SIC
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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FDD8870 Fairchild Semiconductor FDD8870 1.0000
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar 0000.00.0000 1 N-canal 30 V 21a (TA), 160A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250 µA 118 NC @ 10 V ± 20V 5160 pf @ 15 V - 160W (TC)
NDB4060L Fairchild Semiconductor NDB4060L 1.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 15A (TC) 5V, 10V 80mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 16V 600 pf @ 25 V - 50W (TC)
BC546A Fairchild Semiconductor BC546A 0.0500
RFQ
 ECAD 3700 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 5.831 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 300MHz
SFR9220TM Fairchild Semiconductor SFR9220TM 1.0000
RFQ
 ECAD 3228 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 200 V 3.1a (TC) 10V 1.5ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
FQA24N50 Fairchild Semiconductor FQA24N50 -
RFQ
 ECAD 9456 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA2 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 N-canal 500 V 24a (TC) 10V 200mohm @ 12a, 10v 5V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 30V 4500 pf @ 25 V - 290W (TC)
5HP01M-TL-E-FS Fairchild Semiconductor 5HP01M-TL-E-FS 0.1000
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000
FFB3904 Fairchild Semiconductor FFB3904 0.0800
RFQ
 ECAD 423 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 FFB39 300MW SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 40V 200 MMA - 2 NPN (dual) 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
BC850C Fairchild Semiconductor BC850C -
RFQ
 ECAD 9989 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 420 @ 2mA, 5V 300MHz
FDC8886 Fairchild Semiconductor FDC8886 0.2000
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar EAR99 8542.39.0001 1.500 N-canal 30 V 6.5a (TA), 8a (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 6.5a, 10v 3V @ 250 µA 7.4 NC @ 10 V ± 20V 465 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
SI6467DQ Fairchild Semiconductor SI6467DQ -
RFQ
 ECAD 4638 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 1 Canal P 20 V 9.2a (TA) 1.8V, 4.5V 12mohm @ 9.2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 96 NC @ 4.5 V ± 8V 5878 pf @ 10 V - 600MW (TA)
FCPF7N60NT Fairchild Semiconductor FCPF7N60NT 1.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild Supremos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8541.29.0095 202 N-canal 600 V 6.8a (TC) 10V 520mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250 µA 35.6 NC @ 10 V ± 30V 960 pf @ 100 V - 30.5W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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