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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Fqpf2n80ydtu | 1.1400 | ![]() | 725 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 Paqueto completo, Pechos Formados | Mosfet (Óxido de metal) | TO20F-3 (Formación y) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 800 V | 1.5a (TC) | 10V | 6.3ohm @ 750 mm, 10v | 5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 550 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS6298 | 0.5200 | ![]() | 265 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 574 | N-canal | 30 V | 13a (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 13a, 10v | 3V @ 250 µA | 14 NC @ 5 V | ± 20V | 1108 pf @ 15 V | - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS3606S | - | ![]() | 7384 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | FDMS3606 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-PQFN (5x6) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Asimétrico del canal (dual) | 30V | 13a, 27a | 8mohm @ 13a, 10v | 2.7V @ 250 µA | 29NC @ 10V | 1785pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGA50S110P | 1.5400 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Estándar | 300 W | Un 3pn | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | Parada de Campo de Trinchera | 1100 V | 50 A | 120 A | 2.6V @ 15V, 50A | - | 195 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH76N60N | 15.1300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Supremos ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 600 V | 76a (TC) | 10V | 36mohm @ 38a, 10v | 4V @ 250 µA | 285 NC @ 10 V | ± 30V | 12385 pf @ 100 V | - | 543W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J105 | - | ![]() | 9982 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | - | 25 V | 500 mA @ 15 V | 4.5 V @ 1 µA | 3 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N7030BLS3ST | 0.7300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263ab | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 75a, 10v | 3V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 2600 pf @ 15 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDFC3N108 | 0.4100 | ![]() | 98 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Supersot ™ -6 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 3a (TA) | 2.5V, 4.5V | 70mohm @ 3a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 4.9 NC @ 4.5 V | ± 12V | 355 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGR20N40LTM | 1.2500 | ![]() | 2783 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SGR20 | Estándar | 45 W | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | Zanja | 400 V | 150 A | 8V @ 4.5V, 150a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDN363N | 0.1700 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Supersot ™ -3 | descascar | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 1A (TC) | 6V, 10V | 240mohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 5.2 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 500MW (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC15N06 | - | ![]() | 1274 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-MLP (3.3x3.3) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 55 V | 2.4a (TA), 15a (TC) | 10V | 900mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250 µA | 11.5 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.3W (TA), 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQB44N10TM | 1.0000 | ![]() | 8553 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 100 V | 43.5a (TC) | 10V | 39mohm @ 21.75a, 10v | 4V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 25V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 146W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCPF260N65FL1 | 1.1400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | FRFET®, Superfet® II | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 650 V | 15A (TC) | 10V | 260mohm @ 7.5a, 10v | 5V @ 1.5MA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2340 pf @ 100 V | - | 36W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP115tu | 0.4500 | ![]() | 940 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 2 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 60 V | 2 A | 2mera | PNP - Darlington | 2.5V @ 8MA, 2A | 1000 @ 1a, 4V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMA8884 | 1.0000 | ![]() | 6776 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 6-Microfet (2x2) | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 6.5a (TA), 8a (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 6.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 7.5 NC @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 15 V | - | 1.9W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS0348 | 0.2100 | ![]() | 63 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-MLP (5x6) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 30 V | 14A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 1590 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfr220btm | 0.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.760 | N-canal | 200 V | 4.6a (TC) | 10V | 800mohm @ 2.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 30V | 390 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD340 | - | ![]() | 9109 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 1.56 W | Dpak | descascar | Rohs no conforme | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | 300 V | 500 mA | 100 µA | NPN | - | 30 @ 50mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksp06ta-fs | - | ![]() | 1406 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 V | 500 mA | 100na | NPN | 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma | 50 @ 100 mapa, 1v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75329D3 | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 55 V | 20A (TC) | 10V | 26mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 65 NC @ 20 V | ± 20V | 1060 pf @ 25 V | - | 128W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN5434 | 0.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 350 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N-canal | 30pf @ 10V (VGS) | 25 V | 30 Ma @ 15 V | 1 v @ 3 na | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002T | - | ![]() | 2887 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | 2N7002 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-523F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 115MA (TA) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 50 mm, 5V | 2V @ 250 µA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 200MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2n3904rlrah | 0.0200 | ![]() | 140 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-2N3904RLRAH-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8447L | 0.4300 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252, (D-Pak) | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 705 | N-canal | 40 V | 15.2a (TA), 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 1970 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 44W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW30 | 1.0000 | ![]() | 4650 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 215 @ 2mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMF5808 | 1.0000 | ![]() | 4017 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSA1406CSTU | - | ![]() | 1151 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 1.2 W | A-126-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.920 | 200 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 800mv @ 3 mm, 30 mA | 40 @ 10mA, 10V | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS7760A | 1.2300 | ![]() | 575 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 55 NC @ 5 V | ± 20V | 3514 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDU8778 | 0.4700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 25 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 35a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 845 pf @ 13 V | - | 39W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY3006R | 0.0200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | FJY300 | 200 MW | SOT-523F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 47 kohms |
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