SIC
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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
FDC658P Fairchild Semiconductor FDC658P -
RFQ
 ECAD 8750 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar EAR99 8542.39.0001 1 Canal P 30 V 4A (TA) 10V 50mohm @ 4a, 10v 3V @ 250 µA 12 NC @ 5 V ± 20V 750 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
HUF75925D3ST Fairchild Semiconductor HUF75925D3ST 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 V 11a (TC) 10V 275mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 78 NC @ 20 V ± 20V 1030 pf @ 25 V - 100W (TC)
FDS2572 Fairchild Semiconductor FDS2572 -
RFQ
 ECAD 4207 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 150 V 4.9a (TC) 10V 47mohm @ 4.9a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 2870 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
FQPF6N60 Fairchild Semiconductor Fqpf6n60 0.9400
RFQ
 ECAD 887 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 3.6a (TC) 10V 1.5ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 44W (TC)
FGBS3040E1-SN00390 Fairchild Semiconductor FGBS3040E1-SN00390 2.8000
RFQ
 ECAD 399 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-FGBS3040E1-SN00390-600039 1
IRFR430BTF Fairchild Semiconductor Irfr430btf 0.4400
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252-3 (DPAK) descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 500 V 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.75a, 10V 4V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1050 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
BC559CTA Fairchild Semiconductor BC559CTA -
RFQ
 ECAD 8389 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 500 MW Un 92-3 descascar EAR99 8541.21.0075 1 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 150MHz
FQI3N30TU Fairchild Semiconductor Fqi3n30tu 0.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 300 V 3.2a (TC) 10V 2.2ohm @ 1.6a, 10V 5V @ 250 µA 7 NC @ 10 V ± 30V 230 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 55W (TC)
FQPF2P25 Fairchild Semiconductor FQPF2P25 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 250 V 1.8a (TC) 10V 4ohm @ 900 mA, 10V 5V @ 250 µA 8.5 NC @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 32W (TC)
FQI9N50CTU Fairchild Semiconductor Fqi9n50ctu 1.2500
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 9A (TC) 10V 800mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1030 pf @ 25 V - 135W (TC)
FJPF5304DTU Fairchild Semiconductor Fjpf5304dtu 0.5100
RFQ
 ECAD 133 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1
HUF75542P3_NL Fairchild Semiconductor HUF75542P3_NL -
RFQ
 ECAD 8266 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 114 N-canal 80 V 75A (TC) 10V 14mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 180 NC @ 20 V ± 20V 2750 pf @ 25 V - 230W (TC)
FDPF7N50 Fairchild Semiconductor FDPF7N50 0.7100
RFQ
 ECAD 265 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 7a (TC) 10V 900mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250 µA 16.6 NC @ 10 V ± 30V 940 pf @ 25 V - 39W (TC)
KSC2688YSTU Fairchild Semiconductor Ksc2688ystu 0.1900
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1.25 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 60 300 V 200 MA 100 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 5 mm, 50 Ma 100 @ 10mA, 10V 80MHz
MPS6515 Fairchild Semiconductor MPS6515 0.0400
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 25 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 500mV @ 5 mm, 50 Ma 250 @ 2mA, 10V -
TIP41C Fairchild Semiconductor TIP41C -
RFQ
 ECAD 7599 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo - A Través del Aguetero Un 220-3 65 W Un 220 descascar Vendedor indefinido Vendedor indefinido 2156-TIP41C-600039 1 100 V 6 A 400 µA NPN 1.5V @ 600mA, 6a 15 @ 3a, 4V -
FDP61N20 Fairchild Semiconductor FDP61N20 -
RFQ
 ECAD 5036 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 0000.00.0000 1 N-canal 200 V 61a (TC) 10V 41mohm @ 30.5a, 10V 5V @ 250 µA 75 NC @ 10 V ± 30V 3380 pf @ 25 V - 417W (TC)
FMG1G200US60H Fairchild Semiconductor FMG1G200US60H 55.6300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 695 W Estándar - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero - 600 V 200 A 2.7V @ 15V, 200a 250 µA No
HUFA75309D3S Fairchild Semiconductor HUFA75309D3S 0.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 55 V 19a (TC) 10V 70mohm @ 19a, 10v 4V @ 250 µA 24 NC @ 20 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 55W (TC)
FDP7N50 Fairchild Semiconductor FDP7N50 -
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 Semiconductor de fairchild Unifet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 500 V 7a (TC) 10V 900mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250 µA 16.6 NC @ 10 V ± 30V 940 pf @ 25 V - 89W (TC)
FDN360P Fairchild Semiconductor FDN360P -
RFQ
 ECAD 1062 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 Canal P 30 V 2a (TA) 4.5V, 10V 80mohm @ 2a, 10v 3V @ 250 µA 9 NC @ 10 V ± 20V 298 pf @ 15 V - 500MW (TA)
FDP050AN06A0 Fairchild Semiconductor Fdp050an06a0 -
RFQ
 ECAD 4914 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 0000.00.0000 1 N-canal 60 V 18a (TA), 80a (TC) 6V, 10V 5mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 3900 pf @ 25 V - 245W (TC)
FCU2250N80Z Fairchild Semiconductor FCU2250N80Z 0.7200
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Semiconductor de fairchild Superfet® II Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 800 V 2.6a (TC) 10V 2.25ohm @ 1.3a, 10V 4.5V @ 260 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 585 pf @ 100 V - 39W (TC)
KSC2785YBU Fairchild Semiconductor Ksc2785ybu 0.0200
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto 250 MW Un Los 92 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 300MHz
FGB5N60UNDF Fairchild Semiconductor Fgb5n60undf -
RFQ
 ECAD 9142 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FGB5N60 Estándar 73.5 W To-263ab (d²pak) descascar EAR99 8542.39.0001 1 400V, 5a, 10ohm, 15V 35 ns Escrutinio 600 V 10 A 15 A 2.4V @ 15V, 5A 80 µJ (Encendido), 70 µJ (apaguado) 12.1 NC 5.4ns/25.4ns
FQB25N33TM Fairchild Semiconductor Fqb25n33tm 1.3800
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar No Aplicable EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 330 V 25A (TC) 10V 230mohm @ 12.5a, 10V 5V @ 250 µA 75 NC @ 15 V ± 30V 2010 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 250W (TC)
HUFA75842P3 Fairchild Semiconductor HUFA75842P3 0.9200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 150 V 43a (TC) 10V 42mohm @ 43a, 10v 4V @ 250 µA 175 NC @ 20 V ± 20V 2730 pf @ 25 V - 230W (TC)
KSB601YTU Fairchild Semiconductor Ksb601ytu 0.5200
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 1.5 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 1,000 100 V 5 A 10 µA (ICBO) PNP - Darlington 1.5V @ 3MA, 3A 5000 @ 3a, 2v -
KSC5305DTU Fairchild Semiconductor Ksc5305dtu 1.0000
RFQ
 ECAD 8536 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSC5305 75 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 400 V 5 A 10 µA (ICBO) NPN 500mv @ 400mA, 2a 8 @ 2a, 1v -
BD240CTU-FS Fairchild Semiconductor Bd240ctu-fs 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BD240 30 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 100 V 2 A PNP 700mv @ 200MA, 1A 40 @ 200Ma, 4V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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