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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
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![]() | FDZ3N513ZT | 0.3200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | Mosfet (Óxido de metal) | 4-WLCSP (1x1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1.1a | 462mohm @ 300mA, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1 NC @ 4.5 V | +5.5V, -300mV | 85 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | Bd243btu | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BD243 | 65 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 V | 6 A | 700 µA | NPN | 1.5V @ 1a, 6a | 15 @ 3a, 4V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc839cyta | 0.0200 | ![]() | 6430 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 250 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.957 | 30 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 1 mapa, 10 ma | 120 @ 2mA, 12V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksa1242ytu | 0.1800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | 10 W | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 5.040 | 20 V | 5 A | 100 µA (ICBO) | PNP | 1v @ 100 mapa, 4a | 160 @ 500 mA, 2V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9V2040S3S | 1.0000 | ![]() | 5345 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Ecospark® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Lógica | 130 W | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 300V, 1KOHM, 5V | - | 430 V | 10 A | 1.9V @ 4V, 6A | - | 12 NC | -/3.64 µs | |||||||||||||||||||||||
![]() | BSP50 | - | ![]() | 7702 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1 W | SOT-223-4 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 45 V | 800 Ma | 50NA | NPN - Darlington | 1.3V @ 500 µA, 500 mA | 2000 @ 500mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP047N08-F10 | 2.8600 | ![]() | 432 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | FDP047 | - | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KST63MTF | - | ![]() | 1399 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1.5V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100mA, 5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76409D3 | 0.4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 63mohm @ 18a, 10v | 3V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 16V | 485 pf @ 25 V | - | 49W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | Tip41btu | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 2 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 80 V | 6 A | 700 µA | NPN | 1.5V @ 600mA, 6a | 15 @ 3a, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4126TFR | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 25 V | 200 MA | 50NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 5 Ma, 50 Ma | 120 @ 2mA, 1V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PN3642 | 0.0500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 45 V | 500 mA | 50NA | NPN | 220mv @ 15 mA, 150 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Fqd4n20tm | 0.2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.086 | N-canal | 200 V | 3A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 6.5 NC @ 10 V | ± 30V | 220 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | KSD362R | 0.2000 | ![]() | 4647 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 40 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.170 | 70 V | 5 A | 20 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 500 Ma, 5a | 40 @ 5a, 5v | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PN100RM | 0.0400 | ![]() | 4159 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 V | 500 mA | 50NA | NPN | 400mv @ 20 mm, 200 mA | 100 @ 150mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Kar00061a | 3.7800 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSB1366G | 0.2000 | ![]() | 2844 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 2 W | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.170 | 60 V | 3 A | 100 µA (ICBO) | PNP | 1V @ 200Ma, 2a | 150 @ 500 mA, 5V | 9MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc1674obu | 0.0200 | ![]() | 146 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 250MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | - | 20V | 20 Ma | NPN | 70 @ 1 MMA, 6V | 600MHz | 3DB ~ 5DB @ 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQP20N06 | - | ![]() | 8934 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | - | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 60 V | 20A (TC) | 10V | 60mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 25V | 590 pf @ 25 V | - | 53W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TN6719A | - | ![]() | 4174 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1 W | Un 226-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 1.500 | 300 V | 200 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 750mv @ 3 mm, 30 mA | 40 @ 30mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc33725bu | 0.0400 | ![]() | 85 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 7,474 | 45 V | 800 Ma | 100na | NPN | 700mv @ 50 mm, 500 mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc1008ybu | 0.0600 | ![]() | 390 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 800 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 5.323 | 60 V | 700 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 50mA, 2V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76139P3 | 0.9500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 75a, 10v | 3V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 165W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | FQP6N60C | 0.8500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 353 | N-canal | 600 V | 5.5a (TC) | 10V | 2ohm @ 2.75a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 810 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA42RA | 1.0000 | ![]() | 8905 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2 mm, 20 mm | 40 @ 30mA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2330obu | 0.0500 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 1 W | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 300 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 70 @ 20MA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5551BU | - | ![]() | 8798 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 160 V | 600 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 200 MV a 5 mm, 50 Ma | 80 @ 10mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9V2040D3ST | 0.9700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 309 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc549bbu | - | ![]() | 7555 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2335rtu | 1.0000 | ![]() | 2324 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 1.5 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 7 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 600 Ma, 3a | 20 @ 1a, 5v | - |
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