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Transistores (506)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Resistencia - Base (R1)	Resistencia - Base de Emisor (R2)	Figura de Ruido (db typ @ f)
PQMH2147	-	RFQ	5002	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo										-				2156-PQMH2147			1
Pumb19,115	1.0000	RFQ	7660	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Pumb19			300MW	6-TSOP	descascar						0000.00.0000	1																		50V	100mA		1 µA	2 PNP - Precializado (dual)	150mv @ 500 µA, 10 mA	100 @ 1 mapa, 5v	-	22 kohms	-
BCP51	-	RFQ	3460	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				1 W	SOT-223	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-BCP51-954			1																		45 V	1 A		100NA (ICBO)	PNP	500mv @ 50 mA, 500 mA	63 @ 150mA, 2V	145MHz
Buk664r4-55c, 118	-	RFQ	5636	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BUK664R4-55C, 118-954	EAR99	8541.29.0095	124		N-canal					55 V	100A (TC)	5V, 10V	4.9mohm @ 25A, 10V	2.8V @ 1MA	124 NC @ 10 V	± 16V	7750 pf @ 25 V	-	204W (TC)
PSMN2R8-25MLC115	-	RFQ	2760	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo										descascar					EAR99	8541.29.0095	1
PEMH30,115	0.0400	RFQ	128	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo										descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PEMH30,115-954			1
BCV62C, 215	0.1400	RFQ	2	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					BCV62					descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BCV62C, 215-954	EAR99	8541.21.0075	1
Bc55-16pasx	-	RFQ	1555	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-udfn almohadilla exposición				420 MW	DFN2020D-3	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BC55-16PASX-954	EAR99	8541.21.0075	1																		60 V	1 A		100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50 mA, 500 mA	63 @ 150mA, 2V	180MHz
Pdta113zu, 115	0.0200	RFQ	240	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo										descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PDTA113ZU, 115-954			1
BUK6218-40C, 118	0.2200	RFQ	2350	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BUK6218-40C, 118-954			1		N-canal					40 V	42a (TC)	10V	16mohm @ 10a, 10v	2.8V @ 1MA	22 NC @ 10 V	± 16V	1170 pf @ 25 V	-	60W (TC)
A2I22D050NR1	51.7500	RFQ	2	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	Un 270WB-15		1.8GHz ~ 2.2GHz	LDMOS (dual)		Un 270WB-15	-				2156-A2I22D050NR1			6	2 Canal		10 µA	520 Ma	5.3w	31.1DB @ 1.88GHz											-			28 V
BC54-10PASX	0.0600	RFQ	146	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-udfn almohadilla exposición				420 MW	DFN2020D-3	descascar					EAR99	8541.29.0075	1																		45 V	1 A		100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 50 mA, 500 mA	63 @ 150mA, 2V	180MHz
Bc54pas115	0.0600	RFQ	15	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo										descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-BC54PAS115-954			1
BUK6610-75C, 118	0.4100	RFQ	7	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-buk6610-75c, 118-954			1		N-canal					75 V	78a (TC)	10V	10mohm @ 25A, 10V	2.8V @ 1MA	81 NC @ 10 V	± 16V	5251 pf @ 25 V	-	158W (TC)
PBSS5330PASX	-	RFQ	3171	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-udfn almohadilla exposición				600 MW	DFN2020D-3	descascar					EAR99	8541.29.0075	1																		30 V	3 A		100na	PNP	320mv @ 300 Ma, 3a	175 @ 1a, 2v	165MHz
PBSS5220T, 215	-	RFQ	8901	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				480 MW	To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PBSS5220T, 215-954			1																		20 V	2 A		100NA (ICBO)	PNP	225mv @ 200Ma, 2a	200 @ 1a, 2v	100MHz
