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Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
2SC2229-O(T6SAN2FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (T6SAN2FM -
RFQ
 ECAD 1326 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2229 800 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) 2SC2229OT6SAN2FM EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 70 @ 10mA, 5V 120MHz
TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R10Anl, L1Q 1.6500
RFQ
 ECAD 7346 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie 8Powervdfn TPH4R10 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 92a (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 1MA 75 NC @ 10 V ± 20V 6300 pf @ 50 V - 2.5W (TA), 67W (TC)
SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K123TU, LF 0.4900
RFQ
 ECAD 397 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables SSM3K123 Mosfet (Óxido de metal) UFM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 4.2a (TA) 1.5V, 4V 28mohm @ 3a, 4V 1V @ 1MA 13.6 NC @ 4 V ± 10V 1010 pf @ 10 V - 500MW (TA)
HN1A01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-Gr, LF 0.3300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 HN1A01 100MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 PNP (dual) 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
GT15J341,S4X Toshiba Semiconductor and Storage GT15J341, S4X 1.8100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 30 W Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 300V, 15a, 33ohm, 15V 80 ns - 600 V 15 A 60 A 2V @ 15V, 15a 300 µJ (Encendido), 300 µJ (apaguado) 60ns/170ns
TK5A65DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A65DA (STA4, Q, M) 1.5900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK5A65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 4.5a (TA) 10V 1.67ohm @ 2.3a, 10v 4.4V @ 1MA 16 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 25 V - 35W (TC)
SSM6P16FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P16FE (TE85L, F) -
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 SSM6P16 Mosfet (Óxido de metal) ES6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 Canal P 20 V 100 mA (TA) 8ohm @ 10mA, 4V - 11 pf @ 3 V - 150MW (TA)
RN1964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1964FE (TE85L, F) 0.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN1964 100MW ES6 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250MHz 47 kohms 47 kohms
SSM6K819R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K819R, LF 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie 6-smd, planos de cables SSM6K819 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP-F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 10a (TA) 4.5V, 10V 25.8mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 100 µA 8.5 NC @ 4.5 V ± 20V 1110 pf @ 15 V - 1.5W (TA)
TPC8021-H(TE12LQ,M Toshiba Semiconductor and Storage TPC8021-H (TE12LQ, M -
RFQ
 ECAD 1471 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) TPC8021 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP (5.5x6.0) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 11a (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 5.5a, 10v 2.3V @ 1MA 11 NC @ 10 V ± 20V 640 pf @ 10 V - 1W (TA)
SSM3K09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K09FU, LF 0.4200
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvi Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C Montaje en superficie SC-70, SOT-323 SSM3K09 Mosfet (Óxido de metal) Usm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 400 mA (TA) 3.3V, 10V 700mohm @ 200 MMA, 10V 1.8V @ 100 µA ± 20V 20 pf @ 5 V - 150MW (TA)
TPH4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R008NH, L1Q 2.7900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPH4R008 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 80 V 60A (TC) 10V 4mohm @ 30a, 10v 4V @ 1MA 59 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 40 V - 1.6W (TA), 78W (TC)
2SK3388(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3388 (TE24L, Q) -
RFQ
 ECAD 7495 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-97 2SK3388 Mosfet (Óxido de metal) 4-TFP (9.2x9.2) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 250 V 20A (TA) 10V 105mohm @ 10a, 10v 3.5V @ 1MA 100 NC @ 10 V ± 20V 4000 pf @ 10 V - 125W (TC)
RN1405,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1405, LF 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 RN1405 200 MW S-Mini descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 47 kohms
RN1107ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107ACT (TPL3) 0.3400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN1107 100 MW CST3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 80 Ma 500NA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 10 kohms 47 kohms
RN4983,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983, LF (CT 0.3500
RFQ
 ECAD 7287 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN4983 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz, 200MHz 22 kohms 22 kohms
TMBT3904,LM Toshiba Semiconductor and Storage TMBT3904, LM 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 TMBT3904 320 MW Sot-23-3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
RN1107MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1107MFV, L3XHF (CT 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1107 150 MW Vesm descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 10 kohms 47 kohms
RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2911, LF 0.2800
RFQ
 ECAD 9669 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2911 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 120 @ 1 MMA, 5V 200MHz 10 kohms -
TPH12008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH12008NH, L1Q 1.2500
RFQ
 ECAD 9998 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosviii-H Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn TPH12008 Mosfet (Óxido de metal) Avance 8-SOP (5x5) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 80 V 24a (TC) 10V 12.3mohm @ 12a, 10v 4V @ 300 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 40 V - 1.6W (TA), 48W (TC)
2SC2235-O(T6FJT,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O (T6FJT, FM -
RFQ
 ECAD 6710 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2235 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
2SC2383-Y,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2383-Y, T6KEHF (M -
RFQ
 ECAD 1154 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2383 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 160 V 1 A 1 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 60 @ 200Ma, 5V 100MHz
RN2903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2903, LF (CT 0.2800
RFQ
 ECAD 3513 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2903 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 22 kohms
RN1103CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1103CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 2562 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN1103 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 500NA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 10mA, 5V 22 kohms 22 kohms
2SB1457(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SB1457 (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 8231 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SB1457 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 100 V 2 A 10 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 1MA, 1A 2000 @ 1a, 2v 50MHz
TK8P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W, RVQ 1.1354
RFQ
 ECAD 8551 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Dtmosiv Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TK8P60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 8a (TA) 10V 500mohm @ 4a, 10v 3.7V @ 400 µA 18.5 NC @ 10 V ± 30V 570 pf @ 300 V - 80W (TC)
RN1109CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1109CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 8001 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN1109 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 500NA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 100 @ 10mA, 5V 47 kohms 22 kohms
2SA1020-Y(T6OMI,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6OMI, FM -
RFQ
 ECAD 4882 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
TK5A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK5A45DA (STA4, Q, M) 1.0600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento π-Mosvii Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TK5A45 Mosfet (Óxido de metal) Un 220SIS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 450 V 4.5a (TA) 10V 1.75ohm @ 2.3a, 10v 4.4V @ 1MA 9 NC @ 10 V ± 30V 380 pf @ 25 V - 30W (TC)
2SC5086-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5086-O, LF -
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2SC5086 100MW SSM descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 - 12V 80mera NPN 80 @ 20MA, 10V 7GHz 1DB @ 500MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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