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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | BC239BTA | 0.0200 | ![]() | 6681 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.241 | 25 V | 100 mA | 15NA | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 180 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp44tf | 1.0000 | ![]() | 6560 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | 0000.00.0000 | 1 | 400 V | 300 mA | 500NA | NPN | 750mv @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 10 mapa, 10v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | KSE13007FSMTU | 1.0000 | ![]() | 2827 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | KSE13007 | Un 220F-3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | NPN | 3V @ 2a, 8a | 8 @ 2a, 5v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | FQP17N08 | 0.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 80 V | 16.5a (TC) | 10V | 115mohm @ 8.25a, 10V | 4V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 25V | 450 pf @ 25 V | - | 65W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | FDI8442 | 1.5300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 40 V | 23a (TA), 80a (TC) | 10V | 2.9mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 235 NC @ 10 V | ± 20V | 12200 pf @ 25 V | - | 254W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | SFR9024TM | 0.4000 | ![]() | 5190 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 175 | Canal P | 60 V | 7.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 3.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 600 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 32W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | SS9013FBU | 0.0200 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 15,000 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 78 @ 50mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | FJC1308RTF | 0.0700 | ![]() | 5963 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 500 MW | SOT-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2156-FJC1308RTF | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 30 V | 3 A | 500NA | PNP | 450mv @ 150 mm, 1.5a | 180 @ 500mA, 2V | - | |||||||||||||||||||||
![]() | SS9012HTA | - | ![]() | 2713 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 20 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 144 @ 50mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | FDD6796A | 0.5200 | ![]() | 749 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 750 | N-canal | 25 V | 20A (TA), 40A (TC) | 5.7mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1780 pf @ 13 V | - | 3.7W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | MPSA65 | 0.0400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 7,942 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | MJD31CTF-FS | 1.0000 | ![]() | 5695 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MJD31 | 1.56 W | TO-252-3 (DPAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 0000.00.0000 | 2,000 | 100 V | 3 A | 50 µA | NPN | 1.2V @ 375MA, 3A | 25 @ 1a, 4v | 3MHz | |||||||||||||||||||
![]() | BC33716 | 0.0700 | ![]() | 56 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 V | 800 Ma | 100na | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 100 @ 100 maja, 1v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp2907atf | 0.0500 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 6,138 | 60 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | Bd241btu | 0.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 40 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 3 A | 300 µA | NPN | 1.2v @ 600 mA, 3a | 25 @ 1a, 4v | - | ||||||||||||||||||||||
SI6463DQ | 0.4600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 8.8a (TA) | 2.5V, 4.5V | 12.5mohm @ 8.8a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 66 NC @ 4.5 V | ± 12V | 5045 pf @ 10 V | - | 600MW (TA) | |||||||||||||||||
![]() | FDS7098N3 | 0.5100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 14a (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 22 NC @ 5 V | ± 20V | 1587 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||
FDZ2553NZ | 0.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 18 WFBGA | FDZ25 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.1w | 18-BGA (2.5x4) | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 9.6a | 14mohm @ 9.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 18NC @ 5V | 1240pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||
![]() | PN2907ATAR | 1.0000 | ![]() | 4109 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 60 V | 800 Ma | 20NA (ICBO) | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | TIP106 | 0.2700 | ![]() | 8150 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 80 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 890 | 80 V | 8 A | 50 µA | PNP - Darlington | 2.5V @ 80MA, 8A | 1000 @ 3a, 4v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc1009yta | - | ![]() | 1818 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | KSC1009 | 800 MW | Un 92-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 140 V | 700 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 20 mm, 200 mA | 120 @ 50mA, 2V | 50MHz | |||||||||||||||||||
![]() | TIP121TU | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 2 W | Un 220-3 | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 2156-TIP121TU-600039 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5 A | 500 µA | NPN - Darlington | 4V @ 20 mm, 5a | 1000 @ 3a, 3V | - | ||||||||||||||||||||
![]() | Bc549cbu | 0.0200 | ![]() | 4528 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC850C | - | ![]() | 9989 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 420 @ 2mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | Ksr1004bu | 0.0700 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | KSR1004 | 300 MW | Un 92-3 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2156-KSR1004BU | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 100 mA | 100na | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||
![]() | Ksc2756omtf | 0.0200 | ![]() | 6579 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 150MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.632 | 15dB ~ 23dB | 20V | 30mera | NPN | 90 @ 5MA, 10V | 850MHz | 6.5dB @ 200MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76145S3S | 1.9000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263ab | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 75a, 10V | 3V @ 250 µA | 156 NC @ 10 V | ± 20V | 4900 pf @ 25 V | - | 270W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | FDP023N08B | 2.1300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDP023 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQA8N90C | 1.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 900 V | 8a (TC) | 10V | 1.9ohm @ 4a, 10v | 5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 2080 pf @ 25 V | - | 240W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | BSP51 | 1.0000 | ![]() | 2612 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1 W | SOT-223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 80 V | 500 mA | 10 µA | NPN - Darlington | 1.3V @ 500 µA, 500 mA | 1000 @ 150mA, 10V | - |
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