SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
23A008 Microsemi Corporation 23a008 -
RFQ
ECAD 6727 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto 200 ° C (TJ) Monte del Chasis 55BT 5W 55BT descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1 8.5db ~ 9.5db 22V 400mA NPN 20 @ 100 mapa, 5V 3.7 GHz -
JANSR2N7269U Microsemi Corporation Jansr2n7269u -
RFQ
ECAD 6840 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/603 Banda Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo Mosfet (Óxido de metal) U1 (SMD-1) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 200 V 26a (TC) 12V 110mohm @ 26a, 12v 4V @ 1MA 170 NC @ 12 V ± 20V - 150W (TC)
0204-125 Microsemi Corporation 0204-125 -
RFQ
ECAD 8875 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto 200 ° C (TJ) Monte del Chasis 55JT 270W 55JT descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1 7dB ~ 8.5dB 60V 16A NPN 20 @ 1a, 5v 225MHz ~ 400MHz -
MS2271 Microsemi Corporation MS2271 -
RFQ
ECAD 2222 0.00000000 Corpacia microsemi * Una granela Obsoleto - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1
SD1244-12H Microsemi Corporation SD1244-12H -
RFQ
ECAD 4319 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto SD1244 - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1
APT5518BFLLG Microsemi Corporation Apt5518bfllg -
RFQ
ECAD 7059 0.00000000 Corpacia microsemi Power MOS 7® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 550 V 31a (TC) 10V 180mohm @ 15.5a, 10v 5V @ 1MA 67 NC @ 10 V ± 30V 3286 pf @ 25 V - 403W (TC)
JAN2N6764T1 Microsemi Corporation Jan2n6764t1 -
RFQ
ECAD 2286 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/543 Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) Mosfet (Óxido de metal) Un 254AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 38a (TC) 10V 65mohm @ 38a, 10v 4V @ 250 µA 125 NC @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
APTC90DAM60T1G Microsemi Corporation Aptc90dam60t1g -
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ECAD 1369 0.00000000 Corpacia microsemi Coolmos ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 Mosfet (Óxido de metal) SP1 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 900 V 59A (TC) 10V 60mohm @ 52a, 10v 3.5V @ 6MA 540 NC @ 10 V ± 20V 13600 pf @ 100 V - 462W (TC)
APTC80SK15T1G Microsemi Corporation APTC80SK15T1G -
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ECAD 3079 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SP1 Mosfet (Óxido de metal) SP1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 800 V 28a (TC) 10V 150mohm @ 14a, 10v 3.9V @ 2mA 180 NC @ 10 V ± 30V 4507 pf @ 25 V - 277W (TC)
JANTXV2N6782U Microsemi Corporation Jantxv2n6782u -
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ECAD 9803 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/556 Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 18-clcc Mosfet (Óxido de metal) 18-ULCC (9.14x7.49) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 100 V 3.5A (TC) 10V 610mohm @ 3.5a, 10v 4V @ 250 µA 8.1 NC @ 10 V ± 20V - 800MW (TA), 15W (TC)
MS2322 Microsemi Corporation MS2322 -
RFQ
ECAD 7607 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis M115 87.5W M115 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1 10dB 65V 1.5a NPN 10 @ 100 maja, 5v 1.025GHz ~ 1.15 GHz -
APT31N60BCSG Microsemi Corporation Apt31n60bcsg -
RFQ
ECAD 2826 0.00000000 Corpacia microsemi Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 31a (TC) 10V 100mohm @ 18a, 10v 3.9V @ 1.2MA 85 NC @ 10 V ± 30V 3055 pf @ 25 V - 255W (TC)
2N7228U Microsemi Corporation 2N7228U -
RFQ
ECAD 5727 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 267ab Mosfet (Óxido de metal) Un 267ab descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 500 V 12a (TC) 10V 415mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
61074 Microsemi Corporation 61074 -
RFQ
ECAD 5014 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto - No Aplicable Obsoleto 0000.00.0000 1
46007T Microsemi Corporation 46007T -
RFQ
ECAD 9262 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto - No Aplicable Obsoleto 0000.00.0000 1
2N3811U Microsemi Corporation 2N3811U -
RFQ
