SIC
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Transistores (4003)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
BUK664R8-75C,118 NXP USA Inc. Buk664r8-75c, 118 -
RFQ
 ECAD 4368 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo Buk66 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 800
PDTA124EMB,315 NXP USA Inc. PDTA124EMB, 315 0.0300
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo Montaje en superficie SC-101, SOT-883 PDTA124 250 MW DFN1006B-3 descascar EAR99 8541.21.0075 1 50 V 100 mA 100na PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 60 @ 5MA, 5V 180 MHz 22 kohms 22 kohms
BC52PA,115 NXP USA Inc. BC52PA, 115 -
RFQ
 ECAD 5714 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Powerudfn 420 MW 3-Huson (2x2) descascar EAR99 8541.29.0075 1 60 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V 145MHz
BFU550235 NXP USA Inc. BFU550235 0.1700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 10,000
PBSS301PD,115 NXP USA Inc. PBSS301PD, 115 -
RFQ
 ECAD 1640 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBSS3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
PH9930L,115 NXP USA Inc. PH9930L, 115 -
RFQ
 ECAD 6535 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-100, SOT-669 PH99 Mosfet (Óxido de metal) LFPAK56, POWER-SO8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 63A (TC) 4.5V, 10V 9.9mohm @ 25A, 10V 2.15V @ 1MA 13.3 NC @ 4.5 V ± 20V 1565 pf @ 12 V - 62.5W (TC)
MRF6S27015NR1 NXP USA Inc. MRF6S27015NR1 -
RFQ
 ECAD 7637 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Montaje en superficie Un 270AA MRF6 2.6GHz Ldmos Un 270-2 descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935309659528 EAR99 8541.21.0075 500 - 160 Ma 3W 14dB - 28 V
J3C145CX1/T0BC732J NXP USA Inc. J3C145CX1/T0BC732J -
RFQ
 ECAD 4468 0.00000000 NXP USA Inc. * Tape & Reel (TR) Obsoleto J3C1 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 2.500
J2A012YXT/S1AY7HFJ NXP USA Inc. J2a012yxt/s1ay7hfj -
RFQ
 ECAD 6380 0.00000000 NXP USA Inc. * Tape & Reel (TR) Obsoleto J2a0 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 2.500
BUK9K45-100E115 NXP USA Inc. BUK9K45-100E115 -
RFQ
 ECAD 9021 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo Buk9k45 descascar EAR99 8541.29.0095 1
J109,126 NXP USA Inc. J109,126 -
RFQ
 ECAD 2489 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales J109 400 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 25 V 30pf @ 10V (VGS) 25 V 80 mA @ 15 V 2 V @ 1 µA 12 ohmios
PHP101NQ04T,127 NXP USA Inc. PHP101NQ04T, 127 -
RFQ
 ECAD 1046 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Php10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 75A (TC) 10V 8mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 36.6 NC @ 10 V ± 20V 2020 pf @ 25 V - 157W (TC)
J3E082EA4/S0BE5AQJ NXP USA Inc. J3E082EA4/S0BE5AQJ -
RFQ
 ECAD 5577 0.00000000 NXP USA Inc. * Tape & Reel (TR) Obsoleto J3E0 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 2.500
BF824235 NXP USA Inc. BF824235 -
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.21.0075 1
PHC21025,118 NXP USA Inc. PHC21025,118 0.2900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PHC21 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500
BLD6G22LS-50,112 NXP USA Inc. BLD6G22LS-50,112 90.0800
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 NXP USA Inc. - Banda Obsoleto 65 V Montaje en superficie SOT-1130B 2.14 GHz Ldmos CDFM4 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 20 Fuente Común Dual 10.2a 170 Ma 8W 14dB - 28 V
PBSS5140T,215 NXP USA Inc. PBSS5140T, 215 -
RFQ
 ECAD 5227 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBSS5 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000
AFT18S230SR3 NXP USA Inc. Aft18S230SR3 -
RFQ
 ECAD 3982 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Ni-780s AFT18 1.88GHz Ldmos Ni-780s - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.29.0095 250 - 1.8 A 50W 19dB - 28 V
BUK9635-100A-118 NXP USA Inc. BUK9635-100A-118 -
RFQ
 ECAD 6322 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 40 N-canal 100 V 41a (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 25A, 10V 2v @ 1 mapa ± 10V 3573 pf @ 25 V - 149W (TC)
BF545A,215 NXP USA Inc. BF545A, 215 -
RFQ
 ECAD 5567 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 30 V Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BF545 - Jfet SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 6.5mA - - -
MRF6S19060MBR1 NXP USA Inc. MRF6S19060MBR1 -
RFQ
 ECAD 7325 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Un 272-4 MRF6 1.93GHz Ldmos Un 272 WB-4 descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 - 610 Ma 12W 16dB - 28 V
NMBT3904215 NXP USA Inc. NMBT3904215 0.0200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
BUK653R5-55C,127 NXP USA Inc. Buk653r5-55c, 127 -
RFQ
 ECAD 9522 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Buk65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 120a (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 25A, 10V 2.8V @ 1MA 191 NC @ 10 V ± 16V 11516 pf @ 25 V - 263W (TC)
PBSS5350X,115 NXP USA Inc. PBSS5350X, 115 -
RFQ
 ECAD 7825 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBSS5 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000
MRF19085LR3 NXP USA Inc. MRF19085LR3 -
RFQ
 ECAD 2458 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-957a MRF19 1.93GHz ~ 1.99GHz Ldmos NI-780H-2L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.31.0001 250 - 850 Ma 18W 13dB - 26 V
BUK9637-100E,118 NXP USA Inc. BUK9637-100E, 118 0.5600
RFQ
 ECAD 5896 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1 N-canal 100 V 31a (TC) 5V, 10V 36mohm @ 10a, 10v 2.1V @ 1MA 22.8 NC @ 5 V ± 10V 2681 pf @ 25 V - 96W (TC)
BF909A215 NXP USA Inc. BF909A215 0.1800
RFQ
 ECAD 2342 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Obsoleto 7 V Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA 800MHz Mosfet Sot-143b descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 1.474 Canal de Puerta de Doble 40mera - - 2db
BUK7524-55A,127 NXP USA Inc. BUK7524-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 4840 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Buk75 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 47a (TC) 10V 24mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1310 pf @ 25 V - 106W (TC)
BCW72,215 NXP USA Inc. BCW72,215 -
RFQ
 ECAD 1959 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BCW72 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
BFU550XRR215 NXP USA Inc. BFU550XRR215 -
RFQ
 ECAD 4031 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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