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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | FDMC8884-FS | - | ![]() | 5564 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-MLP (3.3x3.3) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | N-canal | 30 V | 9a (TA), 15a (TC) | 19mohm @ 9a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 685 pf @ 15 V | - | 2.3W (TA), 18W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | FDU8882 | 0.5100 | ![]() | 9933 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 518 | N-canal | 30 V | 12.6a (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 35a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 1260 pf @ 15 V | - | 55W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | Bc33740ta | 1.0000 | ![]() | 1559 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 800 Ma | 100na | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 250 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Fds6990s | 0.9400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FDS6990 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW (TA) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 7.5a (TA) | 22mohm @ 7.5a, 10v | 3V @ 1MA | 16NC @ 5V | 1233pf @ 15V | - | |||||||||||||||||
![]() | FQI27N25TU-F085 | 2.0000 | ![]() | 640 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Fqi2 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 250 V | 25.5A (TC) | 10V | 110mohm @ 12.75a, 10v | 5V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | ± 30V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 417W (TC) | |||||||||||||||
![]() | Bdw93c | 1.0000 | ![]() | 3705 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 80 W | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 12 A | 1mera | NPN - Darlington | 3V @ 100 Ma, 10a | 750 @ 5a, 3V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3904 | 1.0000 | ![]() | 9827 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT390 | 350 MW | SOT23-3 (TO-236) | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 V | 200 MA | 50NA | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | Fdmt800152dc | 3.3400 | ![]() | 7916 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Dual Cool ™, Perstrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-dual Cool ™ 88 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 150 V | 13A (TA), 72A (TC) | 6V, 10V | 9mohm @ 13a, 10v | 4V @ 250 µA | 83 NC @ 10 V | ± 20V | 5875 pf @ 75 V | - | 3.2W (TA), 113W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | NDS8936 | 0.7800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | NDS893 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 5.3a | 35mohm @ 5.3a, 10V | 2.8V @ 250 µA | 30NC @ 10V | 720pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||
![]() | Ksh29ctf | - | ![]() | 2532 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | KSH29 | 1.56 W | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 100 V | 1 A | 50 µA | NPN | 700mv @ 125ma, 1a | 15 @ 1a, 4v | 3MHz | |||||||||||||||||||
![]() | Fmg1g150us60h | 55.2800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | 595 W | Estándar | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Soltero | - | 600 V | 150 A | 2.7V @ 15V, 150a | 250 µA | No | |||||||||||||||||||
![]() | BC548 CAR | 0.0200 | ![]() | 5539 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.521 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SSP4N90A | - | ![]() | 2494 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 900 V | 4A (TC) | 10V | 5ohm @ 2a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 30V | 950 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | Isl9n2357d3st | 1.0200 | ![]() | 87 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252-3 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 10V | 7mohm @ 35a, 10v | 4V @ 250 µA | 258 NC @ 20 V | ± 20V | 5600 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FDP5645 | - | ![]() | 317 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 80a (TA) | 6V, 10V | 9.5mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250 µA | 107 NC @ 10 V | ± 20V | 4468 pf @ 30 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | Bc857bmtf | 0.0200 | ![]() | 6711 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 310 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 10,592 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 200 @ 2mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||
![]() | ISL9N302AP3 | 1.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 75a, 10v | 3V @ 250 µA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 15 V | - | 345W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | Fqb12n60tm | 1.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Qfet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 217 | N-canal | 600 V | 10.5a (TC) | 10V | 700mohm @ 5.3a, 10V | 5V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 30V | 1900 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 180W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | MPS6521D26Z | 0.0500 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | MPS6521 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 25 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 300 @ 2mA, 10V | - | |||||||||||||||||||
![]() | HUFA7533333G3 | 0.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 55 V | 66a (TC) | 10V | 16mohm @ 66a, 10V | 4V @ 250 µA | 85 NC @ 20 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | 2N5088TF | 1.0000 | ![]() | 1025 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSBCW30 | 1.0000 | ![]() | 5927 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 500 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 32 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 215 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDP2614 | - | ![]() | 2460 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-FDP2614 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 V | 62a (TC) | 10V | 27mohm @ 31a, 10v | 5V @ 250 µA | 99 NC @ 10 V | ± 30V | 7230 pf @ 25 V | - | 260W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | MPSA05 | - | ![]() | 4173 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | TO-92 (TO-226) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,203 | 60 V | 500 mA | 100na | NPN | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | SS9013GTA | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 15,000 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 112 @ 50mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd8n25tf | 0.4600 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 250 V | 6.2a (TC) | 10V | 550mohm @ 3.1a, 10V | 5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 530 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | Bc307bbu | - | ![]() | 6045 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45 V | 100 mA | 15NA | PNP | 500mv @ 5 mm, 100 mapa | 180 @ 2mA, 5V | 130MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | FQP12N60C | 1.8100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 166 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 650mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2290 pf @ 25 V | - | 225W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | Fjc2383ytf | 1.0000 | ![]() | 8581 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 500 MW | SOT-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 160 V | 1 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma | 160 @ 200MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | TN3440A | 0.0700 | ![]() | 1238 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1 W | Un 226-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 833 | 250 V | 100 mA | 50 µA | NPN | 500mv @ 4mA, 50 mA | 40 @ 20MA, 10V | 15MHz |
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