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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | Ksd1621utf | 0.1000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 500 MW | SOT-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 25 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 75 mm, 1.5a | 280 @ 100mA, 2V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT4401 | - | ![]() | 1454 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 15,000 | 40 V | 600 mA | 100na | NPN | 750mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 150mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJAFS1720TU | 2.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | ESBC ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | FJAFS172 | 60 W | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 800 V | 12 A | 100 µA | NPN | 250mv @ 3.33a, 10a | 8.5 @ 11a, 5v | 15MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDBL86563-F085 | - | ![]() | 8578 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8 HPSOF | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 60 V | 240a (TC) | 10V | 1.5mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 169 NC @ 10 V | ± 20V | 10300 pf @ 30 V | - | 357W (TJ) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqp5n30 | 0.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 300 V | 5.4a (TC) | 10V | 900mohm @ 2.7a, 10V | 5V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 430 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD14N05 | - | ![]() | 1030 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 50 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 40 NC @ 20 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ss8050cta | 0.1200 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 1 W | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.567 | 25 V | 1.5 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 80mA, 800 mA | 120 @ 100mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75645S3ST_NL | 4.1700 | ![]() | 342 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 V | 75A (TC) | 10V | 14mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 238 NC @ 20 V | ± 20V | 3790 pf @ 25 V | 310W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc5504dttu | 0.2200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 75 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 600 V | 4 A | 100 µA | NPN | 1.5V @ 400mA, 2A | 4 @ 2a, 1v | 11MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGB20N6S2 | 0.6000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | 125 W | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 390v, 7a, 25ohm, 15V | - | 600 V | 28 A | 40 A | 2.7V @ 15V, 7a | 25 µJ (Encendido), 58 µJ (apaguado) | 30 NC | 7.7ns/87ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6530A | 1.0000 | ![]() | 9011 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 20 V | 21a (TA) | 2.5V, 4.5V | 32mohm @ 8a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 9 NC @ 4.5 V | ± 8V | 710 pf @ 10 V | - | 3.3W (TA), 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sgw13n60ufdtm | 1.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sgw13 | Estándar | 60 W | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 300V, 6.5a, 50ohm, 15V | 55 ns | - | 600 V | 13 A | 52 A | 2.6V @ 15V, 6.5a | 85 µJ (Encendido), 95 µJ (apaguado) | 25 NC | 20ns/70ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA20S125P | - | ![]() | 3102 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA20S125 | Estándar | 250 W | Un 3pn | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | - | Parada de Campo de Trinchera | 1250 V | 40 A | 60 A | 2.5V @ 15V, 20a | - | 129 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA812GMTF | 0.0600 | ![]() | 56 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 150 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 Ma, 100 Ma | 200 @ 1 MMA, 6V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp06ta | 0.0500 | ![]() | 179 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-KSP06TA-600039 | 1 | 80 V | 500 mA | 100na | NPN | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 50 @ 100 mapa, 1v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D45H2A | 0.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | D45H | 60 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 30 V | 8 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 1V @ 400 Ma, 8a | 100 @ 8a, 5v | 25MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB5N50CFTM | - | ![]() | 3311 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | FRFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 58 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.55ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 625 pf @ 25 V | - | 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pn2222arp | - | ![]() | 7038 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | PN2222 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 V | 1 A | 10NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDS351N | - | ![]() | 6227 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | NDS351 | Mosfet (Óxido de metal) | Supersot-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 1.1a (TA) | 4.5V, 10V | 160mohm @ 1.4a, 10v | 2V @ 250 µA | 3.5 NC @ 5 V | ± 20V | 140 pf @ 10 V | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8690 | 0.8400 | ![]() | 433 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-MLP (5x6), Power56 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 14a (TA), 27a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1680 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 37.8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bf244c | 0.3400 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 450MHz | - | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | - | 25 Ma | - | - | 1.5db | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mjd32ctf | - | ![]() | 6296 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 1.56 W | TO-252-3 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 833 | 100 V | 3 A | 50 µA | PNP | 1.2V @ 375MA, 3A | 25 @ 1a, 4v | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc556cbu | - | ![]() | 6600 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 11,478 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 420 @ 2mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS720B | 0.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 V | 3.3a (TJ) | 10V | 1.75ohm @ 1.65a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 33W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMA1023PZ | - | ![]() | 3139 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | FDMA1023 | Mosfet (Óxido de metal) | 700MW | 6-Microfet (2x2) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 3.7a | 72mohm @ 3.7a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 12NC @ 4.5V | 655pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksd560rtstu | 1.0000 | ![]() | 5438 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 1.5 W | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 100 V | 5 A | 1 µA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 3MA, 3A | 2000 @ 3a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDZ7064As | 0.8500 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 30 WFBGA | Mosfet (Óxido de metal) | 30-BGA (4x3.5) | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 13.5a (TA) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 13.5a, 10V | 3V @ 1MA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 1960 pf @ 15 V | - | 2.2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75343S3 | 1.0000 | ![]() | 540 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 9mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 205 NC @ 20 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 270W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqi19n20tu | 0.6700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 19.4a (TC) | 10V | 150mohm @ 9.7a, 10v | 5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1600 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJP13009 | 1.0000 | ![]() | 1903 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 100 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.200 | 400 V | 12 A | - | NPN | 3V @ 3a, 12a | 8 @ 5a, 5v | 4MHz |
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