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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Sfu9034tu | 0.2600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 60 V | 14a (TC) | 10V | 140mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 25V | 1155 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 49W (TC) | ||||||||||||
![]() | HUF76145S3S | 1.9000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263ab | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 75a, 10V | 3V @ 250 µA | 156 NC @ 10 V | ± 20V | 4900 pf @ 25 V | - | 270W (TC) | ||||||||||||
![]() | Fqpf13n50csdtu | 0.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FQPF1 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 500 V | 13a (TC) | 10V | 480mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 30V | 2055 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||
![]() | Consejo110 | 1.0000 | ![]() | 9843 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 2mera | NPN - Darlington | 2.5V @ 8MA, 2A | 1000 @ 1a, 4V | 25MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | TIP31A | - | ![]() | 4435 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | TIP31A | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 2 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 3 A | 300 µA | NPN | 1.2V @ 375MA, 3A | 25 @ 1a, 4v | 3MHz | ||||||||||||||||
![]() | MJD127TF | 1.0000 | ![]() | 5044 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 1.75 W | TO-252-3 (DPAK) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 100 V | 8 A | 10 µA | PNP - Darlington | 4V @ 80MA, 8A | 1000 @ 4a, 4V | - | |||||||||||||||||||
![]() | FCP13N60N | 2.5900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Supremos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 116 | N-canal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 258mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 39.5 NC @ 10 V | ± 30V | 1765 pf @ 100 V | - | 116W (TC) | |||||||||||||||
![]() | PN2907ATAR | 1.0000 | ![]() | 4109 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 60 V | 800 Ma | 20NA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||
![]() | FDC655BN-F40 | - | ![]() | 1048 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Supersot ™ -6 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-FDC655BN-F40-600039 | 1 | N-canal | 30 V | 6.3a (TA) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 6.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 15 V | - | 800MW (TC) | ||||||||||||||
![]() | FDS6890A | - | ![]() | 7131 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FDS6890 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 7.5a | 18mohm @ 7.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 32NC @ 4.5V | 2130pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||
![]() | HUFA75639S3ST | 1.4800 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | HUFA75 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (TO-263AB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 800 | N-canal | 100 V | 56a (TC) | 10V | 25mohm @ 56a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||
![]() | RFD16N05SM_NL | - | ![]() | 2706 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 387 | N-canal | 50 V | 16a (TC) | 10V | 47mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 80 NC @ 20 V | ± 20V | 900 pf @ 25 V | - | 72W (TC) | ||||||||||||
![]() | RFD14N05SM | - | ![]() | 3408 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 50 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 40 NC @ 20 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||
![]() | FQB5N60CTM | 0.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | FQB5 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (TO-263AB) | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 800 | N-canal | 600 V | 4.5A (TC) | 10V | 2.5ohm @ 2.25a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 670 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 100W (TC) | |||||||||||
![]() | FQP12N60C | 1.8100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 166 | N-canal | 600 V | 12a (TC) | 10V | 650mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2290 pf @ 25 V | - | 225W (TC) | |||||||||||||||
![]() | FQP6N50 | 1.0000 | ![]() | 5118 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 5.5a (TC) | 10V | 1.3ohm @ 2.8a, 10v | 5V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 30V | 790 pf @ 25 V | - | 98W (TC) | ||||||||||||||
![]() | MPSA06RA | - | ![]() | 8479 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 80 V | 500 mA | 100na | NPN | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||||
![]() | SS9013GTA | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 15,000 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 112 @ 50mA, 1V | - | ||||||||||||||||||
![]() | FDMS7696A | 0.1500 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDMS7696 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7096N3 | 0.9900 | ![]() | 183 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 14a (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 22 NC @ 5 V | ± 20V | 1587 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||||
![]() | FJPF13009H1TU | 0.8900 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 Paqueto completo, Pechos Formados | 50 W | TO20F-3 (Formación y) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 337 | 400 V | 12 A | - | NPN | 3V @ 3a, 12a | 6 @ 8a, 5v | 4MHz | |||||||||||||||||||
![]() | Fds6984s | 1.3800 | ![]() | 115 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench®, Syncfet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FDS69 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 5.5a, 8.5a | 19mohm @ 8.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 12NC @ 5V | 1233pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||
![]() | MPS6518 | - | ![]() | 6828 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,365 | 40 V | 200 MA | 500NA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 150 @ 2mA, 10V | - | ||||||||||||||||||
![]() | Fqp3n50ctf | 0.3700 | ![]() | 1431 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | Fqp3n | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 724 | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8586 | 0.3300 | ![]() | 83 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 2480 pf @ 10 V | - | 77W (TC) | ||||||||||||||
![]() | Kse800stu | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 40 W | A-126-3 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-KSE800STU-600039 | 747 | 60 V | 4 A | 100 µA | NPN - Darlington | 2.5V @ 30mA, 1.5a | 750 @ 1.5a, 3V | - | ||||||||||||||||||
![]() | FQB6N40CFTM | - | ![]() | 5098 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Frfet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 18 | N-canal | 400 V | 6a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 625 pf @ 25 V | - | 113W (TC) | ||||||||||||
![]() | SFW9510TM | 0.3400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252-3 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 100 V | 3.6a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 30V | 335 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 32W (TC) | ||||||||||||
![]() | FMBS549 | 0.0400 | ![]() | 6326 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | 700 MW | Supersot ™ -6 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 5 | 30 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 750mv @ 200Ma, 2a | 100 @ 500mA, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MJD31CTF-FS | 1.0000 | ![]() | 5695 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MJD31 | 1.56 W | TO-252-3 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 100 V | 3 A | 50 µA | NPN | 1.2V @ 375MA, 3A | 25 @ 1a, 4v | 3MHz |
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