ECAD 7940 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-78-6 METAL CAN 2N3811 350MW Un 78-6 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60V 50mera 10 µA (ICBO) 2 PNP (dual) 250mv @ 100 µA, 1 mA 300 @ 1 mapa, 5V -
APT30GT60KRG Microsemi Corporation Apt30gt60krg -
RFQ
ECAD 5388 0.00000000 Corpacia microsemi Thunderbolt IGBT® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Apt30gt60 Estándar 250 W Un 220 [k] descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 30a, 10ohm, 15V Escrutinio 600 V 64 A 110 A 2.5V @ 15V, 30a 525 µJ (Encendido), 600 µJ (apagado) 145 NC 12ns/225ns
APTGF165SK60D1G Microsemi Corporation APTGF165SK60D1G -
RFQ
ECAD 9864 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto - Monte del Chasis D1 730 W Estándar D1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Escrutinio 600 V 230 A 2.5V @ 15V, 200a 500 µA No 9 NF @ 25 V
MRF553T Microsemi Corporation MRF553T -
RFQ
ECAD 3388 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie Macro de poder 3W Macro de poder descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1,000 11.5dB 16 V 500mA NPN 30 @ 250 Ma, 5v 175MHz -
JANTX2N5012S Microsemi Corporation Jantx2n5012s -
RFQ
ECAD 3506 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/727 Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Rohs no conforme No Aplicable EAR99 8541.29.0095 1 700 V 200 MA 10NA (ICBO) NPN 30 @ 25 MMA, 10V -
MS2553C Microsemi Corporation MS2553C -
RFQ
ECAD 9328 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto 200 ° C (TJ) Monte del Chasis M220 175W M220 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 10.5db 25V 4A NPN 20 @ 500mA, 5V 1.025GHz ~ 1.15 GHz -
2225-4L Microsemi Corporation 2225-4L -
RFQ
ECAD 5353 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto 200 ° C (TJ) Monte del Chasis 55lv 10W 55lv descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 8.5db 40V 600mA NPN 20 @ 200Ma, 5V 2.2GHz ~ 2.5GHz -
MS2294 Microsemi Corporation MS2294 -
RFQ
ECAD 8146 0.00000000 Corpacia microsemi * Una granela Obsoleto - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1
APTGT100SK120D1G Microsemi Corporation Aptgt100sk120d1g -
RFQ
ECAD 3169 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis D1 520 W Estándar D1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 1200 V 150 A 2.1V @ 15V, 100A 3 MA No 7 NF @ 25 V
APTM50DSK10T3G Microsemi Corporation Aptm50dsk10t3g -
RFQ
ECAD 5679 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp3 Aptm50 Mosfet (Óxido de metal) 312W Sp3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canal N (Dual) 500V 37a 120mohm @ 18.5a, 10v 5V @ 1MA 96nc @ 10V 4367pf @ 25V -
APTGT225DA170G Microsemi Corporation Aptgt225da170g -
RFQ
ECAD 7480 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptgt225 1250 W Estándar Sp6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Parada de Campo de Trinchera 1700 V 340 A 2.4V @ 15V, 225a 500 µA No 20 nf @ 25 V
APTM50DUM17G Microsemi Corporation Aptm50dum17g -
RFQ
ECAD 1595 0.00000000 Corpacia microsemi - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Sp6 Aptm50 Mosfet (Óxido de metal) 1250W Sp6 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 2 Canal N (Dual) 500V 180A 20mohm @ 90a, 10V 5V @ 10mA 560nc @ 10V 28000pf @ 25V -
APT1002RBNG Microsemi Corporation Apt1002rbng -
RFQ
ECAD 6456 0.00000000 Corpacia microsemi Power MOS IV® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 247ad - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1000 V 8a (TC) 10V 1.6ohm @ 4a, 10v 4V @ 1MA 105 NC @ 10 V ± 30V 1800 pf @ 25 V - 240W (TC)
JAN2N7236 Microsemi Corporation Jan2n7236 -
RFQ
ECAD 2262 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/595 Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) Mosfet (Óxido de metal) Un 254AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 100 V 18a (TC) 10V 220mohm @ 18a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V - 4W (TA), 125W (TC)
JAN2N6800U Microsemi Corporation Jan2N6800U -
RFQ
ECAD 6695 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/557 Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 18-clcc Mosfet (Óxido de metal) 18-ULCC (9.14x7.49) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 400 V 3A (TC) 10V 1.1ohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 34.75 NC @ 10 V ± 20V - 800MW (TA), 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock