SIC
close

Transistores (2488)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Drenaje real (ID) - Max
2SD2257(CANO,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2257 (Cano, Q, M) -
RFQ
 ECAD 9887 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SD2257 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 100 V 3 A 10 µA (ICBO) NPN 1.5V @ 1.5MA, 1.5a 2000 @ 2a, 2v -
TPCF8102(TE85L,F,M Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8102 (TE85L, F, M -
RFQ
 ECAD 8048 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosiii Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TPCF8102 Mosfet (Óxido de metal) VS-8 (2.9x1.5) descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 Canal P 20 V 6a (TA) 1.8V, 4.5V 30mohm @ 3a, 4.5V 1.2V @ 200 µA 19 NC @ 5 V ± 8V 1550 pf @ 10 V - 700MW (TA)
RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2906, LF 0.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 RN2906 200MW US6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 4.7 kohms 47 kohms
2SC4944-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4944-Gr (TE85L, F 0.3500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 2SC4944 200 MW USV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
2SC2229-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y (TE6, F, M) -
RFQ
 ECAD 2366 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2229 800 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 70 @ 10mA, 5V 120MHz
2SA1873-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1873-Gr (TE85L, F 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 2SA1873 200MW USV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 150 Ma 100NA (ICBO) 2 Par de Parejas PNP (Dual), Emisor Común 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
2SC5172(YAZK,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5172 (Yazk, Q, M) -
RFQ
 ECAD 8277 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SC5172 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 400 V 5 A 20 µA (ICBO) NPN 1V @ 250 Ma, 2a 20 @ 500mA, 5V -
2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-O (TE85L, F) 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100 MW SC-59 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 8.2pf @ 10V 50 V 600 µA @ 10 V 400 MV @ 100 na 6.5 Ma
2SA1020A,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020A, Nseikif (J -
RFQ
 ECAD 2572 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SA1832-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Gr, LF 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2SA1832 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V 80MHz
RN1315,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1315, LF 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN1315 100 MW SC-70 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 2.2 kohms 10 kohms
RN2902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2902FE, LF (CT 0.2600
RFQ
 ECAD 9652 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN2902 200MW ES6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 10 kohms
RN1503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1503 (TE85L, F) 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Activo Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 RN1503 300MW SMV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 NPN - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 250MHz 22 kohms 22 kohms
RN1103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV, L3F 0.1700
RFQ
 ECAD 254 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1103 150 MW Vesm descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 22 kohms 22 kohms
RN1107CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage RN1107CT (TPL3) -
RFQ
 ECAD 1269 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-101, SOT-883 RN1107 50 MW CST3 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 50 Ma 500NA NPN - Pre -Sesgado 150mv @ 250 µA, 5 mA 120 @ 10mA, 5V 10 kohms 47 kohms
RN2305(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2305 (TE85L, F) 0.2700
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Cinta de Corte (CT) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 RN2305 100 MW SC-70 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 47 kohms
ULN2004APG,C,N Toshiba Semiconductor and Storage ULN2004APG, C, N -
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) ULN2004 1.47W 16 Dipp - 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 25 50V 500mA 50 µA 7 NPN Darlington 1.6V @ 500 µA, 350 mA 1000 @ 350MA, 2V -
2SA1832-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1832-Y, LF 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2SA1832 100 MW SSM descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 80MHz
2SA1020-Y(ND1,AF) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (ND1, AF) -
RFQ
 ECAD 4519 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
RN2502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2502 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 670 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 RN2502 300MW SMV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 10 kohms
RN1109MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1109MFV, L3F -
RFQ
 ECAD 2875 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1109 150 MW Vesm descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 47 kohms 22 kohms
2SA1837,HFEMBJF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1837, Hfembjf (J -
RFQ
 ECAD 3388 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SA1837 2 W Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 1 230 V 1 A 1 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 70MHz
2SC2482(FJTN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2482 (FJTN, F, M) -
RFQ
 ECAD 1055 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2482 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 1 300 V 100 mA 1 µA (ICBO) NPN 1v @ 1 mapa, 10 mapa 30 @ 20MA, 10V 50MHz
RN1118MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1118MFV, L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 6563 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 RN1118 150 MW Vesm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 250 MHz 47 kohms 10 kohms
2SC2229-Y(T6MITIFM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-Y (T6MITIFM -
RFQ
 ECAD 7080 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SC2229 800 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) 2SC2229YT6MITIFM EAR99 8541.21.0075 1 150 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 70 @ 10mA, 5V 120MHz
2SA1020-Y(T6ND3,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-Y (T6ND3, AF -
RFQ
 ECAD 3760 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SA1020 900 MW TO-92MOD descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0075 1 50 V 2 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 100MHz
2SC6040(TPF2,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6040 (TPF2, Q, M) -
RFQ
 ECAD 6660 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SC6040 1 W MSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 800 V 1 A 100 µA (ICBO) NPN 1V @ 100 mm, 800 mA 60 @ 100mA, 5V -
RN2608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2608 (TE85L, F) 0.4700
RFQ
 ECAD 8298 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 RN2608 300MW SM6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 200MHz 22 kohms 47 kohms
RN2702TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Rn2702te85lf -
RFQ
 ECAD 6945 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2702 200MW 5-ssop descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (Dual) (Emisor Junto) 300mV @ 250 µA, 5 mA 50 @ 10mA, 5V 200MHz 10 kohms 10 kohms
RN2909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2909FE (TE85L, F) 0.3400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 RN2909 100MW ES6 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 100NA (ICBO) 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 5 mA 70 @ 10mA, 5V 200MHz 47 kohms 22 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar