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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KSD1621TTF | 0.0600 | ![]() | 56 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 500 MW | SOT-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 25 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 75 mm, 1.5a | 200 @ 100 mapa, 2v | 150MHz | |||||||||||||||||
![]() | SS9015-DBU | 0.0200 | ![]() | 6618 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 450 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 9,900 | 45 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 5 ma, 100 ma | 400 @ 1 mapa, 5V | 190MHz | ||||||||||||||||||
![]() | Fjl4215otu | 2.4200 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-264-3, TO-264AA | 150 W | HPM F2 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 124 | 250 V | 17 A | 5 µA (ICBO) | PNP | 3V @ 800mA, 8A | 80 @ 1a, 5v | 30MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BCW69 | 1.0000 | ![]() | 8640 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 120 @ 2mA, 5V | - | |||||||||||||||||
![]() | FDB5645 | 3.8100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 80a (TA) | 6V, 10V | 9.5mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250 µA | 107 NC @ 10 V | ± 20V | 4468 pf @ 30 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||
![]() | KSC2001GTA | 0.0200 | ![]() | 2346 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 600 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.934 | 25 V | 700 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 70 mm, 700 mA | 200 @ 100 mapa, 1v | 170MHz | |||||||||||||||||
![]() | Hrfz44n | 0.4200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 55 V | 49a (TC) | 10V | 22mohm @ 25A, 10V | 4V @ 250 µA | 75 NC @ 20 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||||||||||
![]() | FDAF69N25 | 2.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Unifet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 250 V | 34a (TC) | 10V | 41mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 30V | 4640 pf @ 25 V | - | 115W (TC) | |||||||||||||
![]() | 2N4401RA | - | ![]() | 7300 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 2N4401 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 40 V | 600 mA | 100na | NPN | 750mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 150mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||
![]() | Fqu4n25tu | 0.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | N-canal | 250 V | 3A (TC) | 10V | 1.75ohm @ 1.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 5.6 NC @ 10 V | ± 30V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 37W (TC) | |||||||||||||
![]() | FDD8870 | 1.0000 | ![]() | 5773 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 30 V | 21a (TA), 160A (TC) | 4.5V, 10V | 3.9mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 118 NC @ 10 V | ± 20V | 5160 pf @ 15 V | - | 160W (TC) | |||||||||||||||
![]() | BC546A | 0.0500 | ![]() | 3700 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 5.831 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 110 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||
![]() | SFR9220TM | 1.0000 | ![]() | 3228 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252-3 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 200 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 540 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||
![]() | FQA24N50 | - | ![]() | 9456 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA2 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 500 V | 24a (TC) | 10V | 200mohm @ 12a, 10v | 5V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 4500 pf @ 25 V | - | 290W (TC) | ||||||||||
![]() | 5HP01M-TL-E-FS | 0.1000 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FFB3904 | 0.0800 | ![]() | 423 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | FFB39 | 300MW | SC-88 (SC-70-6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 40V | 200 MMA | - | 2 NPN (dual) | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||
![]() | FDC8886 | 0.2000 | ![]() | 184 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Supersot ™ -6 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.500 | N-canal | 30 V | 6.5a (TA), 8a (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 6.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 7.4 NC @ 10 V | ± 20V | 465 pf @ 15 V | - | 1.6w (TA) | ||||||||||||||
![]() | FQPF630 | 0.6500 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 464 | N-canal | 200 V | 6.3a (TC) | 10V | 400mohm @ 3.15a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 25V | 550 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||
![]() | SFP9540 | 0.6100 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 17a (TC) | 10V | 200mohm @ 8.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 30V | 1535 pf @ 25 V | - | 132W (TC) | |||||||||||||
![]() | Sfu9024tu | - | ![]() | 7397 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 60 V | 7.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 3.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 32W (TC) | |||||||||||
![]() | Ksd471acgbu | 0.0200 | ![]() | 790 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 800 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 200 @ 100 mapa, 1v | 130MHz | |||||||||||||||||
![]() | Ksa928aota | - | ![]() | 7632 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) | KSA928 | 1 W | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 30 V | 2 A | 100NA (ICBO) | PNP | 2V @ 30mA, 1.5a | 100 @ 500mA, 2V | 120MHz | ||||||||||||||
![]() | FQA35N40 | 4.4800 | ![]() | 197 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | N-canal | 400 V | 35A (TC) | 10V | 105mohm @ 17.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 30V | 5600 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | |||||||||||||
SI6953DQ | 0.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6953 | Mosfet (Óxido de metal) | 600MW (TA) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 1.9a (TA) | 170mohm @ 1.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 10nc @ 10V | 218pf @ 10V | - | |||||||||||||
![]() | Fqi32n12v2tu | 0.5100 | ![]() | 592 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 592 | N-canal | 120 V | 32A (TC) | 10V | 50mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 30V | 1860 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||
![]() | 2N7002W | 1.0000 | ![]() | 6836 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2N7002 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 (SOT323) | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 60 V | 115MA (TA) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 50 mm, 5V | 2V @ 250 µA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 200MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | Fqb3p20tm | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 200 V | 2.8a (TC) | 10V | 2.7ohm @ 1.4a, 10V | 5V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 30V | 250 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||
![]() | 2N3904RM | 0.0200 | ![]() | 5286 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 2N3904 | 625 MW | Un 92 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 11,000 | 40 V | 200 MA | 50NA | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||
![]() | HUF75623S3ST | - | ![]() | 8539 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 22a (TC) | 10V | 64mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 20 V | ± 20V | 790 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | |||||||||||||
![]() | MMBT3904 | 1.0000 | ![]() | 9827 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT390 | 350 MW | SOT23-3 (TO-236) | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 V | 200 MA | 50NA | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz |
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