SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - PrueBa Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Resistencia - RDS (ON)
MRF8S21200HSR6 NXP USA Inc. MRF8S21200HSR6 -
RFQ
ECAD 2239 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis NI-1230S MRF8 2.14 GHz Ldmos NI-1230S descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935322971128 5A991G 8541.29.0075 150 Dual - 1.4 A 48W 18.1db - 28 V
PBLS2001D,115 NXP USA Inc. PBLS2001D, 115 0.0700
RFQ
ECAD 57 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBLS20 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
PMPB23XNE,115 NXP USA Inc. PMPB23XNE, 115 -
RFQ
ECAD 8787 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfdfn almohadilla exposición Mosfet (Óxido de metal) DFN1010B-6 descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 20 V 7a (TA) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 7a, 4.5V 900MV @ 250 µA 17 NC @ 4.5 V ± 12V 1136 pf @ 10 V - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
PEMB24,115 NXP USA Inc. PEMB24,115 0.0700
RFQ
ECAD 32 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PEMB2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000
BC869-16115 NXP USA Inc. BC869-16115 0.1100
RFQ
ECAD 32 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.29.0075 1
MRF6V2150NR1 NXP USA Inc. MRF6V2150NR1 -
RFQ
ECAD 5224 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 110 V Montaje en superficie Un 270ab MRF6 220MHz Ldmos Un 270 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 500 - 450 Ma 150W 25db - 50 V
MRF6S27085HSR3 NXP USA Inc. MRF6S27085HSR3 -
RFQ
ECAD 4680 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Monte del Chasis Ni-780s MRF6 2.66GHz Ldmos Ni-780s descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 900 mA 20W 15.5dB - 28 V
A3G26H350W17SR3 NXP USA Inc. A3G26H350W17SR3 155.0614
RFQ
ECAD 6200 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 125 V NI-780S-4S2S 2.496GHz ~ 2.69GHz - NI-780S-4S2S descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - - 250 Ma 59W 13.3db - 48 V
PDTA124EU,135 NXP USA Inc. PDTA124EU, 135 0.0200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PDTA124 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000
A3T23H450W23SR6 NXP USA Inc. A3T23H450W23SR6 150.1500
RFQ
ECAD 1890 0.00000000 NXP USA Inc. * Tape & Reel (TR) Activo A3T23 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 150
AFT20S015NR1 NXP USA Inc. AFT20S015NR1 28.4000
RFQ
ECAD 441 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 65 V Montaje en superficie Un 270AA AFT20 2.17GHz Ldmos Un 270-2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 5A991G 8541.29.0040 500 - 132 Ma 1.5w 17.6db - 28 V
A2T21H450W19SR6 NXP USA Inc. A2T21H450W19SR6 -
RFQ
ECAD 5096 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis NI-1230S-4S4S A2T21 2.11GHz ~ 2.2GHz Ldmos NI-1230S-4S4S descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 935323762128 EAR99 8541.29.0075 150 10 µA 800 Ma 390W 15.7db - 30 V
MRF6S19100NR1 NXP USA Inc. MRF6S19100NR1 -
RFQ
ECAD 7815 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 68 V Montaje en superficie Un 270ab MRF6 1.99 GHz Ldmos Un 270 WB-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 - 950 Ma 22W 14.5dB - 28 V
PBSS4130T,215 NXP USA Inc. PBSS4130T, 215 0.0600
RFQ
ECAD 33 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBSS4 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
MRF8S9220HR3 NXP USA Inc. MRF8S9220HR3 -
RFQ
ECAD 4880 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 70 V Monte del Chasis Sot-957a MRF8 960MHz Ldmos NI-780H-2L - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 935319526128 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.6 A 65W 19.4db - 28 V
MRF8VP13350NR5 NXP USA Inc. MRF8VP13350NR5 160.8106
RFQ
ECAD 3415 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 100 V Montaje en superficie OM-780G-4L MRF8VP13350 700MHz ~ 1.3GHz Ldmos OM-780G-4L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935316089578 EAR99 8541.29.0075 50 10 µA 100 mA 350W 19.2db - 50 V
PHP225,118-NXP NXP USA Inc. PHP225,118-NXP -
RFQ
ECAD 8469 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PHP225 - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 -
MRF8VP13350NR3 NXP USA Inc. MRF8VP13350NR3 189.7406
RFQ
ECAD 8277 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 100 V Montaje en superficie OM-780-4L MRF8VP13350 1.3GHz Ldmos OM-780-4L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935316089528 EAR99 8541.29.0075 250 Dual - 100 mA 350W 19.2db - 50 V
BUK7505-30A,127 NXP USA Inc. BUK7505-30A, 127 -
RFQ
ECAD 6296 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Buk75 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 75A (TC) 10V 5mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA ± 20V 6000 pf @ 25 V - 230W (TC)
MRFE6VP100HR5 NXP USA Inc. MRFE6VP100HR5 133.3900
RFQ
ECAD 398 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 133 V Monte del Chasis NI-780-4 Mrfe6 512MHz Ldmos NI-780-4 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 - 100 mA 100W 26dB - 50 V
PDTC123TM,315 NXP USA Inc. PDTC123TM, 315 0.0300
RFQ
ECAD 116 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PDTC123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000
MRF5S21150HSR3 NXP USA Inc. MRF5S21150HSR3 -
RFQ
ECAD 7815 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V NI-880S MRF5 2.11GHz ~ 2.17GHz Ldmos NI-880S descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 - 1.3 A 33W 12.5dB - 28 V
BUK7613-60E118 NXP USA Inc. BUK7613-60E118 1.0000
RFQ
ECAD 2105 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar EAR99 8541.29.0095 1
BC807-40/S501215 NXP USA Inc. BC807-40/S501215 0.0200
RFQ
ECAD 6556 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 6,000
A2T21S160-12SR3 NXP USA Inc. A2T21S160-12SR3 113.6220
RFQ
ECAD 2983 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 65 V Monte del Chasis Ni-780-2S2L A2T21 2.17GHz Ldmos Ni-780-2S2L descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 935323736128 EAR99 8541.29.0075 250 - 600 mA 38w 18.4db - 28 V
PMMT491A,235 NXP USA Inc. PMMT491A, 235 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PMMT4 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000
MRF1570FNT1 NXP USA Inc. MRF1570FNT1 -
RFQ
ECAD 8662 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 40 V Monte del Chasis Un 272-8 MRF15 470MHz Ldmos Un 272-8 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 500 - 800 Ma 70W 11.5dB - 12.5 V
BSR57,215 NXP USA Inc. BSR57,215 -
RFQ
ECAD 6748 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSR5 250 MW SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 40 V - 40 V 20 Ma @ 15 V 5 V @ 0.5 na 40 ohmios
PDTC144EU,115 NXP USA Inc. PDTC144EU, 115 -
RFQ
ECAD 2105 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PDTC14 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
PSMN165-200K518 NXP USA Inc. PSMN165-200K518 0.4500
RFQ
ECAD 9532 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 40 N-canal 200 V 2.9a (TC) 10V 165mohm @ 2.5a, 10v 4V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 20V 1330 pf @ 25 V - 3.5W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock