SIC
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Transistores (3821)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Drenaje real (ID) - Max
HUFA76639P3 Fairchild Semiconductor HUFA76639P3 0.6600
RFQ
 ECAD 973 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 51a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 51a, 10v 3V @ 250 µA 86 NC @ 10 V ± 16V 2400 pf @ 25 V - 180W (TC)
ISL9N312AD3_NL Fairchild Semiconductor ISL9N312Ad3_NL -
RFQ
 ECAD 2827 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 340 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 50A, 10V 3V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 1450 pf @ 15 V - 75W (TA)
FJNS4202RTA Fairchild Semiconductor Fjns4202rta 0.0200
RFQ
 ECAD 477 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto FJNS42 300 MW Un Los 92 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
ISL9N302AS3ST Fairchild Semiconductor Isl9n302as3st 2.0700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 75A (TC) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 75a, 10v 3V @ 250 µA 300 NC @ 10 V ± 20V 11000 pf @ 15 V - 345W (TC)
FJZ594JBTF Fairchild Semiconductor Fjz594jbtf 0.0200
RFQ
 ECAD 687 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-623F 100 MW SOT-623F descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 3.5pf @ 5V 20 V 150 µA @ 5 V 600 MV @ 1 µA 1 MA
SSI7N60BTU Fairchild Semiconductor Ssi7n60btu 0.3900
RFQ
 ECAD 964 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 1.2ohm @ 3.5a, 10v 4V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 147W (TC)
KSC2690YSTU Fairchild Semiconductor KSC2690YSTU 0.1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 1.2 W A-126-3 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-KSC2690YSTU-600039 1.750 120 V 1.2 A 1 µA (ICBO) NPN 700mv @ 200MA, 1A 160 @ 300mA, 5V 155MHz
FDS8962C Fairchild Semiconductor FDS8962C 1.0000
RFQ
 ECAD 8273 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS89 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2.500 Vecino del canal 30V 7a, 5a 30mohm @ 7a, 10v 3V @ 250 µA 26nc @ 10V 575pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
SS8050DTA Fairchild Semiconductor SS8050DTA 0.0600
RFQ
 ECAD 620 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 1 W Un 92-3 descascar 0000.00.0000 5.124 25 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 80mA, 800 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
PN2222TFR Fairchild Semiconductor PN2222TFR -
RFQ
 ECAD 6552 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 10,000 30 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
FDP6035AL Fairchild Semiconductor Fdp6035al 1.3600
RFQ
 ECAD 106 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 48a (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 24a, 10v 3V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 20V 1250 pf @ 15 V - 52W (TC)
FQAF19N20 Fairchild Semiconductor FQAF19N20 0.8300
RFQ
 ECAD 684 0.00000000 Semiconductor de fairchild QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 200 V 15A (TC) 10V 150MOHM @ 7.5A, 10V 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1600 pf @ 25 V - 85W (TC)
FP7G50US60 Fairchild Semiconductor FP7G50US60 28.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Semiconductor de fairchild Power-Spm ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Monte del Chasis EPM7 250 W Estándar EPM7 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 11 Medio puente - 600 V 50 A 2.8V @ 15V, 50A 250 µA No 2.92 NF @ 30 V
FJPF2145TU Fairchild Semiconductor FJPF2145TU 0.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild ESBC ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 40 W Un 220F-3 descascar EAR99 8541.29.0095 532 800 V 5 A 10 µA (ICBO) NPN 2V @ 300 Ma, 1.5a 20 @ 200Ma, 5V 15MHz
FDMC7660DC Fairchild Semiconductor FDMC7660DC -
RFQ
 ECAD 9332 0.00000000 Semiconductor de fairchild Dual Cool ™, Perstrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) Dual Cool ™ 33 descascar Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado 2156-FDMC7660DC-600039 1 N-canal 30 V 30A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 22a, 10v 2.5V @ 250 µA 76 NC @ 10 V ± 20V 5170 pf @ 15 V - 3W (TA), 78W (TC)
TIP41CTU Fairchild Semiconductor Tip41ctu -
RFQ
 ECAD 4398 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 100 V 6 A 700 µA NPN 1.5V @ 600mA, 6a 30 @ 300mA, 4V 3MHz
ISL9N312AD3STNL Fairchild Semiconductor Isl9n312Ad3stnl -
RFQ
 ECAD 6060 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 150 N-canal 30 V 50A (TC) 12mohm @ 50A, 10V 3V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 1450 pf @ 15 V - 75W (TA)
FGH40T65SHD Fairchild Semiconductor FGH40T65SHD 1.0000
RFQ
 ECAD 8890 0.00000000 Semiconductor de fairchild * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1
BC546 Fairchild Semiconductor BC546 0.0400
RFQ
 ECAD 114 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 2,000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 300MHz
FDS8928A Fairchild Semiconductor FDS8928A 1.0000
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS89 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar EAR99 8541.21.0095 1 Vecino del canal 30V, 20V 5.5a, 4a 30mohm @ 5.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 28NC @ 4.5V 900pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
HUF75842P3 Fairchild Semiconductor HUF75842P3 -
RFQ
 ECAD 1670 0.00000000 Semiconductor de fairchild UltraFet ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar EAR99 8542.39.0001 1 N-canal 150 V 43a (TC) 10V 42mohm @ 43a, 10v 4V @ 250 µA 175 NC @ 20 V ± 20V 2730 pf @ 25 V - 230W (TC)
FJN4310RBU Fairchild Semiconductor Fjn4310rbu 0.0200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) FJN431 300 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 1 mapa, 10 ma 100 @ 1 mapa, 5v 200 MHz 10 kohms
2N7002-G Fairchild Semiconductor 2N7002-G -
RFQ
 ECAD 4946 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-2N7002-G EAR99 8541.21.0095 1 N-canal 60 V 115MA (TC) 5V, 10V 7.5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 200MW (TC)
FDB8876 Fairchild Semiconductor FDB8876 0.4800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (TO-263) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 30 V 71a (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 40a, 10v 2.5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 15 V - 70W (TC)
KSC1008OTA Fairchild Semiconductor Ksc1008ota 0.1500
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 800 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 60 V 700 Ma 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50 mA, 500 mA 70 @ 50 mm, 2v 50MHz
FDS6676S Fairchild Semiconductor Fds6676s 0.6400
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 14.5a (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 14.5a, 10v 3V @ 1MA 60 NC @ 5 V ± 16V 4665 pf @ 15 V - 1W (TA)
MPSA93 Fairchild Semiconductor MPSA93 0.0700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 625 MW TO-92 (TO-226) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0095 2,000 200 V 500 mA 250NA (ICBO) PNP 400mv @ 2mA, 20 mA 25 @ 30mA, 10V 50MHz
ISL9V3036D3ST Fairchild Semiconductor ISL9V3036D3ST 1.9600
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Semiconductor de fairchild Ecospark® Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Lógica 150 W TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 300V, 1KOHM, 5V - 360 V 21 A 1.6v @ 4V, 6a - 17 NC -/4.8 µs
KSC2328AOBU Fairchild Semiconductor Ksc2328aobu 0.0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0075 6,107 30 V 2 A 100NA (ICBO) NPN 2V @ 30mA, 1.5a 100 @ 500mA, 2V 120MHz
SS9015CBU Fairchild Semiconductor SS9015CBU 0.0200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 450 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 100 mA 50NA (ICBO) PNP 700mv @ 5 ma, 100 ma 200 @ 1 mapa, 5v 190MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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