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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Drenaje real (ID) - Max |
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![]() | HUFA76639P3 | 0.6600 | ![]() | 973 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 100 V | 51a (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 51a, 10v | 3V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 16V | 2400 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9N312Ad3_NL | - | ![]() | 2827 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 340 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 50A, 10V | 3V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1450 pf @ 15 V | - | 75W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjns4202rta | 0.0200 | ![]() | 477 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto | FJNS42 | 300 MW | Un Los 92 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 10 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Isl9n302as3st | 2.0700 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 75a, 10v | 3V @ 250 µA | 300 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 15 V | - | 345W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjz594jbtf | 0.0200 | ![]() | 687 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-623F | 100 MW | SOT-623F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 3.5pf @ 5V | 20 V | 150 µA @ 5 V | 600 MV @ 1 µA | 1 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ssi7n60btu | 0.3900 | ![]() | 964 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 1800 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 147W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSC2690YSTU | 0.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | 1.2 W | A-126-3 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-KSC2690YSTU-600039 | 1.750 | 120 V | 1.2 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 700mv @ 200MA, 1A | 160 @ 300mA, 5V | 155MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8962C | 1.0000 | ![]() | 8273 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FDS89 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 7a, 5a | 30mohm @ 7a, 10v | 3V @ 250 µA | 26nc @ 10V | 575pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS8050DTA | 0.0600 | ![]() | 620 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 1 W | Un 92-3 | descascar | 0000.00.0000 | 5.124 | 25 V | 1.5 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 80mA, 800 mA | 160 @ 100mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN2222TFR | - | ![]() | 6552 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 30 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fdp6035al | 1.3600 | ![]() | 106 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 48a (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 24a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 1250 pf @ 15 V | - | 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQAF19N20 | 0.8300 | ![]() | 684 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N-canal | 200 V | 15A (TC) | 10V | 150MOHM @ 7.5A, 10V | 5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 1600 pf @ 25 V | - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
FP7G50US60 | 28.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Power-Spm ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Monte del Chasis | EPM7 | 250 W | Estándar | EPM7 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 11 | Medio puente | - | 600 V | 50 A | 2.8V @ 15V, 50A | 250 µA | No | 2.92 NF @ 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJPF2145TU | 0.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | ESBC ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 40 W | Un 220F-3 | descascar | EAR99 | 8541.29.0095 | 532 | 800 V | 5 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 2V @ 300 Ma, 1.5a | 20 @ 200Ma, 5V | 15MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC7660DC | - | ![]() | 9332 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Dual Cool ™, Perstrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | Dual Cool ™ 33 | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-FDMC7660DC-600039 | 1 | N-canal | 30 V | 30A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 22a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 76 NC @ 10 V | ± 20V | 5170 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 78W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tip41ctu | - | ![]() | 4398 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 2 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 6 A | 700 µA | NPN | 1.5V @ 600mA, 6a | 30 @ 300mA, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Isl9n312Ad3stnl | - | ![]() | 6060 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | N-canal | 30 V | 50A (TC) | 12mohm @ 50A, 10V | 3V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1450 pf @ 15 V | - | 75W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FGH40T65SHD | 1.0000 | ![]() | 8890 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC546 | 0.0400 | ![]() | 114 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 65 V | 100 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 110 @ 2mA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDS8928A | 1.0000 | ![]() | 1457 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FDS89 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW | 8-Soico | descascar | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Vecino del canal | 30V, 20V | 5.5a, 4a | 30mohm @ 5.5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 28NC @ 4.5V | 900pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75842P3 | - | ![]() | 1670 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | UltraFet ™ | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 150 V | 43a (TC) | 10V | 42mohm @ 43a, 10v | 4V @ 250 µA | 175 NC @ 20 V | ± 20V | 2730 pf @ 25 V | - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fjn4310rbu | 0.0200 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | FJN431 | 300 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 40 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 200 MHz | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002-G | - | ![]() | 4946 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-2N7002-G | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N-canal | 60 V | 115MA (TC) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 200MW (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB8876 | 0.4800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2PAK (TO-263) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 30 V | 71a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 40a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 15 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc1008ota | 0.1500 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 800 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 60 V | 700 Ma | 100NA (ICBO) | NPN | 400mv @ 50 mA, 500 mA | 70 @ 50 mm, 2v | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fds6676s | 0.6400 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Powertrench® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 14.5a (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 14.5a, 10v | 3V @ 1MA | 60 NC @ 5 V | ± 16V | 4665 pf @ 15 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA93 | 0.0700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | 625 MW | TO-92 (TO-226) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 200 V | 500 mA | 250NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 2mA, 20 mA | 25 @ 30mA, 10V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL9V3036D3ST | 1.9600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | Ecospark® | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Lógica | 150 W | TO-252, (D-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 300V, 1KOHM, 5V | - | 360 V | 21 A | 1.6v @ 4V, 6a | - | 17 NC | -/4.8 µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ksc2328aobu | 0.0500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | 1 W | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0075 | 6,107 | 30 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 2V @ 30mA, 1.5a | 100 @ 500mA, 2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9015CBU | 0.0200 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 450 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45 V | 100 mA | 50NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 5 ma, 100 ma | 200 @ 1 mapa, 5v | 190MHz |
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