PMMT591A, 215	0.0400	RFQ	4937	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3				250 MW	To-236ab	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PMMT591A, 215-954	EAR99	8541.21.0075	3.740																		40 V	1 A		100na	PNP	500mv @ 100 mm, 1a	300 @ 100mA, 5V	150MHz
PhPT60406NYX	-	RFQ	1984	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SC-100, SOT-669				1.35 W	LFPAK56, POWER-SO8	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PHPT60406NYX-954	EAR99	8541.29.0075	1																		40 V	6 A		100na	NPN	380mv @ 300 Ma, 6a	230 @ 500 mA, 2V	153MHz
BC51PA, 115	-	RFQ	5795	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-Powerudfn				420 MW	3-Huson (2x2)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BC51PA, 115-954			1																		45 V	1 A		100NA (ICBO)	PNP	500mv @ 50 mA, 500 mA	63 @ 150mA, 2V	145MHz
BLC8G27LS-180AVY	-	RFQ	7434	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo										-				2156-BlC8G27LS-180AVY			1
PDTC144WM, 315	0.0300	RFQ	120	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-101, SOT-883	PDTC144			250 MW	DFN1006-3	descascar					EAR99	8541.21.0095	15,000																		50 V	100 mA		1 µA	NPN - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	60 @ 5MA, 5V		47 kohms	22 kohms
2pd601asl, 235	-	RFQ	7114	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	2PD601			250 MW	To-236ab	descascar					EAR99	8541.21.0075	1																		50 V	100 mA		10NA (ICBO)	NPN	250 MV @ 10 Ma, 100 Ma	290 @ 2mA, 10V	100MHz
Buk763r1-40b, 118	1.1900	RFQ	12	Semiconductorores nxp	Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BUK763R1-40B, 118-954			1		N-canal					40 V	75A (TC)	10V	3.1mohm @ 25A, 10V	4V @ 1MA	94 NC @ 10 V	± 20V	6808 pf @ 25 V	-	300W (TC)
PBLS6005D, 115	-	RFQ	8192	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-74, SOT-457	PBLS6005			600MW	6-TSOP	descascar						0000.00.0000	1																		50V, 60V	100 Ma, 700 Ma		1 µA, 100NA	1 NPN Pre-Sesgado, 1 PNP	150mv @ 500 µA, 10 mm / 340mv @ 100 mm, 1A	80 @ 5mA, 5V / 150 @ 500 mA, 5V	185MHz	47 kohms	47 kohms
MRF300an	-	RFQ	4595	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo	133 V		A Través del Aguetero	TO-247-3		1.8MHz ~ 250MHz	Ldmos		TO-247-3	-				2156-MRF300an			1	N-canal		10 µA	100 mA	300W	28.2db											-			50 V
PBLS4003D, 115	0.0700	RFQ	66	Semiconductorores nxp	*	Una granela	Activo					PBLS4003					descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-PBLS4003D, 115-954			4,473
BC68-25PA, 115	0.0700	RFQ	7	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-Powerudfn				420 MW	3-Huson (2x2)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	2156-BC68-25PA, 115-954			1																		20 V	2 A		100NA (ICBO)	NPN	600mv @ 200Ma, 2a	160 @ 500mA, 1V	170MHz
BFU610F, 115	0.2200	RFQ	3	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sot-343f				136MW	4-DFP	-				2156-BFU610F, 115			1.391						17dB												5.5V	10 Ma			NPN		90 @ 1 MMA, 2V	15 GHz			0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5Ghz ~ 5.8GHz
PDTA123ym, 315	-	RFQ	5284	Semiconductorores nxp	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-101, SOT-883	PDTA123			250 MW	DFN1006-3	descascar						0000.00.0000	1																		50 V	100 mA		1 µA	PNP - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	35 @ 5MA, 5V		2.2 kohms	10 kohms
PDTC114EM, 315	-	RFQ	8997	Semiconductorores nxp	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SC-101, SOT-883				250 MW	DFN1006-3	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-PDTC114EM, 315-954			1																		50 V	100 mA		1 µA	NPN - Pre -Sesgado	150mv @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5MA, 5V	230 MHz	10 kohms	10 kohms

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