SIC
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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FJAFS1510ATU Fairchild Semiconductor FJAFS1510ATU 2.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild ESBC ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO 60 W Un 3pf descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-FJAFS1510ATU-600039 1 750 V 6 A 100 µA NPN 500mv @ 1.5a, 6a 7 @ 3a, 5v 15.4MHz
FQA16N50 Fairchild Semiconductor Fqa16n50 4.1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 500 V 16a (TC) 10V 320mohm @ 8a, 10v 5V @ 250 µA 75 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 25 V - 200W (TC)
FDMS8670AS Fairchild Semiconductor FDMS8670As 0.8000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 23a (TA), 42a (TC) 4.5V, 10V 3mohm @ 23a, 10v 3V @ 1MA 55 NC @ 10 V ± 20V 3615 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 78W (TC)
KSC1187YBU Fairchild Semiconductor Ksc1187ybu 1.0000
RFQ
 ECAD 8905 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 20 V 30 Ma 100NA (ICBO) NPN - 120 @ 2mA, 10V 700MHz
TN2907A Fairchild Semiconductor TN2907A 0.2700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 226-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1.500 60 V 800 Ma 10NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
BC560BTA Fairchild Semiconductor BC560BTA 1.0000
RFQ
 ECAD 7158 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 150MHz
HUF76407DK8TR4810 Fairchild Semiconductor HUF76407DK8TR4810 -
RFQ
 ECAD 7606 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - 0000.00.0000 388
FQA10N80 Fairchild Semiconductor FQA10N80 1.7100
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 800 V 9.8a (TC) 10V 1.05ohm @ 4.9a, 10v 5V @ 250 µA 71 NC @ 10 V ± 30V 2700 pf @ 25 V - 240W (TC)
FDMS8660AS Fairchild Semiconductor FDMS8660As 0.9500
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 28a (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 28a, 10v 3V @ 1MA 83 NC @ 10 V ± 20V 5865 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 104W (TC)
2N3702 Fairchild Semiconductor 2N3702 0.0700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 25 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 250 MV a 5 mm, 50 Ma 60 @ 50 mm, 5v 100MHz
FDS8672S Fairchild Semiconductor FDS8672S 0.9800
RFQ
 ECAD 363 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 307 N-canal 30 V 18a (TA) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 18a, 10v 3V @ 1MA 41 NC @ 10 V ± 20V 2670 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FDS2170N7 Fairchild Semiconductor FDS2170N7 2.0100
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 V 3a (TA) 10V 128mohm @ 3a, 10v 4.5V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1292 pf @ 100 V - 3W (TA)
FDS6986S Fairchild Semiconductor Fds6986s 0.5000
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS69 Mosfet (Óxido de metal) 900MW (TA) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 6.5a, 7.9a 29mohm @ 6.5a, 10v, 20mohm @ 7.9a, 10v 3V @ 250 µA, 3V @ 1MA 9NC @ 5V, 16NC @ 5V 695pf @ 10V, 1233pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FJAF4210OTU Fairchild Semiconductor Fjaf4210otu 1.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO 80 W Un 3pf descascar EAR99 8541.29.0095 1 140 V 10 A 10 µA (ICBO) PNP 500mv @ 500 Ma, 5a 70 @ 3a, 4v 30MHz
IRFW730BTM Fairchild Semiconductor Irfw730btm 0.6400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 400 V 5.5a (TC) 10V 1ohm @ 2.75a, 10v 4V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 73W (TC)
MPSA13 Fairchild Semiconductor MPSA13 -
RFQ
 ECAD 2833 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 5,000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
FDFMA3P029Z Fairchild Semiconductor FDFMA3P029Z 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn Mosfet (Óxido de metal) 6-MLP (2x2) descascar EAR99 8542.39.0001 1 Canal P 30 V 3.3a (TA) 87mohm @ 3.3a, 10v 3V @ 250 µA 10 NC @ 10 V 435 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 1.4W (TA)
FDS6064N3 Fairchild Semiconductor FDS6064N3 1.6200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 23a (TA) 1.8V, 4.5V 4mohm @ 23a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 98 NC @ 4.5 V ± 8V 7191 pf @ 10 V - 3W (TA)
FDD3706 Fairchild Semiconductor FDD3706 0.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar 0000.00.0000 500 N-canal 20 V 14.7a (TA), 50A (TC) 2.5V, 10V 9mohm @ 16.2a, 10v 1.5V @ 250 µA 23 NC @ 4.5 V ± 12V 1882 pf @ 10 V - 3.8W (TA), 44W (TC)
FDMS0312S Fairchild Semiconductor FDMS0312S 0.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench®, Syncfet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8542.39.0001 1.398 N-canal 30 V 19A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 18a, 10v 3V @ 1MA 46 NC @ 10 V ± 20V 2820 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 46W (TC)
FDS8876 Fairchild Semiconductor FDS8876 0.5000
RFQ
 ECAD 562 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 30 V 12.5a (TA) 4.5V, 10V 8.2mohm @ 12.5a, 10V 2.5V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1650 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FQI7P06TU Fairchild Semiconductor Fqi7p06tu 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 7a (TC) 10V 410mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 25V 295 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 45W (TC)
FDMA291P Fairchild Semiconductor FDMA291P 1.0000
RFQ
 ECAD 6897 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn Mosfet (Óxido de metal) 6-Microfet (2x2) descascar EAR99 8542.39.0001 1 Canal P 20 V 6.6a (TA) 1.8V, 4.5V 42mohm @ 6.6a, 4.5V 1V @ 250 µA 14 NC @ 4.5 V ± 8V 1000 pf @ 10 V - 2.4W (TA)
BC857S Fairchild Semiconductor BC857S -
RFQ
 ECAD 2842 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BC857 300MW SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 45V 200 MMA 15NA (ICBO) 2 PNP (dual) 650mv @ 5 mm, 100 mapa 125 @ 2mA, 5V 200MHz
HUF75639G3 Fairchild Semiconductor HUF75639G3 1.0000
RFQ
 ECAD 5930 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 56a (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
PN200A-FS Fairchild Semiconductor PN200A-FS 0.1000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 45 V 500 mA 50NA PNP 400mv @ 20 mm, 200 mA 300 @ 10mA, 1V 250MHz
HUF75939P3_F102 Fairchild Semiconductor HUF75939P3_F102 -
RFQ
 ECAD 3508 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - 0000.00.0000 1
SI4936DY Fairchild Semiconductor Si4936dy 0.9700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4936 Mosfet (Óxido de metal) 900MW (TA) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 5.8a (TA) 37mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250 µA 25nc @ 10V 460pf @ 15V -
KSC5402DTTU Fairchild Semiconductor Ksc5402dttu 0.4700
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 50 W Un 220-3 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-KSC5402DTTU-600039 1 450 V 2 A 100 µA NPN 750mv @ 200 MMA, 1A 6 @ 1a, 1v 11MHz
MJD117TF-FS Fairchild Semiconductor MJD117TF-FS -
RFQ
 ECAD 6953 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 1.75 W D-Pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 100 V 2 A 20 µA PNP - Darlington 3V @ 40mA, 4A 1000 @ 2a, 3V 25MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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