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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
RN4991FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE, LXHF (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN4991 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz, 200MHz 10 kohms -
2SA1362-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1362-Gr, LF 0.4000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1362 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 15 V 800 Ma 100NA (ICBO) PNP 200 MV a 8 mm, 400 Ma 200 @ 100 mapa, 1v 120MHz
RN2707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2707JE (TE85L, F) 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-553 RN2707 100MW ESV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 47 kohms
TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage TMBT3906, LM 0.1800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TMBT3906 320 MW Sot-23-3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
RN1402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1402, LF 0.2200
RFQ
 ECAD 1364 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1402 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
2SK2962,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2962, T6WNLF (J -
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SK2962 TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 1A (TJ)
TK12A60U(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK12A60U (Q, M) -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosii Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK12A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 12a (TA) 10V 400mohm @ 6a, 10v 5V @ 1MA 14 NC @ 10 V ± 30V 720 pf @ 10 V - 35W (TC)
RN4986,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4986 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 4.7 kohms 47 kohms
TK32A12N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK32A12N1, S4X 1.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK32A12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 120 V 32A (TC) 10V 13.8mohm @ 16a, 10v 4V @ 500 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 60 V - 30W (TC)
2SK3662(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3662 (f) -
RFQ
 ECAD 1045 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SK3662 Mosfet (Óxido de metal) Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 35A (TA) 4V, 10V 12.5mohm @ 18a, 10v 2.5V @ 1MA 91 NC @ 10 V ± 20V 5120 pf @ 10 V - 35W (TC)
RN2307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2307, LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 2595 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2307 100 MW SC-70 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 47 kohms
TK100S04N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK100S04N1L, LXHQ 1.7200
RFQ
 ECAD 8020 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK100S04 Mosfet (Óxido de metal) DPAK+ descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 100A (TA) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 500 µA 76 NC @ 10 V ± 20V 5490 pf @ 10 V - 180W (TC)
TK6A53D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A53D (STA4, Q, M) 1.5000
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK6A53 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 525 V 6a (TA) 10V 1.3ohm @ 3a, 10v 4.4V @ 1MA 12 NC @ 10 V ± 30V 600 pf @ 25 V - 35W (TC)
RN2904FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2904FE, LXHF (CT 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN2904 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 47 kohms 47 kohms
TK14N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK14N65W, S1F 3.3800
RFQ
 ECAD 8957 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TK14N65 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 13.7a (TA) 10V 250mohm @ 6.9a, 10v 3.5V @ 690 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 300 V - 130W (TC)
SSM3J372R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J372R, LXHF 0.4600
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101, U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 6a (TA) 1.8v, 10v 42mohm @ 5a, 10v 1.2V @ 1MA 8.2 NC @ 4.5 V +6V, -12V 560 pf @ 15 V - 1W (TA)
TK040N65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK040N65Z, S1F 11.2700
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C A Través del Aguetero TO-247-3 TK040N65 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 57a (TA) 10V 40mohm @ 28.5a, 10V 4V @ 2.85 Ma 105 NC @ 10 V ± 30V 6250 pf @ 300 V - 360W (TC)
TK25V60X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK25V60X5, LQ 5.0300
RFQ
 ECAD 8257 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 4-vsfn almohadillas Mosfet (Óxido de metal) 4-DFN-EP (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 25A (TA) 10V 150MOHM @ 7.5A, 10V 4.5V @ 1.2MA 60 NC @ 10 V ± 30V 2400 pf @ 300 V - 180W (TC)
TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y, RQ 1.7400
RFQ
 ECAD 1946 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK290P60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 11.5A (TC) 10V 290mohm @ 5.8a, 10V 4V @ 450 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 730 pf @ 300 V - 100W (TC)
2SA1313-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1313-Y, LF 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1313 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 100mA, 1V 200MHz
SSM3K341TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K341TU, LXHF 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101, U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 6a (TA) 4V, 10V 36mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 100 µA 9.3 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 10 V - 1W (TA)
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2406-Y (f) -
RFQ
 ECAD 9090 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SD2406 25 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 80 V 4 A 30 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 300mA, 3A 120 @ 500 mA, 5V 8MHz
TPCA8010-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8010-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 6650 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-MOSV Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCA8010 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 200 V 5.5a (TA) 10V 450mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 1MA 10 NC @ 10 V ± 20V 600 pf @ 10 V - 1.6W (TA), 45W (TC)
TK14C65W5,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK14C65W5, S1Q -
RFQ
 ECAD 2691 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA TK14C65 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 13.7a (TA) 10V 300mohm @ 6.9a, 10V 4.5V @ 690 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 300 V - 130W (TC)
2SK2989(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (T6cano, F, M -
RFQ
 ECAD 9386 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SK2989 TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 5A (TJ)
SSM3K56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56MFV, L3F 0.4500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 SSM3K56 Mosfet (Óxido de metal) Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 N-canal 20 V 800 mA (TA) 1.5V, 4.5V 235mohm @ 800 mA, 4.5V 1V @ 1MA 1 NC @ 4.5 V ± 8V 55 pf @ 10 V - 150MW (TA)
RN1317(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1317 (TE85L, F) 0.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN1317 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 4.7 kohms
SSM3K35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35CTC, L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 SSM3K35 Mosfet (Óxido de metal) CST3C descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 250 mA (TA) 1.2V, 4.5V 1.1ohm @ 150mA, 4.5V 1V @ 100 µA 0.34 NC @ 4.5 V ± 10V 36 pf @ 10 V - 500MW (TA)
TK160F10N1,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1, LXGQ 3.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 175 ° C Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab TK160F10 Mosfet (Óxido de metal) To-220SM (W) descascar 3 (168 Horas) EAR99 8541.21.0095 1,000 N-canal 100 V 160A (TA) 10V 2.4mohm @ 80a, 10v 4V @ 1MA 121 NC @ 10 V ± 20V 8510 pf @ 10 V - 375W (TC)
2SC2235-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y (6MbH1, AF -
RFQ
 ECAD 8417 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2235 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

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