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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
BSP51 Fairchild Semiconductor BSP51 1.0000
RFQ
 ECAD 2612 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1 W SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 80 V 500 mA 10 µA NPN - Darlington 1.3V @ 500 µA, 500 mA 1000 @ 150mA, 10V -
FQI4N20TU Fairchild Semiconductor Fqi4n20tu 0.3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 3.6a (TC) 10V 1.4ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250 µA 6.5 NC @ 10 V ± 30V 220 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 45W (TC)
KSA1242OTU Fairchild Semiconductor Ksa1242otu 0.1800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 10 W I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 5.040 20 V 5 A 100 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mapa, 4a 100 @ 500mA, 2V 180MHz
ZTX614 Fairchild Semiconductor ZTX614 -
RFQ
 ECAD 3011 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 226 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 378 100 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.25V @ 8 Ma, 800 Ma 10000 @ 500 mA, 5V -
FQI17P10TU Fairchild Semiconductor Fqi17p10tu 0.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Qfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 100 V 16.5a (TC) 10V 190mohm @ 8.25a, ​​10v 4V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 100W (TC)
FQI11P06TU Fairchild Semiconductor Fqi11p06tu 0.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 11.4a (TC) 10V 175mohm @ 5.7a, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 25V 550 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 53W (TC)
BCX70G Fairchild Semiconductor Bcx70g -
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCX70 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 45 V 200 MA 20NA NPN 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 120 @ 2mA, 5V 125MHz
FCI25N60N-F102 Fairchild Semiconductor FCI25N60N-F102 -
RFQ
 ECAD 8999 0.00000000 Semiconductor de fairchild Supremos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250 µA 74 NC @ 10 V ± 30V 3352 pf @ 100 V - 216W (TC)
FQPF13N50CSDTU Fairchild Semiconductor Fqpf13n50csdtu 0.9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 48W (TC)
TIP110 Fairchild Semiconductor Consejo110 1.0000
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Un 220-3 descascar EAR99 8541.29.0095 1 60 V 2mera NPN - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4V 25MHz
KSC5305DFTTU-FS Fairchild Semiconductor Ksc5305dfttu-fs 0.5100
RFQ
 ECAD 9836 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero KSC5305 Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 10 µA (ICBO) NPN 500mv @ 400mA, 2a 8 @ 2a, 1v -
FDFS6N303 Fairchild Semiconductor Fdfs6n303 0.2900
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 N-canal 30 V 6a (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 900MW (TA)
KSC2310YBU Fairchild Semiconductor Ksc2310ybu 0.0500
RFQ
 ECAD 118 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 800 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 500 150 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 120 @ 10mA, 5V 100MHz
FDSS2407 Fairchild Semiconductor Fdss2407 0.7200
RFQ
 ECAD 565 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Fdss24 Mosfet (Óxido de metal) 2.27W 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 Canal N (Dual) 62V 3.3a 110mohm @ 3.3a, 10v 3V @ 250 µA 4.3nc @ 5V 300pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
BCW31 Fairchild Semiconductor BCW31 0.0200
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 681 32 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 500 µA, 10 mA 110 @ 2mA, 5V 200MHz
FQU8N25TU Fairchild Semiconductor Fqu8n25tu 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 250 V 6.2a (TC) 10V 550mohm @ 3.1a, 10V 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 530 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
KSC1507YTSTU Fairchild Semiconductor Ksc1507ytstu -
RFQ
 ECAD 3507 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 15 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 50 300 V 200 µA 100 µA (ICBO) NPN 2V @ 5 mm, 50 Ma 120 @ 10mA, 10V 80MHz
FPN530A Fairchild Semiconductor FPN530A -
RFQ
 ECAD 2759 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 1 W Un 226 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 3.917 30 V 3 A 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 100 mm, 1a 250 @ 100 mapa, 2v 150MHz
NDS352P Fairchild Semiconductor NDS352P 0.3000
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 987 Canal P 20 V 850mA (TA) 4.5V, 10V 350mohm @ 1a, 10v 2.5V @ 250 µA 4 NC @ 5 V ± 12V 125 pf @ 10 V - 500MW (TA)
MMBTA55 Fairchild Semiconductor Mmbta55 -
RFQ
 ECAD 4591 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbta55 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 60 V 500 mA 100na PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 50MHz
KSC2883YTF Fairchild Semiconductor Ksc2883ytf 0.1200
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 4.000 30 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN 2V @ 30mA, 1.5a 160 @ 500 mA, 2V 120MHz
MMBTA05 Fairchild Semiconductor Mmbta05 -
RFQ
 ECAD 5097 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbta05 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 500 mA 100na NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
KSC1393OTA Fairchild Semiconductor Ksc1393ota 1.0000
RFQ
 ECAD 1984 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 250MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 20dB ~ 24dB 30V 20 Ma NPN 60 @ 2mA, 10V 700MHz 2dB ~ 3dB @ 200MHz
FJY4001R Fairchild Semiconductor FJY4001R 0.0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie SC-89, SOT-490 FJY400 200 MW SOT-523F descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 15,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 20 @ 10mA, 5V 200 MHz 4.7 kohms 4.7 kohms
FDW2506P Fairchild Semiconductor FDW2506P 0.6400
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) FDW25 Mosfet (Óxido de metal) 600MW 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 5.3a 22mohm @ 5.3a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 34nc @ 4.5V 1015pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FDU6696 Fairchild Semiconductor FDU6696 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 13A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 24 NC @ 5 V ± 16V 1715 pf @ 15 V - 1.6W (TA), 52W (TC)
2N5401_D28Z Fairchild Semiconductor 2N5401_D28Z 1.0000
RFQ
 ECAD 2181 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 - No Aplicable EAR99 8541.21.0075 2,000 150 V 600 mA 50NA (ICBO) PNP 500mV @ 5 mm, 50 Ma 60 @ 10mA, 5V 400MHz
FDC6302P Fairchild Semiconductor FDC6302P 0.2800
RFQ
 ECAD 151 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC6302 Mosfet (Óxido de metal) 700MW Supersot ™ -6 descascar EAR99 8541.21.0095 1 2 Canal P (Dual) 25V 120 Ma 10ohm @ 200Ma, 4.5V 1.5V @ 250 µA 0.31NC @ 4.5V 11pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
KSP24TA Fairchild Semiconductor Ksp24ta 0.0200
RFQ
 ECAD 9807 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 135 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 350 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,407 30 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN - 30 @ 8 mm, 10v 620MHz
FCI11N60 Fairchild Semiconductor FCI11N60 1.2100
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1490 pf @ 25 V - 125W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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