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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Mmbt200-fs | 0.0300 | ![]() | 155 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 500 mA | 50NA | PNP | 400mv @ 20 mm, 200 mA | 100 @ 150mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgs23n60ufdtu | 1.0000 | ![]() | 8772 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SGS23N60 | Estándar | 73 W | Un 220F | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 300V, 12a, 23ohm, 15V | 60 ns | - | 600 V | 23 a | 92 A | 2.6V @ 15V, 12A | 115 µJ (Encendido), 135 µJ (apaguado) | 49 NC | 17ns/60ns | ||||||||||||||||||||
![]() | 2sc5242rtu | 1.5000 | ![]() | 498 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | 130 W | Un 3p | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 250 V | 17 A | 5 µA (ICBO) | NPN | 3V @ 800mA, 8A | 55 @ 1a, 5v | 30MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8692 | 0.5000 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TA), 28a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 12a, 10v | 3V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1265 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 41W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDP8860 | 1.2600 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 238 | N-canal | 30 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 80a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 222 NC @ 10 V | ± 20V | 12240 pf @ 15 V | - | 254W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc239bbu | - | ![]() | 9151 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 25 V | 100 mA | 15NA | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 180 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76609D3_NL | - | ![]() | 7166 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 238 | N-canal | 100 V | 10a (TC) | 4.5V, 10V | 160mohm @ 10a, 10v | 3V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 16V | 425 pf @ 25 V | - | 49W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | HUFA75344G3 | 2.3600 | ![]() | 96 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 300 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 8mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 20 V | ± 20V | 3200 pf @ 25 V | - | 285W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Fga15n120ftdtu | - | ![]() | 3612 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA15N120 | Estándar | 220 W | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 575 ns | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 30 A | 45 A | 2V @ 15V, 15a | - | 100 NC | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4011R | 0.0200 | ![]() | 9581 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | FJY401 | 200 MW | SOT-523F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 200 MHz | 22 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF9N50T | 0.9600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 730mohm @ 2.65a, 10V | 5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1450 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Tip48tu | 0.4100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 2 W | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 1 A | 1mera | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 30 @ 300mA, 10V | 10MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP3307DH2TU | 0.1700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 80 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 400 V | 8 A | - | NPN | 3V @ 2a, 8a | 26 @ 2a, 5v | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF10N80 | 1.6700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N-canal | 800 V | 6.7a (TC) | 10V | 1.05ohm @ 3.35a, 10V | 5V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 30V | 2700 pf @ 25 V | - | 113W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76113SK8 | 0.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-VFSOP (0.091 ", 2.30 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | US8 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 6.5a (TA) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 6.5a, 10V | 3V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 585 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | Ksc815ybu | 0.0600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 400 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45 V | 200 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 120 @ 50mA, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ss9011fbu | - | ![]() | 6413 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 400 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 9,134 | 30 V | 30 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 54 @ 1mA, 5V | 2MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf30n06 | 0.5300 | ![]() | 85 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 21a (TC) | 10V | 40mohm @ 10.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 25V | 945 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BSR17A | - | ![]() | 5551 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 V | 200 MA | 5 µA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP32N12V2 | 0.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 120 V | 32A (TC) | 10V | 50mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1860 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||
FDW2503NZ | 0.5500 | ![]() | 136 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | FDW25 | Mosfet (Óxido de metal) | 600MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 5.5a | 20mohm @ 5.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17NC @ 4.5V | 1286pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB30N6S2 | 0.9300 | ![]() | 5843 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | 167 W | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 225 | 390V, 12a, 10ohm, 15V | - | 600 V | 45 A | 108 A | 2.5V @ 15V, 12A | 55 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) | 23 NC | 6ns/40ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Pn2222ta | - | ![]() | 3577 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10 MV | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fgl35n120ftdtu | 6.0600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-264-3, TO-264AA | Estándar | 368 W | HPM F2 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 600V, 35a, 10ohm, 15V | 337 ns | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 70 A | 105 A | 2.2V @ 15V, 35a | 2.5mj (Encendido), 1.7mj (apaguado) | 210 NC | 34NS/172NS | ||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1013ota | 0.1100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) | KSA1013 | 900 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 2.664 | 160 V | 1 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 200Ma, 5V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB6035L | 3.4000 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 58a (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 26a, 10v | 3V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1230 pf @ 15 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FGA40T65UQDF | 1.9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Estándar | 231 W | Un 3pn | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V, 40a, 6ohm, 15V | 89 ns | Escrutinio | 650 V | 80 A | 120 A | 1.67V @ 15V, 40A | 989 µJ (Encendido), 310 µJ (apagado) | 306 NC | 32NS/271NS | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8896 | 0.9100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 330 | N-canal | 30 V | 19A (TA), 93A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 35a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 2525 pf @ 15 V | - | 80W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDPF5N50NZF | 0.7900 | ![]() | 552 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet-ii ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 V | 4.2a (TC) | 10V | 1.75ohm @ 2.1a, 10V | 5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 25V | 485 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP7P20 | 0.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 200 V | 7.3a (TC) | 10V | 690mohm @ 3.65a, 10V | 5V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 30V | 770 pf @ 25 V | - | 90W (TC) |
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