SIC
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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FQI11P06TU Fairchild Semiconductor Fqi11p06tu 0.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 11.4a (TC) 10V 175mohm @ 5.7a, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 25V 550 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 53W (TC)
BCX70G Fairchild Semiconductor Bcx70g -
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCX70 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 45 V 200 MA 20NA NPN 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 120 @ 2mA, 5V 125MHz
FCI25N60N-F102 Fairchild Semiconductor FCI25N60N-F102 -
RFQ
 ECAD 8999 0.00000000 Semiconductor de fairchild Supremos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250 µA 74 NC @ 10 V ± 30V 3352 pf @ 100 V - 216W (TC)
FQPF13N50CSDTU Fairchild Semiconductor Fqpf13n50csdtu 0.9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 48W (TC)
TIP110 Fairchild Semiconductor Consejo110 1.0000
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Un 220-3 descascar EAR99 8541.29.0095 1 60 V 2mera NPN - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4V 25MHz
KSC5305DFTTU-FS Fairchild Semiconductor Ksc5305dfttu-fs 0.5100
RFQ
 ECAD 9836 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero KSC5305 Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 10 µA (ICBO) NPN 500mv @ 400mA, 2a 8 @ 2a, 1v -
FDFS6N303 Fairchild Semiconductor Fdfs6n303 0.2900
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 N-canal 30 V 6a (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 900MW (TA)
KSC2310YBU Fairchild Semiconductor Ksc2310ybu 0.0500
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 800 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 500 150 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 120 @ 10mA, 5V 100MHz
FDSS2407 Fairchild Semiconductor Fdss2407 0.7200
RFQ
 ECAD 565 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Fdss24 Mosfet (Óxido de metal) 2.27W 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 Canal N (Dual) 62V 3.3a 110mohm @ 3.3a, 10v 3V @ 250 µA 4.3nc @ 5V 300pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
BCW31 Fairchild Semiconductor BCW31 0.0200
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 681 32 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 500 µA, 10 mA 110 @ 2mA, 5V 200MHz
FQU8N25TU Fairchild Semiconductor Fqu8n25tu 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 250 V 6.2a (TC) 10V 550mohm @ 3.1a, 10V 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 530 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
NDS352P Fairchild Semiconductor NDS352P 0.3000
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 987 Canal P 20 V 850mA (TA) 4.5V, 10V 350mohm @ 1a, 10v 2.5V @ 250 µA 4 NC @ 5 V ± 12V 125 pf @ 10 V - 500MW (TA)
KSC2883YTF Fairchild Semiconductor Ksc2883ytf 0.1200
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 4.000 30 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN 2V @ 30mA, 1.5a 160 @ 500 mA, 2V 120MHz
MMBTA05 Fairchild Semiconductor Mmbta05 -
RFQ
 ECAD 5097 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbta05 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 500 mA 100na NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
FDW2506P Fairchild Semiconductor FDW2506P 0.6400
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) FDW25 Mosfet (Óxido de metal) 600MW 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 5.3a 22mohm @ 5.3a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 34nc @ 4.5V 1015pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FDU6696 Fairchild Semiconductor FDU6696 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 13A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 24 NC @ 5 V ± 16V 1715 pf @ 15 V - 1.6W (TA), 52W (TC)
2N5401_D28Z Fairchild Semiconductor 2N5401_D28Z 1.0000
RFQ
 ECAD 2181 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 - No Aplicable EAR99 8541.21.0075 2,000 150 V 600 mA 50NA (ICBO) PNP 500mV @ 5 mm, 50 Ma 60 @ 10mA, 5V 400MHz
FDC6302P Fairchild Semiconductor FDC6302P 0.2800
RFQ
 ECAD 151 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC6302 Mosfet (Óxido de metal) 700MW Supersot ™ -6 descascar EAR99 8541.21.0095 1 2 Canal P (Dual) 25V 120 Ma 10ohm @ 200Ma, 4.5V 1.5V @ 250 µA 0.31NC @ 4.5V 11pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
KSP24TA Fairchild Semiconductor Ksp24ta 0.0200
RFQ
 ECAD 9807 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 135 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 350 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,407 30 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN - 30 @ 8 mm, 10v 620MHz
FCI11N60 Fairchild Semiconductor FCI11N60 1.2100
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1490 pf @ 25 V - 125W (TC)
BC557B Fairchild Semiconductor BC557B 0.0500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 5,770 45 V 100 mA 100na PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 180 @ 2mA, 5V 320MHz
FDS2570 Fairchild Semiconductor FDS2570 -
RFQ
 ECAD 6447 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 2.500 N-canal 150 V 4A (TA) 6V, 10V 72mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 1907 pf @ 75 V - 1W (TA)
KSA1156OSTSTU Fairchild Semiconductor Ksa1156oststu 0.1800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSA1156 1 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 400 V 500 mA 100 µA (ICBO) PNP 1V @ 10 Ma, 100 Ma 60 @ 100mA, 5V -
FFB3904 Fairchild Semiconductor FFB3904 0.0800
RFQ
 ECAD 423 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 FFB39 300MW SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 40V 200 MMA - 2 NPN (dual) 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
FJN13003TA Fairchild Semiconductor FJN13003TA 0.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 1.1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2,000 400 V 1.5 A - NPN 3V @ 500mA, 1.5a 9 @ 500 Ma, 2v 4MHz
PN2222BU Fairchild Semiconductor Pn2222bu 0.0200
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 - ROHS3 Cumplante 2156-PN2222BU-FS EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
2SA1699E-PM-AA Fairchild Semiconductor 2SA1699E-PM-AA 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo descascar Vendedor indefinido Vendedor indefinido 2156-2SA1699E-PM-AA-600039 1
NDP4050 Fairchild Semiconductor NDP4050 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Vendedor indefinido Vendedor indefinido 2156p4050-600039 1 N-canal 50 V 15A (TC) 100mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V 450 pf @ 25 V -
KSC945YTA Fairchild Semiconductor Ksc945yta 0.0400
RFQ
 ECAD 7851 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 250 MW Un 92-3 descascar EAR99 8542.39.0001 7.397 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 300MHz
FMG1G75US60H Fairchild Semiconductor FMG1G75US60H 39.0100
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 7 pm-ga 310 W Estándar 7 pm-ga descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 15 Soltero - 600 V 75 A 2.8V @ 15V, 75a 250 µA No 7.056 nf @ 30 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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