SIC
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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Drenaje real (ID) - Max
SS9015CBU Fairchild Semiconductor SS9015CBU 0.0200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 450 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 100 mA 50NA (ICBO) PNP 700mv @ 5 ma, 100 ma 200 @ 1 mapa, 5v 190MHz
BC33716BU Fairchild Semiconductor Bc33716bu 0.0400
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 7,474 45 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
FDPF6N60ZUT Fairchild Semiconductor Fdpf6n60zut 0.6800
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 450 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 2ohm @ 2.25a, ​​10v 5V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 865 pf @ 25 V - 33.8W (TC)
FQA90N10V2 Fairchild Semiconductor FQA90N10V2 4.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 100 V 105A (TC) 10V 10mohm @ 52.5a, 10v 4V @ 250 µA 191 NC @ 10 V ± 30V 6150 pf @ 25 V - 330W (TC)
FCP400N80Z Fairchild Semiconductor FCP400N80Z -
RFQ
 ECAD 1882 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 126 N-canal 800 V 14a (TC) 10V 400mohm @ 5.5a, 10V 4.5V @ 1.1MA 56 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 1 V - 195W (TC)
KSC5019MTA Fairchild Semiconductor KSC5019MTA 0.0700
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSC5019 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 10 V 2 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 2a 140 @ 500mA, 1V 150MHz
FQP16N15 Fairchild Semiconductor Fqp16n15 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 150 V 16.4a (TC) 10V 160mohm @ 8.2a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 25V 910 pf @ 25 V - 108W (TC)
MMBTA14-NB05232 Fairchild Semiconductor MMBTA14-NB05232 0.1400
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.21.0075 3.000
FQP24N08 Fairchild Semiconductor FQP24N08 1.0000
RFQ
 ECAD 7566 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 80 V 24a (TC) 10V 60mohm @ 12a, 10v 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 25V 750 pf @ 25 V - 75W (TC)
BC33725TFR Fairchild Semiconductor BC33725TFR 0.0400
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 7.071 45 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
JFTJ105 Fairchild Semiconductor JFTJ105 -
RFQ
 ECAD 9816 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1 W SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal - 25 V 500 mA @ 15 V 4.5 V @ 1 µA 3 ohmios
BD237STU Fairchild Semiconductor Bd237stu -
RFQ
 ECAD 7331 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 25 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 80 V 2 A 100 µA (ICBO) NPN 600mv @ 100 mm, 1a 40 @ 150mA, 2V 3MHz
KSA733GBU Fairchild Semiconductor Ksa733gbu 0.0200
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSA733 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 1 MMA, 6V 180MHz
HGT1S3N60A4DS9A Fairchild Semiconductor HGT1S3N60A4DS9A 1.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 70 W D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 390v, 3a, 50ohm, 15V 29 ns - 600 V 17 A 40 A 2.7V @ 15V, 3a 37 µJ (Encendido), 25 µJ (apaguado) 21 NC 6ns/73ns
FJV4103RMTF Fairchild Semiconductor Fjv4103rmtf -
RFQ
 ECAD 9217 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FJV410 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 4,244 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5MA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
FJV4104RMTF Fairchild Semiconductor FJV4104RMTF 0.0200
RFQ
 ECAD 9030 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FJV410 200 MW Sot-23-3 descascar No Aplicable EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 200 MHz 47 kohms 47 kohms
KSC1675CYBU Fairchild Semiconductor Ksc1675cybu 0.0500
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 1 mapa, 10 ma 120 @ 1 MMA, 6V 300MHz
FJP5021OTU Fairchild Semiconductor FJP5021OTU -
RFQ
 ECAD 2764 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 50 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 500 V 5 A 10 µA (ICBO) NPN 1V @ 600 Ma, 3a 20 @ 600mA, 5V 18mhz
FGA40T65SHDF Fairchild Semiconductor FGA40T65SHDF 1.0000
RFQ
 ECAD 8593 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 268 W Un 3pn descascar EAR99 8542.39.0001 1 400V, 40a, 6ohm, 15V 101 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 120 A 1.81V @ 15V, 40A 1.22MJ (Encendido), 440 µJ (apagado) 68 NC 18ns/64ns
FJN3304RTA Fairchild Semiconductor Fjn3304rta 0.0200
RFQ
 ECAD 4788 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales FJN330 300 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 kohms 47 kohms
FGPF4565 Fairchild Semiconductor FGPF4565 1.2000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 30 W Un 220F-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 400V, 30a, 5ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 170 A 1.88v @ 15V, 30a - 40.3 NC 11.2ns/40.8ns
MMBF4392 Fairchild Semiconductor MMBF4392 -
RFQ
 ECAD 1075 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 14pf @ 20V 30 V 25 Ma @ 20 V 2 V @ 1 Na 60 ohmios
FDMS3606AS Fairchild Semiconductor FDMS3606As 1.0900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS3606 Mosfet (Óxido de metal) 1W 8-PQFN (5x6) descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 Asimétrico del canal (dual) 30V 13a, 27a 8mohm @ 13a, 10v 2.7V @ 250 µA 29NC @ 10V 1695pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
FQPF5N50C Fairchild Semiconductor FQPF5N50C 1.0000
RFQ
 ECAD 5408 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 38W (TC)
FMG2G75US120 Fairchild Semiconductor FMG2G75US120 55.8100
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 7 pm-ga Fmg2 445 W Estándar 7 pm-ga descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Medio puente - 1200 V 75 A 3V @ 15V, 75a 3 MA No
FDS4885C Fairchild Semiconductor FDS4885C 1.0000
RFQ
 ECAD 6937 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Fds48 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1 Vecino del canal 40V 7.5a, 6a 22mohm @ 7.5a, 10v 5V @ 250 µA 21NC @ 10V 900pf @ 20V -
FDS6680 Fairchild Semiconductor FDS6680 0.8800
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 11.5a (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250 µA 27 NC @ 5 V ± 20V 2070 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FJZ594JCTF Fairchild Semiconductor Fjz594jctf 0.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-623F 100 MW SOT-623F descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 3.5pf @ 5V 20 V 150 µA @ 5 V 600 MV @ 1 µA 1 MA
SS9015ABU Fairchild Semiconductor Ss9015abu 0.0200
RFQ
 ECAD 3817 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 450 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 2156-SS9015ABU-FS EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 100 mA 50NA (ICBO) PNP 700mv @ 5 ma, 100 ma 60 @ 1 MMA, 5V 190MHz
FQU3P20TU Fairchild Semiconductor FQU3P20TU 1.0100
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 70 Canal P 200 V 2.4a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.2a, 10v 5V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 37W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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