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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | Sgw5n60rufdtm | 0.8500 | ![]() | 1026 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sgw5n | Estándar | 60 W | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 291 | 300V, 5A, 40OHM, 15V | 55 ns | - | 600 V | 8 A | 15 A | 2.8V @ 15V, 5A | 88 µJ (Encendido), 107 µJ (apaguado) | 16 NC | 13ns/34ns | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJX3013RTF | 1.0000 | ![]() | 6190 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | FJX301 | 200 MW | SC-70-3 (SOT323) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa1015obu | 0.0900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 400 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 70 @ 2mA, 6V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP2670 | 1.5900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 200 V | 19a (TA) | 10V | 130mohm @ 10a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1320 pf @ 100 V | - | 93W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ493P | 0.2900 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 9-WFBGA | Mosfet (Óxido de metal) | 9-BGA (1.55x1.55) | descascar | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 46mohm @ 4.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 12V | 754 pf @ 10 V | - | 1.7w (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4124TF | 0.0200 | ![]() | 9714 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,318 | 25 V | 200 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 120 @ 2mA, 1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR13 | 1.0000 | ![]() | 5723 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 500 mA | 30NA (ICBO) | NPN | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqb15p12tm | - | ![]() | 4778 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 120 V | 15A (TC) | 10V | 200mohm @ 7.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hgt1s14n36g3vlt | 1.5400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Lógica | 100 W | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 300V, 7a, 25ohm, 5V | - | 390 V | 18 A | 2.2V @ 5V, 14A | - | 24 NC | -/7 µs | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP5N80 | 1.0000 | ![]() | 9416 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 4.8a (TC) | 10V | 2.6ohm @ 2.4a, 10v | 5V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1250 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf12p10 | 0.5700 | ![]() | 114 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 8.2a (TC) | 10V | 290mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 30V | 800 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDG326P | 0.0900 | ![]() | 524 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-88 (SC-70-6) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 1.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 140mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 7 NC @ 4.5 V | ± 8V | 467 pf @ 10 V | - | 750MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqb19n10ltm | 0.6000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 19a (TC) | 5V, 10V | 100mohm @ 9.5a, 10V | 2V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 870 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3416 | 0.0200 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | 50 V | 500 mA | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA90N30TU | 1.1500 | ![]() | 891 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Estándar | 219 W | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | - | 300 V | 90 A | 220 A | 1.4V @ 15V, 20a | - | 87 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN4091 | 0.0600 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N-canal | 16pf @ 20V | 40 V | 30 Ma @ 20 V | 5 V @ 1 Na | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGL40N150DTU | 11.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-264-3, TO-264AA | Sgl40 | Estándar | 200 W | HPM F2 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | - | 300 ns | - | 1500 V | 40 A | 120 A | 4.7V @ 15V, 40A | - | 140 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGR15N40LTM | 0.8000 | ![]() | 765 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SGR15 | Estándar | 45 W | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - | Zanja | 400 V | 130 A | 8V @ 4.5V, 130a | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS8098 | 0.0400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | TO-92 (TO-226) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 60 V | 500 mA | 100na | NPN | 400mv @ 5 Ma, 100 Ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76443P3 | 1.8500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 60 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 75a, 10v | 3V @ 250 µA | 129 NC @ 10 V | ± 16V | 4115 pf @ 25 V | - | 260W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76423D3S | 0.4100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 60 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 16V | 1060 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Hgtp3n60a4d | 1.2300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | 70 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 390v, 3a, 50ohm, 15V | 29 ns | - | 600 V | 17 A | 40 A | 2.7V @ 15V, 3a | 37 µJ (Encendido), 25 µJ (apaguado) | 21 NC | 6ns/73ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2757omtf | 0.0200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 150MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 16,000 | - | 15V | 50mera | NPN | 90 @ 5MA, 10V | 1.1 GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdp13an06a0 | 0.9000 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 60 V | 10.9a (TA), 62a (TC) | 6V, 10V | 13.5mohm @ 62a, 10v | 4V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 25 V | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB6N50TM | 0.7200 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 5.5a (TC) | 10V | 1.3ohm @ 2.8a, 10v | 5V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 30V | 790 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS750A | 2.0400 | ![]() | 269 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 400 V | 8.4a (TC) | 10V | 300mohm @ 4.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 131 NC @ 10 V | ± 30V | 2780 pf @ 25 V | - | 49W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqpf5n50cydtu | 0.7700 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 Paqueto completo, Pechos Formados | Mosfet (Óxido de metal) | TO20F-3 (Formación y) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 390 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 625 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp2222abu | 0.0500 | ![]() | 110 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 6.483 | 40 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC7582 | - | ![]() | 9243 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | Power33 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 25 V | 16.7a (TA), 49A (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 16.7a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1795 pf @ 13 V | - | 2.3W (TA), 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbfj202 | - | ![]() | 7118 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | - | 40 V | 900 µA @ 20 V | 800 MV @ 10 na |
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