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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IRFW720BTM Fairchild Semiconductor Irfw720btm 0.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 400 V 3.3a ​​(TC) 10V 1.75ohm @ 1.65a, 10V 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 49W (TC)
HGT1S20N36G3VLS Fairchild Semiconductor HGT1S20N36G3VLS 1.8700
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Lógica 150 W Un 263ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 800 300V, 10a, 25ohm, 5V - 415 V 37.7 A 1.9V @ 5V, 20a - 28.7 NC -/15 µs
NDH8304P Fairchild Semiconductor Ndh8304p 0.7000
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) NDH8304 Mosfet (Óxido de metal) 800MW Supersot ™ -8 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 2.7a 70mohm @ 2.7a, 4.5V 1V @ 250 µA 23NC @ 4.5V 865pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
SSW7N60BTM Fairchild Semiconductor Ssw7n60btm 0.7200
RFQ
 ECAD 697 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 1.2ohm @ 3.5a, 10v 4V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 147W (TC)
2SA1381CSTU Fairchild Semiconductor 2SA1381CSTU 0.1000
RFQ
 ECAD 7907 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 7 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 400 300 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 2mA, 20 ma 40 @ 10mA, 10V 150MHz
NDS355N Fairchild Semiconductor NDS355N 1.0000
RFQ
 ECAD 5910 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156S355N-600039 EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 30 V 1.6a (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 1.9a, 10v 2V @ 250 µA 5 NC @ 5 V ± 20V 245 pf @ 10 V - 500MW (TA)
FQPF13N50C Fairchild Semiconductor FQPF13N50C 1.2000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1 N-canal 500 V 13a (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 48W (TC)
FDB86102LZ Fairchild Semiconductor Fdb86102lz 0.8700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 345 N-canal 100 V 8.3a (TA), 30a (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 8.3a, 10v 3V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1275 pf @ 50 V - 3.1W (TA)
SMUN5215T1G Fairchild Semiconductor Smun5215t1g 1.0000
RFQ
 ECAD 8891 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-smun5215t1g-600039 EAR99 8541.21.0095 1
KSE13003TH2ATU Fairchild Semiconductor KSE13003TH2ATU 0.4600
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 20 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 400 V 1.5 A - NPN 3V @ 500mA, 1.5a 14 @ 500mA, 2V 4MHz
PZT2907A Fairchild Semiconductor PZT2907A -
RFQ
 ECAD 1276 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA PZT290 1 W SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 4.000 60 V 800 Ma 20NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
FQNL2N50BBU Fairchild Semiconductor Fqnl2n50bbu -
RFQ
 ECAD 4931 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 6,000 N-canal 500 V 350MA (TC) 10V 5.3ohm @ 175mA, 10V 3.7V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 1.5W (TC)
FQI13N06LTU Fairchild Semiconductor Fqi13n06ltu 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 13.6a (TC) 5V, 10V 110mohm @ 6.8a, 10V 2.5V @ 250 µA 6.4 NC @ 5 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 45W (TC)
FQB7P06TM Fairchild Semiconductor Fqb7p06tm 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 60 V 7a (TC) 10V 410mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 25V 295 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 45W (TC)
MPSH17-D26Z Fairchild Semiconductor MPSH17-D26Z 0.0700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 2,000
FDPF13N50NZ Fairchild Semiconductor FDPF13N50NZ 1.0000
RFQ
 ECAD 4735 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet-ii ™ Una granela Activo - A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FDPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 12A 540mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 39 NC @ 10 V 1930 pf @ 25 V - 42W (TC)
SS9014BTA Fairchild Semiconductor SS9014BTA 1.0000
RFQ
 ECAD 5715 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 450 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 100 Ma 100 @ 1 mapa, 5v 270MHz
KSB798GTF Fairchild Semiconductor KSB798GTF 0.1400
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 4.000 25 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 100 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 1v 110MHz
FDZ1827NZ Fairchild Semiconductor FDZ1827NZ 0.1200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfbga, WLCSP FDZ1827 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) 6-WLCSP (1.3x2.3) descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 10a (TA) 13mohm @ 1a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 24nc @ 10V 2055pf @ 10V -
FCPF220N80 Fairchild Semiconductor FCPF220N80 -
RFQ
 ECAD 2260 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FCPF220 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 800 V 23a (TC) 10V 220mohm @ 11.5a, 10V 4.5V @ 2.3MA 105 NC @ 10 V ± 20V 4560 pf @ 100 V - 44W (TC)
SGS5N60RUFDTU Fairchild Semiconductor Sgs5n60rufdtu 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Sgs5n Estándar 35 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 300V, 5A, 40OHM, 15V 55 ns - 600 V 8 A 15 A 2.8V @ 15V, 5A 88 µJ (Encendido), 107 µJ (apaguado) 16 NC 13ns/34ns
FQPF1N50 Fairchild Semiconductor FQPF1N50 -
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 900 mA (TC) 10V 9ohm @ 450mA, 10V 5V @ 250 µA 5.5 NC @ 10 V ± 30V 150 pf @ 25 V - 16W (TC)
RFP8P05 Fairchild Semiconductor RFP8P05 1.0000
RFQ
 ECAD 1742 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 50 V 8a (TC) 300mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 80 NC @ 20 V -
FDH038AN08A1 Fairchild Semiconductor FDH038AN08A1 6.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar EAR99 8542.39.0001 51 N-canal 75 V 22a (TA), 80a (TC) 6V, 10V 3.8mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 160 NC @ 10 V ± 20V 8665 pf @ 25 V - 450W (TC)
FCH104N60 Fairchild Semiconductor FCH104N60 1.0000
RFQ
 ECAD 7227 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FCH104 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 600 V 37a (TC) 10V 104mohm @ 18.5a, 10V 3.5V @ 250 µA 82 NC @ 10 V ± 20V 4165 pf @ 380 V - 357W (TC)
HGTG40N60B3-FS Fairchild Semiconductor HGTG40N60B3-FS -
RFQ
 ECAD 5349 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 1
IRFS240B Fairchild Semiconductor IRFS240B 0.7200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 12.8a (TC) 10V 180mohm @ 6.4a, 10v 4V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 30V 1700 pf @ 25 V - 73W (TC)
SSP3N80A Fairchild Semiconductor SSP3N80A -
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 800 V 3A (TC) 10V 4.8ohm @ 850mA, 10V 3.5V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 750 pf @ 25 V - 100W (TC)
SGP5N60RUFTU Fairchild Semiconductor Sgp5n60ruftu 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Sgp6n Estándar 60 W Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 300V, 5A, 40OHM, 15V - 600 V 8 A 15 A 2.8V @ 15V, 5A 24 NC 13ns/34ns
FQPF5N80 Fairchild Semiconductor FQPF5N80 0.7700
RFQ
 ECAD 610 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 2.8a (TC) 10V 2.6ohm @ 1.4a, 10V 5V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1250 pf @ 25 V - 47W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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