.	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Buk9e1r8		Mosfet (Óxido de metal)		I2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	934066586127	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					40 V	120a (TC)	5V, 10V	1.7mohm @ 25A, 10V	2.1V @ 1MA	120 NC @ 5 V	± 10V	16400 pf @ 25 V	-	349W (TC)
PhD23NQ10T, 118	-	RFQ	1385	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Phd23		Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					100 V	23a (TC)	10V	70mohm @ 13a, 10v	4V @ 1MA	22 NC @ 10 V	± 20V	1187 pf @ 25 V	-	100W (TC)
PBSS4230PANP, 115	0.1600	RFQ	21	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-Ufdfn Pad Expunesta	PBSS4230			510MW	6-Huson (2x2)	descascar					EAR99	8541.29.0075	1.868																		30V	2A		100NA (ICBO)	NPN, PNP	290mv @ 200Ma, 2a	200 @ 1a, 2v	120MHz
BUK7520-100A, 127	-	RFQ	1638	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	0000.00.0000	296		N-canal					100 V	63A (TC)	10V	20mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA		± 20V	4373 pf @ 25 V	-	200W (TC)
MRF9080LR3	-	RFQ	1939	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	Sot-957a	MRF90	960MHz	Ldmos		NI-780H-2L	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	250			-	600 mA	70W	18.5dB											-			26 V
PDTC143XK, 115	-	RFQ	7787	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PDTC143			250 MW	Smt3; Mpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																		50 V	100 mA		1 µA	NPN - Pre -Sesgado	100mv @ 500 µA, 10 mA	50 @ 10mA, 5V		4.7 kohms	10 kohms
MRF7S19210HSR3	-	RFQ	7253	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Monte del Chasis	Ni-780s	MRF7	1.99 GHz	Ldmos		Ni-780s	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	250			-	1.4 A	63W	20dB											-			28 V
PMZ200UNE315	-	RFQ	8069	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0095	10,000
PhD97NQ03LT, 118	0.3100	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					Phd97					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500
PBSS8110S, 126	-	RFQ	3151	NXP USA Inc.	-	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	PBSS8			830 MW	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	2,000																		100 V	1 A		100na	NPN	200 MV @ 100 MAPA, 1A	150 @ 250 Ma, 10v	100MHz
J2A020yxs/T0By425,	-	RFQ	5955	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-	-	-	J2a0				-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	935295719118	Obsoleto	0000.00.0000	12,500		-												-
Buk765r3-40e, 118	-	RFQ	3258	NXP USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal					40 V	75A (TC)	10V	4.9mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	35.5 NC @ 10 V	± 20V	2772 pf @ 25 V	-	137W (TC)
BUK653R7-30C, 127	-	RFQ	4875	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Buk65		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					30 V	100A (TC)	4.5V, 10V	3.9mohm @ 25A, 10V	2.8V @ 1MA	78 NC @ 10 V	± 16V	4707 pf @ 25 V	-	158W (TC)
Buk7e11-55b, 127	-	RFQ	6209	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Buk7		Mosfet (Óxido de metal)		I2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					55 V	75A (TC)	10V	11mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	37 NC @ 10 V	± 20V	2604 pf @ 25 V	-	157W (TC)
PHM15NQ20T, 518	-	RFQ	4755	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición de 8-vdfn	PHM15		Mosfet (Óxido de metal)		8-HVSON (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					200 V	17.5a (TC)	10V	85mohm @ 15a, 10v	4V @ 1MA	40 NC @ 10 V	± 20V	2170 pf @ 30 V	-	62.5W (TC)
PDTA123JK, 115	-	RFQ	1760	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	PDTA123			250 MW	Smt3; Mpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	9,000																		50 V	100 mA		1 µA	PNP - Pre -Sesgado	100mv @ 250 µA, 5 mA	100 @ 10mA, 5V		2.2 kohms	47 kohms
BUK7212-55B, 118	-	RFQ	7007	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					Buk72					-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500
PMST5550,135	-	RFQ	5130	NXP USA Inc.	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323				200 MW	Sot-323	descascar						0000.00.0000	1																		140 V	300 mA		100NA (ICBO)	NPN	250 MV a 5 mm, 50 Ma	60 @ 10mA, 5V	300MHz
MRF6S9160HSR5	-	RFQ	3160	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	68 V		Monte del Chasis	Ni-780s	MRF6	880MHz	Ldmos		Ni-780s	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	50			-	1.2 A	35W	20.9db											-			28 V
PBLS2022D, 115	-	RFQ	3235	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo					PBLS20					descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000
Bfu580gx	0.8300	RFQ	999	NXP USA Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BFU580			1W	SC-73	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000						10.5db												12V	60mera			NPN		60 @ 30mA, 8V	11 GHz			1.4db @ 1.8Ghz
PDTD143EU115	0.0400	RFQ	103	NXP USA Inc.	*	Una granela	Activo										descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0075	3.000
PMP5501Y, 115	0.1000	RFQ	22	NXP USA Inc.	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	PMP5501			300MW	Sot-363	descascar					EAR99	8541.21.0095	3.056																		45V	100mA		15NA (ICBO)	2 par de pnp (dual) emparejado	400mv @ 5 Ma, 100 Ma	200 @ 2mA, 5V	175MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²