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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
TPC8207(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207 (TE12L, Q) -
RFQ
 ECAD 8561 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TPC8207 Mosfet (Óxido de metal) 450MW 8-SOP (5.5x6.0) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 6A 20mohm @ 4.8a, 4V 1.2V @ 200 µA 22nc @ 5V 2010pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
RN2118MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2118MFV (TPL3) 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN2118 150 MW Vesm descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 47 kohms 10 kohms
2SK2989(TPE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2989 (TPE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 8590 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SK2989 TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 5A (TJ)
2SK3564(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3564 (Sta4, Q, M) 1.6200
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosiv Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SK3564 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 3a (TA) 10V 4.3ohm @ 1.5a, 10v 4V @ 1MA 17 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 25 V - 40W (TC)
SSM6P15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P15FU, LF 0.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 SSM6P15 Mosfet (Óxido de metal) 200MW (TA) US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 30V 100mA 12ohm @ 10mA, 4V 1.7V @ 100 µA - 9.1pf @ 3V -
TPCC8009,LQ(O Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8009, LQ (O -
RFQ
 ECAD 6494 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiv Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPCC8009 Mosfet (Óxido de metal) Advance 8-TSON (3.1x3.1) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 24a (TA) 7mohm @ 12a, 10v 3V @ 200 µA 26 NC @ 10 V 1270 pf @ 10 V - -
RN1415,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1415, LF 0.1800
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1415 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RN2102ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN2102ACT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 4367 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN2102 100 MW CST3 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 Ma 500NA PNP - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 10 kohms 10 kohms
2SA1020-Y,F(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y, F (M -
RFQ
 ECAD 1478 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) 2SA1020-YF (M EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK11A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK11A60D (STA4, Q, M) -
RFQ
 ECAD 6517 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK11A60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 11a (TA) 10V 650mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 1MA 28 NC @ 10 V ± 30V 1550 pf @ 25 V - 45W (TC)
SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J340R, LF 0.4700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3J340 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 4A (TA) 4V, 10V 45mohm @ 4a, 10v 2.2V @ 250 µA 6.2 NC @ 4.5 V +20V, -25V 492 pf @ 10 V - 1W (TA)
SSM3K376R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R, LXHF 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 4A (TA) 1.8V, 4.5V 56mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 1MA 2.2 NC @ 4.5 V +12V, -8V 200 pf @ 10 V - 1W (TA)
TK5A65D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65D (STA4, Q, M) 1.6200
RFQ
 ECAD 1402 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK5A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) TK5A65D (STA4QM) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 5A (TA) 10V 1.43ohm @ 2.5a, 10v 4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ± 30V 800 pf @ 25 V - 40W (TC)
RN1112MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1112MFV, L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1112 150 MW Vesm descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 22 kohms
SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K339R, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos SSM3K339 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 2a (TA) 1.8v, 8V 185mohm @ 1a, 8V 1.2V @ 1MA 1.1 NC @ 4.2 V ± 12V 130 pf @ 10 V - 1W (TA)
2SC2881-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2881-Y (TE12L, ZC 0.4900
RFQ
 ECAD 851 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 500 MW PW-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1,000 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 120 @ 100 mapa, 5V 120MHz
SSM3K122TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K122TU, LF 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables SSM3K122 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2a (TA) 1.5V, 4V 123mohm @ 1a, 4V 1V @ 1MA 3.4 NC @ 4 V ± 10V 195 pf @ 10 V - 500MW (TA)
TK35A08N1,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A08N1, S4X 1.0500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK35A08 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 35A (TC) 10V 12.2mohm @ 17.5a, 10V 4V @ 300 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 40 V - 30W (TC)
2SD2129,ALPSQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2129, AlPSQ (M -
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SD2129 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 100 V 3 A 100 µA (ICBO) NPN 2V @ 12 mm, 3a 2000 @ 1.5a, 3V -
SSM3J35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CT, L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SC-101, SOT-883 SSM3J35 Mosfet (Óxido de metal) CST3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 100 mA (TA) 1.2V, 4V 8ohm @ 50 mm, 4V 1V @ 1MA ± 10V 12.2 pf @ 3 V - 100MW (TA)
RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1711, LF 0.3100
RFQ
 ECAD 1202 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 5-TSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1711 200MW USV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 250MHz 10 kohms -
TPH11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH11003NL, LQ 0.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPH11003 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 32a (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 5.5a, 10v 2.3V @ 100 µA 7.5 NC @ 10 V ± 20V 660 pf @ 15 V - 1.6W (TA), 21W (TC)
TPW5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW5200FNH, L1Q 3.0100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 8-PowerWDFN Mosfet (Óxido de metal) Avance de 8-dsop descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 250 V 26a (TC) 10V 52mohm @ 13a, 10v 4V @ 1MA 22 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 100 V - 800MW (TA), 142W (TC)
SSM6L35FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FE, LM 0.4100
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SSM6L35 Mosfet (Óxido de metal) 150MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 Vecino del canal 20V 180 Ma, 100 Ma 3ohm @ 50 mm, 4V 1V @ 1MA - 9.5pf @ 3V Puerta de Nivel Lógico
TK20V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W, LVQ 2.8963
RFQ
 ECAD 5645 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-vsfn almohadillas TK20V60 Mosfet (Óxido de metal) 4-DFN-EP (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 20A (TA) 10V 170mohm @ 10a, 10v 3.7V @ 1MA 48 NC @ 10 V ± 30V 1680 pf @ 300 V - 156W (TC)
RN2102,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2102, LF (CT 0.2000
RFQ
 ECAD 8558 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN2102 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
RN1417,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1417, LXHF 0.0645
RFQ
 ECAD 3196 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1417 200 MW S-Mini descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 4.7 kohms
RN2903,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903, LXHF (CT 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2903 200MW US6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 22 kohms
2SC5086-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-Y, LF -
RFQ
 ECAD 9674 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2SC5086 100MW SSM descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 - 12V 80mera NPN 120 @ 20MA, 10V 7GHz 1DB @ 500MHz
RN1102T5LFT Toshiba Semiconductor and Storage Rn1102t5lft -
RFQ
 ECAD 1640 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 RN1102 100 MW SSM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 10 kohms
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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