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Transistores (506)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)
PDTC124TU, 115	-	RFQ	5646	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-70, SOT-323	PDTC124			200 MW	Sot-323	-						0000.00.0000	1																		50 V	100 mA		1 µA	NPN - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	100 @ 1 mapa, 5v		22 kohms
PSMN8R5-100PSFQ	-	RFQ	3291	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-PSMN8R5-100PSFQ-954			1		N-canal					100 V	98a (TA)	7V, 10V	8.7mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	44.5 NC @ 10 V	± 20V	3181 pf @ 50 V	-	183W (TA)
PBSS4260PANP, 115	1.0000	RFQ	2332	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo										descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PBSS4260PANP, 115-954			1
BLF8G27LS-100PJ	-	RFQ	4497	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	SOT-1121B		2.5Ghz ~ 2.7GHz	LDMOS (Dual), Fuente Común		Más	-				2156-Blf8g27LS-100pj			1	2 Canal		-	860 Ma	25W	18dB											-			28 V
PDTC143ZMB, 315	0.0300	RFQ	126	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo										descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PDTC143ZMB, 315-954			1
BUK9880-55/CU135	-	RFQ	9969	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo										descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BUK9880-55/CU135-954			1
PUMH9/ZL165	-	RFQ	1482	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto			Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363				200MW	6-TSOP	-				2156-PUMH9/ZL165			1																		50V	100mA		100na	2 NPN - Precializado	100mv @ 250 µA, 5 mA	100 @ 5 MMA, 5V	230MHz	10 kohms	47 kohm
PDTD113ZT, 215	0.0300	RFQ	39	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					PDTD113					descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PDTD113ZT, 215-954	EAR99	8541.21.0095	10,764
BF824,215	-	RFQ	2584	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW	Sot-23	descascar						0000.00.0000	1																		30 V	25 Ma		50NA (ICBO)	PNP	-	25 @ 4MA, 10V	450MHz
PMST5550,135	0.0300	RFQ	15	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-70, SOT-323				200 MW	Sot-323	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMST5550,135-954			1																		140 V	300 mA		100NA (ICBO)	NPN	250 MV a 5 mm, 50 Ma	60 @ 10mA, 5V	300MHz
BLF6G22LS-180RN	-	RFQ	4998	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	Sot-502b		2.11GHz ~ 2.17GHz	Ldmos		Sot502b	-				2156-Blf6G22LS-180RN			1	N-canal		5 µA	1.4 A	40W	16dB											-			30 V
PSMN085-150K, 518	0.3300	RFQ	9	Semiconductorores nxp	Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-PSMN085-150K, 518-954			1		N-canal					150 V	3.5A (TC)	10V	85mohm @ 3.5a, 10v	4V @ 1MA	40 NC @ 10 V	± 20V	1310 pf @ 25 V	-	3.5W (TC)
PH2525L, 115	0.2400	RFQ	4	Semiconductorores nxp	Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-100, SOT-669			Mosfet (Óxido de metal)		LFPAK56, POWER-SO8	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PH2525L, 115-954			1.268		N-canal					25 V	100A (TC)	4.5V, 10V	2.5mohm @ 25A, 10V	2.15V @ 1MA	34.7 NC @ 4.5 V	± 20V	4470 pf @ 12 V	-	62.5W (TC)
BCW72,235	0.0300	RFQ	130	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW	To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BCW72,235-954			1																		45 V	100 mA		100NA (ICBO)	NPN	210 MV @ 2.5mA, 50 Ma	200 @ 2mA, 5V	100MHz
PBSS8110Y, 115	-	RFQ	8170	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363				625 MW	6-TSOP	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PBSS8110Y, 115-954			1																		100 V	1 A		100na	NPN	200 MV @ 100 MAPA, 1A	150 @ 250 Ma, 10v	100MHz
BC54-16PA, 115	0.0600	RFQ	29	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-Powerudfn				420 MW	3-Huson (2x2)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BC54-16PA, 115-954	EAR99	8541.21.0075	1																		45 V	1 A		100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50 mA, 500 mA	63 @ 150mA, 2V	180MHz
PBSS304PD, 115	0.1100	RFQ	21	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-74, SOT-457				1.1 W	6-TSOP	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PBSS304PD, 115-954			1																		80 V	1 A		100na	PNP	540mv @ 500 Ma, 5a	155 @ 500mA, 2V	110MHz
PBSS5230QAZ	0.0600	RFQ	554	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición 3-xdfn				325 MW	DFN1010D-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PBSS5230QAZ-954	EAR99	8541.29.0075	1																		30 V	2 A		100NA (ICBO)	PNP	210 MV @ 50 mm, 1a	60 @ 2a, 2v	170MHz
A7101CLTK2/T0BC27J	1.3400	RFQ	6	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo										descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-A7101CLTK2/T0BC27J-954			243
Buk7e2r3-40e, 127	0.8500	RFQ	3	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)		I2pak	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BUK7E2R3-40E, 127-954			1		N-canal					40 V	120a (TC)	10V	2.3mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	109.2 NC @ 10 V	± 20V	8500 pf @ 25 V	-	293W (TC)
Buk762r6-40e, 118	-	RFQ	8816	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BUK762R6-40E, 118-954			1		N-canal					40 V	100A (TC)	10V	2.6mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	91 NC @ 10 V	± 20V	7130 pf @ 25 V	-	263W (TC)
PBSS5350T, 215	1.0000	RFQ	4318	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				300 MW	Sot-23	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	1																		50 V	2 A		100NA (ICBO)	PNP	390mv @ 300 mm, 3a	200 @ 1a, 2v	100MHz
PSMN9R5-30LC, 115	-	RFQ	6015	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo										descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PSMN9R5-30YLC, 115-954	EAR99	8541.29.0075	1
BC807-25,215	0.0200	RFQ	774	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW	To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BC807-25,215-954			1																		45 V	500 mA		100NA (ICBO)	PNP	700mv @ 50 mm, 500 mA	160 @ 100mA, 1V	80MHz
Pdtc143eqaz	0.0300	RFQ	39	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					PDTC143					descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PDTC143EQAZ-954	EAR99	8541.21.0075	1
Aft27S010NT1	10.3900	RFQ	2	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	PLD-1.5W		728MHz ~ 3.6GHz	Ldmos		PLD-1.5W	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-Atain27S010NT1	EAR99	8541.29.0075	1			10 µA	90 Ma	1.26W	21.7db											-			28 V
PMV33UPE, 215	-	RFQ	7551	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3			Mosfet (Óxido de metal)		Sot-23	descascar					EAR99	8541.21.0095	1		Canal P					20 V	4.4a (TA)	1.8V, 4.5V	36mohm @ 3a, 4.5V	950MV @ 250 µA	22.1 NC @ 4.5 V	± 8V	1820 pf @ 10 V	-	490MW (TA)
PBLS1503Y, 115	0.0700	RFQ	222	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					PBLS1503					descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PBLS1503Y, 115-954			4.873
BUK7506-55A, 127	-	RFQ	1400	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar					EAR99	8541.29.0095	1		N-canal					55 V	75A (TC)	10V	6.3mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA		± 20V	6000 pf @ 25 V	-	300W (TC)
BCM847BV, 315	-	RFQ	2044	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-563, SOT-666	BCM847			300MW	Sot-666	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BCM847BV, 315-954			1																		45V	100mA		15NA (ICBO)	2 NPN (dual) par emparejado	400mv @ 5 Ma, 100 Ma	200 @ 2mA, 5V	250MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
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