SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
FDZ3N513ZT Fairchild Semiconductor FDZ3N513ZT 0.3200
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga, WLCSP Mosfet (Óxido de metal) 4-WLCSP (1x1) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 Canal P 30 V 1.1a 462mohm @ 300mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 1 NC @ 4.5 V +5.5V, -300mV 85 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 1W (TA)
BD243BTU Fairchild Semiconductor Bd243btu 0.3700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BD243 65 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 80 V 6 A 700 µA NPN 1.5V @ 1a, 6a 15 @ 3a, 4V -
KSC839CYTA Fairchild Semiconductor Ksc839cyta 0.0200
RFQ
ECAD 6430 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1.957 30 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 1 mapa, 10 ma 120 @ 2mA, 12V 200MHz
KSA1242YTU Fairchild Semiconductor Ksa1242ytu 0.1800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 10 W I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 5.040 20 V 5 A 100 µA (ICBO) PNP 1v @ 100 mapa, 4a 160 @ 500 mA, 2V 180MHz
ISL9V2040S3S Fairchild Semiconductor ISL9V2040S3S 1.0000
RFQ
ECAD 5345 0.00000000 Semiconductor de fairchild Ecospark® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Lógica 130 W D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 300V, 1KOHM, 5V - 430 V 10 A 1.9V @ 4V, 6A - 12 NC -/3.64 µs
BSP50 Fairchild Semiconductor BSP50 -
RFQ
ECAD 7702 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1 W SOT-223-4 descascar EAR99 8541.29.0095 1 45 V 800 Ma 50NA NPN - Darlington 1.3V @ 500 µA, 500 mA 2000 @ 500mA, 10V -
FDP047N08-F10 Fairchild Semiconductor FDP047N08-F10 2.8600
RFQ
ECAD 432 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDP047 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
KST63MTF Fairchild Semiconductor KST63MTF -
RFQ
ECAD 1399 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
HUF76409D3 Fairchild Semiconductor HUF76409D3 0.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 18a (TC) 4.5V, 10V 63mohm @ 18a, 10v 3V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 16V 485 pf @ 25 V - 49W (TC)
TIP41BTU Fairchild Semiconductor Tip41btu 0.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 80 V 6 A 700 µA NPN 1.5V @ 600mA, 6a 15 @ 3a, 4V 3MHz
2N4126TFR Fairchild Semiconductor 2N4126TFR 0.0200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 15,000 25 V 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 120 @ 2mA, 1V 250MHz
PN3642 Fairchild Semiconductor PN3642 0.0500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 45 V 500 mA 50NA NPN 220mv @ 15 mA, 150 mA 40 @ 150mA, 10V -
FQD4N20TM Fairchild Semiconductor Fqd4n20tm 0.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8541.29.0095 1.086 N-canal 200 V 3A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.5a, 10v 5V @ 250 µA 6.5 NC @ 10 V ± 30V 220 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
KSD362R Fairchild Semiconductor KSD362R 0.2000
RFQ
ECAD 4647 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 40 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.170 70 V 5 A 20 µA (ICBO) NPN 1V @ 500 Ma, 5a 40 @ 5a, 5v 10MHz
PN100RM Fairchild Semiconductor PN100RM 0.0400
RFQ
ECAD 4159 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 500 mA 50NA NPN 400mv @ 20 mm, 200 mA 100 @ 150mA, 5V 250MHz
KAR00061A Fairchild Semiconductor Kar00061a 3.7800
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 80
KSB1366G Fairchild Semiconductor KSB1366G 0.2000
RFQ
ECAD 2844 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2 W Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.170 60 V 3 A 100 µA (ICBO) PNP 1V @ 200Ma, 2a 150 @ 500 mA, 5V 9MHz
KSC1674OBU Fairchild Semiconductor Ksc1674obu 0.0200
RFQ
ECAD 146 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 - 20V 20 Ma NPN 70 @ 1 MMA, 6V 600MHz 3DB ~ 5DB @ 100MHz
FQP20N06 Fairchild Semiconductor FQP20N06 -
RFQ
ECAD 8934 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - 0000.00.0000 1 N-canal 60 V 20A (TC) 10V 60mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 25V 590 pf @ 25 V - 53W (TC)
TN6719A Fairchild Semiconductor TN6719A -
RFQ
ECAD 4174 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 1 W Un 226-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1.500 300 V 200 MA 100NA (ICBO) NPN 750mv @ 3 mm, 30 mA 40 @ 30mA, 10V -
BC33725BU Fairchild Semiconductor Bc33725bu 0.0400
RFQ
ECAD 85 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 7,474 45 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
KSC1008YBU Fairchild Semiconductor Ksc1008ybu 0.0600
RFQ
ECAD 390 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800 MW Un 92-3 descascar EAR99 8542.39.0001 5.323 60 V 700 Ma 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50 mA, 500 mA 120 @ 50mA, 2V 50MHz
HUF76139P3 Fairchild Semiconductor HUF76139P3 0.9500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 75A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 75a, 10v 3V @ 250 µA 78 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 165W (TC)
FQP6N60C Fairchild Semiconductor FQP6N60C 0.8500
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 353 N-canal 600 V 5.5a (TC) 10V 2ohm @ 2.75a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 810 pf @ 25 V - 125W (TC)
MPSA42RA Fairchild Semiconductor MPSA42RA 1.0000
RFQ
ECAD 8905 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2 mm, 20 mm 40 @ 30mA, 10V 50MHz
KSC2330OBU Fairchild Semiconductor Ksc2330obu 0.0500
RFQ
ECAD 120 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 500 300 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 70 @ 20MA, 10V 50MHz
2N5551BU Fairchild Semiconductor 2N5551BU -
RFQ
ECAD 8798 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 1 160 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 80 @ 10mA, 5V 100MHz
ISL9V2040D3ST Fairchild Semiconductor ISL9V2040D3ST 0.9700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo descascar EAR99 8542.39.0001 309
BC549BBU Fairchild Semiconductor Bc549bbu -
RFQ
ECAD 7555 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
KSC2335RTU Fairchild Semiconductor Ksc2335rtu 1.0000
RFQ
ECAD 2324 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 1.5 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 400 V 7 A 10 µA (ICBO) NPN 1V @ 600 Ma, 3a 20 @ 1a, 5v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock