SIC
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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
FJN4302RTA Fairchild Semiconductor Fjn4302rta 0.0300
RFQ
 ECAD 7488 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales FJN430 300 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 472 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
NDH8302P Fairchild Semiconductor NDH8302P 0.4400
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) NDH8302 Mosfet (Óxido de metal) 800MW (TA) Supersot ™ -8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 2a (TA) 130mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 11NC @ 4.5V 515pf @ 10V -
FDBL9406 Fairchild Semiconductor FDBL9406 -
RFQ
 ECAD 8611 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDBL940 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 2,000 -
FDZ1827NZ Fairchild Semiconductor FDZ1827NZ 0.1200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfbga, WLCSP FDZ1827 Mosfet (Óxido de metal) 2W (TA) 6-WLCSP (1.3x2.3) descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 10a (TA) 13mohm @ 1a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 24nc @ 10V 2055pf @ 10V -
IRFW820BTM Fairchild Semiconductor Irfw820btm 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 2.5A (TC) 10V 2.6ohm @ 1.25a, 10V 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 30V 610 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 49W (TC)
HUFA75321D3ST Fairchild Semiconductor HUFA75321D3ST 0.4200
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 HUFA75 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 2.500 N-canal 55 V 20A (TC) 10V 36mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 44 NC @ 20 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 93W (TC)
BD435S Fairchild Semiconductor BD435S -
RFQ
 ECAD 9366 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD435 36 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 32 V 4 A 100 µA NPN 500mv @ 200MA, 2a 40 @ 10mA, 5V 3MHz
HUFA75852G3-F085 Fairchild Semiconductor HUFA75852G3-F085 3.1200
RFQ
 ECAD 166 0.00000000 Semiconductor de fairchild Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 HUFA75 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 150 V 75A (TC) 10V 16mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 480 NC @ 20 V ± 20V 7690 pf @ 25 V - 500W (TC)
SSP1N50B Fairchild Semiconductor SSP1N50B 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 520 V 1.5a (TC) 10V 5.3ohm @ 750 mm, 10v 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 340 pf @ 25 V - 36W (TC)
TIP41CTU Fairchild Semiconductor Tip41ctu -
RFQ
 ECAD 4398 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 100 V 6 A 700 µA NPN 1.5V @ 600mA, 6a 30 @ 300mA, 4V 3MHz
KSC1008OTA Fairchild Semiconductor Ksc1008ota 0.1500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 800 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 60 V 700 Ma 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50 mA, 500 mA 70 @ 50 mm, 2v 50MHz
BF244C Fairchild Semiconductor Bf244c 0.3400
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 450MHz - Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 - 25 Ma - - 1.5db
HUF75309D3S Fairchild Semiconductor HUF75309D3S 0.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 55 V 19a (TC) 70mohm @ 19a, 10v 4V @ 250 µA 24 NC @ 20 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 55W (TC)
FJMA790 Fairchild Semiconductor FJMA790 1.0000
RFQ
 ECAD 2286 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla FJMA79 1.56 W 6-Microfet (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 35 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 450mv @ 50 mm, 2a 100 @ 1.5a, 1.5V -
FQA9N50 Fairchild Semiconductor FQA9N50 -
RFQ
 ECAD 4882 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 220 N-canal 500 V 9.6a (TC) 10V 730mohm @ 4.8a, 10V 5V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1450 pf @ 25 V - 160W (TC)
SSR4N60BTF Fairchild Semiconductor Ssr4n60btf 0.2100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 2.8a (TC) 10V 2.5ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 30V 920 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 49W (TC)
FCP400N80Z Fairchild Semiconductor FCP400N80Z -
RFQ
 ECAD 1882 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 126 N-canal 800 V 14a (TC) 10V 400mohm @ 5.5a, 10V 4.5V @ 1.1MA 56 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 1 V - 195W (TC)
FQL50N40 Fairchild Semiconductor FQL50N40 7.1600
RFQ
 ECAD 338 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Mosfet (Óxido de metal) HPM F2 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 375 N-canal 400 V 50A (TC) 10V 75mohm @ 25A, 10V 5V @ 250 µA 210 NC @ 10 V ± 30V 7500 pf @ 25 V - 460W (TC)
2N3905TFR Fairchild Semiconductor 2N3905TFR 0.0200
RFQ
 ECAD 6136 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 4,373 40 V 200 MA - PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 50 @ 10mA, 1V -
SFR9034TM Fairchild Semiconductor SFR9034TM -
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 14a (TC) 10V 140mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 25V 1155 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 49W (TC)
FDS6680S Fairchild Semiconductor Fds6680s 0.5200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 11.5a (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250 µA 24 NC @ 5 V ± 20V 2010 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
FQPF6N40CF Fairchild Semiconductor Fqpf6n40cf 0.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 6a (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 38W (TC)
KSD471AGTA Fairchild Semiconductor Ksd471agta -
RFQ
 ECAD 7357 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800 MW Un 92-3 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-KSD471AGTA-600039 1 30 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 1v 130MHz
ISL9N310AD3 Fairchild Semiconductor ISL9N310Ad3 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 10ohm @ 35a, 10a 3V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 20V 1800 pf @ 15 V - 70W (TA)
FQPF4N80 Fairchild Semiconductor FQPF4N80 0.8300
RFQ
 ECAD 4136 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 334 N-canal 800 V 2.2a (TC) 10V 3.6ohm @ 1.1a, 10V 5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 880 pf @ 25 V - 43W (TC)
FMS7G20US60 Fairchild Semiconductor FMS7G20US60 -
RFQ
 ECAD 5436 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 25 PM-AA 89 W Rectificador de Puente Trifásico 25 PM-AA descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 30 Inversor trifásico con freno - 600 V 20 A 2.7V @ 15V, 20a 250 µA Si 1.277 nf @ 30 V
KST3904LGEMTF Fairchild Semiconductor KST3904LGEMTF 0.0600
RFQ
 ECAD 236 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 5.323 40 V 200 MA - NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
KSC1623LMTF Fairchild Semiconductor KSC1623LMTF -
RFQ
 ECAD 9122 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW Sot-23-3 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-KSC1623LMTF-600039 1 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 300 @ 1 Mapa, 6V 250MHz
FDP7042L Fairchild Semiconductor FDP7042L 0.6600
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 50A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 25A, 10V 2V @ 250 Ma 51 NC @ 4.5 V ± 12V 2418 pf @ 15 V - 83W (TA)
MPSA56 Fairchild Semiconductor MPSA56 -
RFQ
 ECAD 3175 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 5,115 80 V 500 mA 100na PNP 200 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 50MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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