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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | FDP039N08B | 2.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-FDP039N08B-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bd678as | 0.2800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 14 W | A-126-3 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BD678As-600039 | 1 | 60 V | 4 A | 500 µA | PNP - Darlington | 2.8V @ 40 mm, 2a | 750 @ 2a, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc5321tu | 0.2400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-KSC5321TU-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF654B | 0.9600 | ![]() | 447 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar Afectados | 2156-IRF654B-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP68 | 0.0500 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 W | SOT-223-4 | - | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-BCP68-600039 | 1 | 20 V | 1 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 85 @ 500mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDP708AE | 2.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156p708ae-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP4N05L | 0.5300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Vendedor indefinido | 2156-RFP4N05L-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002-G | - | ![]() | 4946 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-2N7002-G | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 60 V | 115MA (TC) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 200MW (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NTP082N65S3F | - | ![]() | 5306 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | FRFET®, Superfet® II | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-NTP082N65S3F | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 V | 40A (TC) | 10V | 82mohm @ 20a, 10v | 5V @ 1MA | 81 NC @ 10 V | ± 30V | 3410 pf @ 400 V | - | 313W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8350L | 2.1700 | ![]() | 981 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | Power56 | descascar | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-FDMS8350L | EAR99 | 8541.29.0095 | 139 | N-canal | 40 V | 47a (TA), 290A (TC) | 4.5V, 10V | 0.85mohm @ 47a, 10V | 3V @ 250 µA | 242 NC @ 10 V | ± 20V | 17500 pf @ 20 V | - | 2.7W (TA), 113W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8445 | - | ![]() | 5935 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-FDB8445 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 40 V | 70A (TC) | 10V | 9mohm @ 70a, 10v | 4V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 3805 pf @ 25 V | - | 92W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FMM7G50US60I | 28.1700 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Módulo | 139 W | Rectificador de Puente Trifásico | - | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2156-FMM7G50US60I | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor trifásico con freno | - | 600 V | 50 A | 2.7V @ 15V, 50A | 250 µA | Si | 3.565 NF @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA90N30DTU | 2.5200 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Estándar | 219 W | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 21 ns | - | 300 V | 90 A | 220 A | 1.4V @ 15V, 20a | - | 87 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC337 | 1.0000 | ![]() | 6122 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | TO-92 (TO-226) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 V | 800 Ma | 100na | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 210MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8445-F085 | 1.0000 | ![]() | 7636 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 70A (TC) | 10V | 9mohm @ 70a, 10v | 4V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 3805 pf @ 25 V | - | 92W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDC796N | 0.6400 | ![]() | 988 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6 SSOT Plano, SuperSot ™ -6 FLMP | Mosfet (Óxido de metal) | Supersot ™ -6 flmp | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12.5a (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 12.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 5 V | ± 20V | 1444 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76413D3S | 0.2700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 60 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 49mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 16V | 645 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC636TFR | - | ![]() | 2847 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 1 W | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 7,695 | 45 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2335rtu | 1.0000 | ![]() | 2324 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 1.5 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 7 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 600 Ma, 3a | 20 @ 1a, 5v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc549bbu | - | ![]() | 7555 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP5P20 | 1.0000 | ![]() | 1738 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 200 V | 4.8a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2.4a, 10v | 5V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc32725tf | - | ![]() | 9485 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 V | 800 Ma | 100na | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC32725 | 0.0600 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 V | 800 Ma | 100na | PNP | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9V3036D3ST | 1.9600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Ecospark® | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Lógica | 150 W | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 300V, 1KOHM, 5V | - | 360 V | 21 A | 1.6v @ 4V, 6a | - | 17 NC | -/4.8 µs | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fds9933bz | 0.5100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FDS99 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.9a | 46mohm @ 4.9a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 15NC @ 4.5V | 985pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd3n30tf | 0.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 300 V | 2.4a (TC) | 10V | 2.2ohm @ 1.2a, 10V | 5V @ 250 µA | 7 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS3616S | 0.8300 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | FDMS3616 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Asimétrico del canal (dual) | 25V | 16a, 18a | 6.6mohm @ 16a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 27nc @ 10V | 1765pf @ 13V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BD14010S | 1.0000 | ![]() | 6439 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 1.25 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 80 V | 1.5 A | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150mA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA940H2TU | - | ![]() | 1692 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 1.5 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 150 V | 1.5 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma | 40 @ 500mA, 10V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc856amtf | 0.0500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC856 | 310 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 110 @ 2mA, 5V | 150MHz |
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