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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
HUF76619D3S Fairchild Semiconductor HUF76619D3S 0.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 100 V 18a (TC) 4.5V, 10V 85mohm @ 18a, 10v 3V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 16V 767 pf @ 25 V - 75W (TC)
HUF76437S3S Fairchild Semiconductor HUF76437S3S 0.5300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 71a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 71a, 10v 3V @ 250 µA 71 NC @ 10 V ± 16V 2230 pf @ 25 V - 155W (TC)
HUFA75332S3S Fairchild Semiconductor HUFA75332S3S 1.0000
RFQ
 ECAD 8831 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 60A (TC) 10V 19mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 85 NC @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 145W (TC)
ISL9V2040P3 Fairchild Semiconductor ISL9V2040P3 1.0000
RFQ
 ECAD 8532 0.00000000 Semiconductor de fairchild Ecospark® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Lógica 130 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 300V, 1KOHM, 5V - 430 V 10 A 1.9V @ 4V, 6A - 12 NC -/3.64 µs
KSA733CYBU Fairchild Semiconductor Ksa733cybu -
RFQ
 ECAD 3933 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 180MHz
J270 Fairchild Semiconductor J270 0.2300
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P - 30 V 2 Ma @ 15 V 500 MV @ 1 Na
HUF75229P3 Fairchild Semiconductor HUF75229P3 0.7900
RFQ
 ECAD 161 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 50 V 44a (TC) 10V 22mohm @ 44a, 10V 4V @ 250 µA 75 NC @ 20 V ± 20V 1060 pf @ 25 V - 90W (TC)
FQPF1P50 Fairchild Semiconductor Fqpf1p50 1.0000
RFQ
 ECAD 5867 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 500 V 1.03A (TC) 10V 10.5ohm @ 515mA, 10V 5V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 30V 350 pf @ 25 V - 28W (TC)
FQD1N50TM Fairchild Semiconductor Fqd1n50tm 0.5300
RFQ
 ECAD 241 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 1.1a (TC) 10V 9ohm @ 550mA, 10V 5V @ 250 µA 5.5 NC @ 10 V ± 30V 150 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 25W (TC)
FMG1G100US60L Fairchild Semiconductor FMG1G100US60L 37.9900
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 7 pm-ga 400 W Estándar 7 pm-ga descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 15 Soltero - 600 V 100 A 2.8V @ 15V, 100A 250 µA No 10.84 nf @ 30 V
FQPF90N10V2 Fairchild Semiconductor Fqpf90n10v2 2.3700
RFQ
 ECAD 809 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 90A (TC) 10V 10mohm @ 45a, 10v 4V @ 250 µA 191 NC @ 10 V ± 30V 6150 pf @ 25 V - 83W (TC)
FDS6688 Fairchild Semiconductor FDS6688 1.0700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 16a (TA) 4.5V, 10V 6mohm @ 16a, 10v 3V @ 250 µA 56 NC @ 5 V ± 20V 3888 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FDP8870-F085 Fairchild Semiconductor FDP8870-F085 1.1200
RFQ
 ECAD 291 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar No Aplicable EAR99 8541.29.0095 291 N-canal 30 V 19a (TA), 156a (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 132 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 15 V - 160W (TC)
FMG1G50US60H Fairchild Semiconductor FMG1G50US60H 34.0000
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 7 pm-ga 250 W Estándar 7 pm-ga descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 15 Soltero - 600 V 50 A 2.8V @ 15V, 50A 250 µA No 3.46 NF @ 30 V
FQP4N90 Fairchild Semiconductor FQP4N90 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 189 N-canal 900 V 4.2a (TC) 10V 3.3ohm @ 2.1a, 10V 5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 140W (TC)
SGW5N60RUFDTM Fairchild Semiconductor Sgw5n60rufdtm 0.8500
RFQ
 ECAD 1026 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sgw5n Estándar 60 W D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 291 300V, 5A, 40OHM, 15V 55 ns - 600 V 8 A 15 A 2.8V @ 15V, 5A 88 µJ (Encendido), 107 µJ (apaguado) 16 NC 13ns/34ns
FJX3013RTF Fairchild Semiconductor FJX3013RTF 1.0000
RFQ
 ECAD 6190 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 FJX301 200 MW SC-70-3 (SOT323) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 47 kohms
KSA1015OBU Fairchild Semiconductor Ksa1015obu 0.0900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 400 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 70 @ 2mA, 6V 80MHz
FDP2670 Fairchild Semiconductor FDP2670 1.5900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 200 V 19a (TA) 10V 130mohm @ 10a, 10v 4.5V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 1320 pf @ 100 V - 93W (TC)
FDZ493P Fairchild Semiconductor FDZ493P 0.2900
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 9-WFBGA Mosfet (Óxido de metal) 9-BGA (1.55x1.55) descascar No Aplicable EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4.6a (TA) 2.5V, 4.5V 46mohm @ 4.6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 12V 754 pf @ 10 V - 1.7w (TA)
2N4124TF Fairchild Semiconductor 2N4124TF 0.0200
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,318 25 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 120 @ 2mA, 1V 300MHz
FQB15P12TM Fairchild Semiconductor Fqb15p12tm -
RFQ
 ECAD 4778 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 120 V 15A (TC) 10V 200mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 100W (TC)
HGT1S14N36G3VLT Fairchild Semiconductor Hgt1s14n36g3vlt 1.5400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Lógica 100 W I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 300V, 7a, 25ohm, 5V - 390 V 18 A 2.2V @ 5V, 14A - 24 NC -/7 µs
FQP5N80 Fairchild Semiconductor FQP5N80 1.0000
RFQ
 ECAD 9416 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 4.8a (TC) 10V 2.6ohm @ 2.4a, 10v 5V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1250 pf @ 25 V - 140W (TC)
FQPF12P10 Fairchild Semiconductor Fqpf12p10 0.5700
RFQ
 ECAD 114 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 100 V 8.2a (TC) 10V 290mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 30V 800 pf @ 25 V - 38W (TC)
FDG326P Fairchild Semiconductor FDG326P 0.0900
RFQ
 ECAD 524 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Mosfet (Óxido de metal) SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 1.5a (TA) 1.8V, 4.5V 140mohm @ 1.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 7 NC @ 4.5 V ± 8V 467 pf @ 10 V - 750MW (TA)
FQB19N10LTM Fairchild Semiconductor Fqb19n10ltm 0.6000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 19a (TC) 5V, 10V 100mohm @ 9.5a, 10V 2V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 20V 870 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 75W (TC)
MMBT3416 Fairchild Semiconductor MMBT3416 0.0200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar Rohs no conforme EAR99 0000.00.0000 3.000 50 V 500 mA - NPN - - -
PN4091 Fairchild Semiconductor PN4091 0.0600
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 16pf @ 20V 40 V 30 Ma @ 20 V 5 V @ 1 Na 30 ohmios
SGR15N40LTM Fairchild Semiconductor SGR15N40LTM 0.8000
RFQ
 ECAD 765 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SGR15 Estándar 45 W TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 - Zanja 400 V 130 A 8V @ 4.5V, 130a - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

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