SIC
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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
FQI17N08TU Fairchild Semiconductor Fqi17n08tu 0.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 80 V 16.5a (TC) 10V 115mohm @ 8.25a, 10V 4V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 25V 450 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 65W (TC)
KSA1015GRBU Fairchild Semiconductor Ksa1015grbu -
RFQ
 ECAD 8313 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 400 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 7,820 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
FQPF8N90C Fairchild Semiconductor FQPF8N90C 1.1700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF8 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 900 V 6.3a (TC) 10V 1.9ohm @ 3.15a, 10V 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 30V 2080 pf @ 25 V - 60W (TC)
FJNS4202RTA Fairchild Semiconductor Fjns4202rta 0.0200
RFQ
 ECAD 477 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto FJNS42 300 MW Un Los 92 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
MMBT3904SL Fairchild Semiconductor Mmbt3904sl -
RFQ
 ECAD 6194 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-923F MMBT3904 227 MW SOT-923F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 6,264 40 V 200 MA - NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
FQU5N60CTU Fairchild Semiconductor Fqu5n60ctu 0.4300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar EAR99 8542.39.0001 695 N-canal 600 V 2.8a (TC) 10V 2.5ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 670 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 49W (TC)
KSC5504DTTU Fairchild Semiconductor Ksc5504dttu 0.2200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 75 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 600 V 4 A 100 µA NPN 1.5V @ 400mA, 2A 4 @ 2a, 1v 11MHz
FDB8896 Fairchild Semiconductor FDB8896 0.9100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar EAR99 8542.39.0001 330 N-canal 30 V 19A (TA), 93A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 2525 pf @ 15 V - 80W (TC)
HUF76429P3 Fairchild Semiconductor HUF76429P3 1.0000
RFQ
 ECAD 6078 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 60 V 47a (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 47a, 10V 3V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 16V 1480 pf @ 25 V - 110W (TC)
FDR844P Fairchild Semiconductor FDR844P 0.7000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -8 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 10a (TA) 1.8V, 4.5V 11mohm @ 10a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 74 NC @ 4.5 V ± 8V 4951 pf @ 10 V - 1.8w (TA)
KST13MTF Fairchild Semiconductor KST13MTF 0.0300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 KST13 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 3.000 30 V 300 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
FDB12N50FTM Fairchild Semiconductor Fdb12n50ftm 0.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FDB12N - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 -
2N5950 Fairchild Semiconductor 2N5950 -
RFQ
 ECAD 8947 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 30 V A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) - Jfet Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 15 Ma - - -
PN2222TFR Fairchild Semiconductor PN2222TFR -
RFQ
 ECAD 6552 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 10,000 30 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
BC848B Fairchild Semiconductor BC848B 1.0000
RFQ
 ECAD 9265 0.00000000 Semiconductor de fairchild Sot-23 Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW Sot-23 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 100MHz
HGT1S7N60A4DS9A Fairchild Semiconductor HGT1S7N60A4DS9A -
RFQ
 ECAD 9272 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar 125 W Un 263ab descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 390v, 7a, 25ohm, 15V 34 ns - 600 V 34 A 56 A 2.7V @ 15V, 7a 120 µJ (Encendido), 60 µJ (apaguado) 60 NC 11ns/100ns
FQP11N50CF Fairchild Semiconductor FQP11N50CF 1.7700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild FRFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 11a (TC) 10V 550mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 30V 2055 pf @ 25 V - 195W (TC)
HUF76609D3_NL Fairchild Semiconductor HUF76609D3_NL -
RFQ
 ECAD 7166 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 238 N-canal 100 V 10a (TC) 4.5V, 10V 160mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 16V 425 pf @ 25 V - 49W (TC)
SS9015CBU Fairchild Semiconductor SS9015CBU 0.0200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 450 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 100 mA 50NA (ICBO) PNP 700mv @ 5 ma, 100 ma 200 @ 1 mapa, 5v 190MHz
FCI17N60 Fairchild Semiconductor FCI7N60 -
RFQ
 ECAD 7348 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo FCI17 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 1 -
HUFA76445S3S Fairchild Semiconductor HUFA76445S3S 1.0600
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 75A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 75a, 10v 3V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 16V 4965 pf @ 25 V - 310W (TC)
2N5088TA Fairchild Semiconductor 2N5088TA 1.0000
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 30 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 350 @ 1 MMA, 5V 50MHz
FQP9N50C Fairchild Semiconductor FQP9N50C -
RFQ
 ECAD 5793 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 9A (TC) 10V 800mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1030 pf @ 25 V - 135W (TC)
BC33716BU Fairchild Semiconductor Bc33716bu 0.0400
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 7,474 45 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
SS8050CTA Fairchild Semiconductor Ss8050cta 0.1200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 1 W Un 92-3 descascar EAR99 8541.29.0075 2.567 25 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 80mA, 800 mA 120 @ 100mA, 1V 100MHz
IRFW620BTM Fairchild Semiconductor Irfw620btm 0.4000
RFQ
 ECAD 933 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 5A (TC) 10V 800mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 30V 390 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 47W (TC)
BD240BTU Fairchild Semiconductor Bd240btu 1.0000
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 30 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 80 V 2 A 300 µA PNP 700mv @ 200MA, 1A 15 @ 1a, 4v -
FDD8770 Fairchild Semiconductor FDD8770 0.4000
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar EAR99 8542.39.0001 742 N-canal 25 V 35A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 73 NC @ 10 V ± 20V 3720 pf @ 13 V - 115W (TC)
FJNS3202RTA Fairchild Semiconductor Fjns3202rta -
RFQ
 ECAD 5508 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto FJNS32 300 MW Un Los 92 - ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
BDX34A Fairchild Semiconductor Bdx34a 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 70 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.070 60 V 10 A 500 µA PNP 2.5V @ 8MA, 4A 750 @ 4a, 3V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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