SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
BC857C/DG/B4235 NXP USA Inc. BC857C/DG/B4235 0.0800
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BC857 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 10,000
AFT09MS031NR1528 NXP USA Inc. AFT09MS031NR1528 1.0000
RFQ
ECAD 9562 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.29.0075 1
PSMN7R0-30YL115/BKN NXP USA Inc. PSMN7R0-30YL115/BKN 1.0000
RFQ
ECAD 1171 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1
MX0912B351Y,114 NXP USA Inc. MX0912B351Y, 114 266.6200
RFQ
ECAD 121 0.00000000 NXP USA Inc. * Banda Activo Mx09 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 32
BUK9C2R2-60EJ NXP USA Inc. Buk9c2r2-60ej -
RFQ
ECAD 5339 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Buk9c2 Mosfet (Óxido de metal) D2pak-7 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934067485118 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V - - - - -
2PC4081S/ZLX NXP USA Inc. 2PC4081S/ZLX -
RFQ
ECAD 4835 0.00000000 NXP USA Inc. * Tape & Reel (TR) Obsoleto 2PC40 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
PMBFJ310,215 NXP USA Inc. PMBFJ310,215 -
RFQ
ECAD 6267 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PMBFJ3 250 MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 25 V 5PF @ 10V 25 V 24 Ma @ 10 V 2 V @ 1 µA 50 ohmios
MRF5S21100HR5 NXP USA Inc. MRF5S21100HR5 -
RFQ
ECAD 5844 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-957a MRF5 2.16GHz ~ 2.17GHz Ldmos NI-780H-2L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.29.0075 50 - 1.05 A 23W 13.5dB - 28 V
PDTA143TM,315 NXP USA Inc. PDTA143TM, 315 0.0300
RFQ
ECAD 159 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PDTA14 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000
PSMN9R0-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN9R0-25YLC, 115 -
RFQ
ECAD 1348 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-100, SOT-669 PSMN9 Mosfet (Óxido de metal) LFPAK56, POWER-SO8 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 25 V 46a (TC) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 15a, 10v 1.95V @ 1MA 12 NC @ 10 V ± 20V 694 pf @ 12 V - 34W (TC)
MRF6S19200HR3 NXP USA Inc. MRF6S19200HR3 -
RFQ
ECAD 9104 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 66 V Monte del Chasis Sot-957a MRF6 1.93GHz ~ 1.99GHz Ldmos NI-780H-2L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 1.6 A 56W 17.9dB - 28 V
MRF8S21100HSR3 NXP USA Inc. MRF8S21100HSR3 -
RFQ
ECAD 6554 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Ni-780s MRF8 2.17GHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.29.0095 250 - 700 Ma 24W 18.3db - 28 V
BUK9635-55,118 NXP USA Inc. BUK9635-55,118 -
RFQ
ECAD 8948 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Buk96 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 34a (TC) 5V 35mohm @ 17a, 5V 2v @ 1 mapa ± 10V 1400 pf @ 25 V - 85W (TC)
J113,126 NXP USA Inc. J113,126 -
RFQ
ECAD 3096 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta de Corte (CT) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO6-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales J113 400 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 40 V 6pf @ 10V (VGS) 40 V 2 Ma @ 15 V 500 MV @ 1 µA 100 ohmios
2N7002BK,215 NXP USA Inc. 2N7002BK, 215 -
RFQ
ECAD 4606 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 60 V 350MA (TA) 10V 1.6ohm @ 500 mA, 10V 2.1V @ 250 µA 0.6 NC @ 4.5 V ± 20V 50 pf @ 10 V - 370MW (TA)
PMK30EP518 NXP USA Inc. PMK30EP518 -
RFQ
ECAD 2981 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 14.9a (TC) 10V 19mohm @ 9.2a, 10v 3V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 2240 pf @ 25 V - 6.9W (TC)
PBSS303PX,115 NXP USA Inc. PBSS303PX, 115 -
RFQ
ECAD 6145 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBSS3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000
PDTC114ET/YA215 NXP USA Inc. PDTC114ET/YA215 0.0200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
BC850CW,115 NXP USA Inc. BC850CW, 115 -
RFQ
ECAD 6879 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BC85 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
A5G35H110NT4 NXP USA Inc. A5G35H110NT4 34.6764
RFQ
ECAD 5350 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 125 V Montaje en superficie 6-LDFN Pad Expunesta 3.3GHz ~ 3.7GHz - 6-PDFN (7x6.5) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 2.500 - - 70 Ma 15.1w 15.3db - 48 V
MRF7S16150HR5 NXP USA Inc. MRF7S16150HR5 -
RFQ
ECAD 9958 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-957a MRF7 1.6GHz ~ 1.66GHz Ldmos NI-780H-2L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 1.5 A 32W 19.7dB - 28 V
BC817,235 NXP USA Inc. BC817,235 0.0200
RFQ
ECAD 130 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BC817 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000
NX3008NBKV,115 NXP USA Inc. NX3008NBKV, 115 -
RFQ
ECAD 3080 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NX3008 Mosfet (Óxido de metal) 500MW Sot-666 descascar EAR99 8541.21.0095 1 2 Canal N (Dual) 30V 400mA 1.4ohm @ 350mA, 4.5V 1.1V @ 250 µA 0.68nc @ 4.5V 50pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
PBSS5320X,135 NXP USA Inc. PBSS5320X, 135 0.0700
RFQ
ECAD 310 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBSS5 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000
PBSS5330X,135 NXP USA Inc. PBSS5330X, 135 1.0000
RFQ
ECAD 9808 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 1.6 W Sot-89 descascar EAR99 8541.29.0075 1 30 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 320mv @ 300 Ma, 3a 175 @ 1a, 2v 100MHz
BFU520XRVL NXP USA Inc. Bfu520xrvl 0.1208
RFQ
ECAD 7220 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-143r Bfu520 450MW Sot-143r descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 17.5dB 12V 30mera NPN 60 @ 5mA, 8V 10.5 GHz 1DB @ 1.8GHz
A5G23H110NT4 NXP USA Inc. A5G23H110NT4 32.8239
RFQ
ECAD 4653 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 125 V Montaje en superficie 6-LDFN Pad Expunesta 2.3GHz ~ 2.4GHz 6-PDFN (7x6.5) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 568-A5G23H110NT4TR EAR99 8541.29.0095 2.500 - - 60 Ma 13.8w 17.9dB - 48 V
MRF8S21140HR3 NXP USA Inc. MRF8S21140HR3 -
RFQ
ECAD 5616 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-957a MRF8 2.14 GHz Ldmos NI-780H-2L - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 935310256128 EAR99 8541.29.0075 250 - 970 Ma 34W 17.9dB - 28 V
PSMN4R5-40PS,127 NXP USA Inc. PSMN4R5-40PS, 127 -
RFQ
ECAD 5252 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PSMN4 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000
AFT18H357-24NR6 NXP USA Inc. AFT18H357-24NR6 -
RFQ
ECAD 8649 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis OM-1230-4L2L AFT18 1.81GHz Ldmos OM-1230-4L2L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 150 Dual - 800 Ma 63W 17.5dB - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock