SIC
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Transistores (4003)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
BC807-40/6215 NXP USA Inc. BC807-40/6215 -
RFQ
 ECAD 6901 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
BFU730LXZ NXP USA Inc. Bfu730lxz 0.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 3-xfdfn BFU730 160MW DFN1006C-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 15.8db 3V 30mera NPN 205 @ 2mA, 3V 53GHz 0.75db @ 6Ghz
PBSS5330PA,115 NXP USA Inc. PBSS5330PA, 115 -
RFQ
 ECAD 4438 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo PBSS5 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000
BS108,126 NXP USA Inc. BS108,126 -
RFQ
 ECAD 1290 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO6-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BS10 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 300 mA (TA) 2.8V 5ohm @ 100 mm, 2.8V 1.8V @ 1MA ± 20V 120 pf @ 25 V - 1W (TA)
PBLS2001S,115 NXP USA Inc. PBLS2001S, 115 -
RFQ
 ECAD 5228 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) PBLS20 1.5w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 50V, 20V 100 Ma, 3a 1 µA, 100NA 1 NPN Pre-Sesgado, 1 PNP 150mv @ 500 µA, 10 mm / 355mv @ 300mA, 3A 30 @ 20MA, 5V / 150 @ 2a, 2V 100MHz 2.2 kohms 2.2 kohms
MRF18090AR3 NXP USA Inc. MRF18090AR3 -
RFQ
 ECAD 2517 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-957a MRF18 1.81GHz Ldmos NI-880H-2L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 250 - 750 Ma 90W 13.5dB - 26 V
BC847AW NXP USA Inc. Bc847aw -
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 200 MW Sot-323 descascar 0000.00.0000 1 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 100MHz
BUK7C1R2-40EJ NXP USA Inc. Buk7c1r2-40eJ -
RFQ
 ECAD 6525 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) Buk7c1 Mosfet (Óxido de metal) D2pak-7 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934067488118 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V - - - - -
MRF8S21140HSR5 NXP USA Inc. MRF8S21140HSR5 -
RFQ
 ECAD 1401 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Ni-780s MRF8 2.14 GHz Ldmos Ni-780s - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 970 Ma 34W 17.9dB - 28 V
BUK7528-55,127 NXP USA Inc. BUK7528-55,127 -
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Buk75 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 40A (TC) 10V 28mohm @ 20a, 10v 4V @ 1MA ± 16V 1300 pf @ 25 V - 96W (TC)
BCX52-10,115 NXP USA Inc. BCX52-10,115 -
RFQ
 ECAD 2818 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BCX52 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000
PMD9003D,115 NXP USA Inc. PMD9003D, 115 -
RFQ
 ECAD 3497 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 50V NPN, 45V NPN Controlador Montaje en superficie SC-74, SOT-457 PMD90 SC-74 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 3.000 Npn de 100 mA, npn de 100 ma 2 NPN (Tótem)
BUK724R5-30C118 NXP USA Inc. BUK724R5-30C118 0.4100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 75A (TC) 10V 4.5mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 62 NC @ 10 V ± 20V 3760 pf @ 25 V - 157W (TC)
PDTA144EK,115 NXP USA Inc. PDTA144EK, 115 -
RFQ
 ECAD 2970 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTA144 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 1 µA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5MA, 5V 47 kohms 47 kohms
MRFX600HR5 NXP USA Inc. MRFX600HR5 156.0300
RFQ
 ECAD 5945 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 179 V Monte del Chasis NI-780-4 MRFX600 1.8MHz ~ 400MHz Ldmos NI-780-4 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 Dual 10 µA 100 mA 600W 26.4db - 65 V
PMV30UN,215 NXP USA Inc. PMV30UN, 215 -
RFQ
 ECAD 9868 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PMV3 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23 (TO-236AB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 5.7a (TC) 1.8V, 4.5V 36mohm @ 2a, 4.5V 700mv @ 1MA (typ) 7.4 NC @ 4.5 V ± 8V 460 pf @ 20 V - 1.9W (TC)
A3G26D055N-2110 NXP USA Inc. A3G26D055N-2110 675.0000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. - Una granela Activo 125 V Montaje en superficie 6-LDFN Pad Expunesta 100MHz ~ 2.69GHz Ganancia 6-PDFN (7x6.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 568-A3G26D055N-2110 EAR99 8541.29.0075 1 - 40 Ma 8W 13.9db - 48 V
2PC4081R NXP USA Inc. 2pc4081r -
RFQ
 ECAD 2701 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar 0000.00.0000 1
BC817-25,235 NXP USA Inc. BC817-25,235 -
RFQ
 ECAD 3935 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo BC817 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000
BUK761R6-40E,118 NXP USA Inc. BUK761R6-40E, 118 -
RFQ
 ECAD 6331 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar EAR99 8541.29.0095 64 N-canal 40 V 120a (TC) 10V 1.6mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA 145 NC @ 10 V ± 20V 11340 pf @ 25 V - 349W (TC)
BUK6240-75C,118 NXP USA Inc. Buk6240-75c, 118 -
RFQ
 ECAD 6515 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Buk62 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 75 V 22a (TC) 4.5V, 10V 46mohm @ 10a, 10v 2.8V @ 1MA 21.4 NC @ 10 V ± 16V 1280 pf @ 25 V - 60W (TC)
BUK961R6-40E,118 NXP USA Inc. BUK961R6-40E, 118 -
RFQ
 ECAD 9661 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 40 V 120a (TC) 5V 1.4mohm @ 25A, 10V 2.1V @ 1MA 120 NC @ 5 V ± 10V 16400 pf @ 25 V - 357W (TC)
BUK9E8R5-40E,127 NXP USA Inc. Buk9e8r5-40e, 127 -
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Buk9 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 75A (TC) 5V, 10V 6.6mohm @ 20a, 10v 2.1V @ 1MA 20.9 NC @ 5 V ± 10V 2600 pf @ 25 V - 96W (TC)
MRF7S35015HSR5 NXP USA Inc. MRF7S35015HSR5 -
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie NI-400S-2S MRF7 3.1GHz ~ 3.5GHz Ldmos NI-400S-2S descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 50 Ma 15W 16dB - 32 V
J2A012YXZ/S1AY7UZJ NXP USA Inc. J2A012YXZ/S1AY7UZJ -
RFQ
 ECAD 9476 0.00000000 NXP USA Inc. * Tape & Reel (TR) Obsoleto J2a0 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 2.500
BUK78150-55A,115 NXP USA Inc. BUK78150-55A, 115 -
RFQ
 ECAD 3170 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Buk78 Mosfet (Óxido de metal) SC-73 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 5.5a (TC) 10V 150mohm @ 5a, 10v 4V @ 1MA ± 20V 230 pf @ 25 V - 8W (TC)
PDTC144EK,115 NXP USA Inc. PDTC144EK, 115 -
RFQ
 ECAD 4095 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC144 250 MW Smt3; Mpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 9,000 50 V 100 mA 1 µA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5MA, 5V 47 kohms 47 kohms
BFM505,115 NXP USA Inc. BFM505,115 -
RFQ
 ECAD 3187 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BFM50 500MW 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 - 8V 18 MA 2 NPN (dual) 60 @ 5 MMA, 6V 9 GHz 1.1db ~ 1.9db @ 900MHz ~ 2GHz
BFG505,215 NXP USA Inc. BFG505,215 -
RFQ
 ECAD 5504 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 253-4, un 253AA BFG50 150MW Sot-143b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 15V 18 MA NPN 60 @ 5 MMA, 6V 9 GHz 1.2db ~ 2.1db @ 900MHz
MRF8S9100HR5 NXP USA Inc. MRF8S9100HR5 -
RFQ
 ECAD 2498 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 70 V Monte del Chasis Sot-957a MRF8 920MHz Ldmos NI-780H-2L descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 935314124178 5A991G 8541.29.0075 50 - 500 mA 72W 19.3db - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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